avalanche breakdown diodeとは 意味・読み方・使い方

To provide a high breakdown voltage ESD protection diode which can be formed using the same manufacturing process as for the high breakdown voltage transistor to be protected with the high avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量が高く、保護する高耐圧トランジスタと同製造工程を用いて形成できる高耐圧ESD保護ダイオードを提供する。 - 特許庁

As a protective circuit part 100 has a Zener diode 8, the diode 8 can be made to break out a Zener breakdown before a parasitic diode 38 breaks out an avalanche breakdown.例文帳に追加

保護回路部１００はツェナーダイオード８を有するので、寄生ダイオード３８がアバランシェブレークダウンする前に、ツェナーダイオード８をツェナーブレークダウンさせることができる。 - 特許庁

To provide a PIN diode in which breakage by the application of reverse direction bias equal to or higher than an avalanche breakdown voltage is prevented and loss is reduced by improving avalanche resistance.例文帳に追加

アバランシェ耐量を向上させることにより、アバランシェ降伏電圧以上の逆方向バイアスの印加による破損を抑制し、低損失化を実現させたＰＩＮダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a diode element structure that, while the reverse recovery characteristics of a diode element are maintained, the avalanche breakdown voltage and contact resistance of the diode element are modified.例文帳に追加

逆回復特性を維持しつつ、アバランシェ耐圧および接触抵抗を改善したダイオード素子構造を有する半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The resistance of the resistor 23 is adjusted so that a voltage being a product of the resistance of the resistor 23 and a current supplied through the avalanche diode 21 when the collector- emitter voltage exceeds the breakdown voltage of the avalanche diode 21 exceeds a threshold voltage of the IGBT 2 or more.例文帳に追加

抵抗２３の値は、コレクタ・エミッタ間電圧がアバランシェダイオード２１の耐圧を越える時に流れる電流と抵抗２３との積で与えられる電圧がＩＧＢＴ２のしきい値電圧以上となる様に、調整される。 - 特許庁

To provide a diode having good static electricity breakdown voltage by eliminating the generation of the local avalanche breakdown phenomenon when a backward direction static electricity surge is applied.例文帳に追加

逆方向の静電気サージが印加されたときに、局所的な雪崩降伏現象を起こすことをなくし、良好な静電気破壊耐性を有するダイオードを提供する。 - 特許庁

To provide an avalanche breakdown-type constant voltage diode with a stable and high breakdown voltage without being affected by ions which exist in the vicinity of a semiconductor substrate surface.例文帳に追加

半導体基板の表面近傍に存在するイオンの影響を受ける事なく、ブレークダウン電圧が安定し且つ高耐圧が可能なアバランシェ降伏型の定電圧ダイオードを提供する。 - 特許庁