ballistic electronとは 意味・読み方・使い方

BALLISTIC ELECTRON EMISSION SOURCE, VACUUM-TUBE DEVICE, DISPLAY, TERAHERTZ EMISSION SOURCE, ELECTROMAGNETIC WAVE EMISSION DEVICE, AND X-RAY SOURCE例文帳に追加

弾道電子放出源、真空管デバイス、表示デバイス、テラヘルツ放出源、電磁波放出デバイス及びＸ線源 - 特許庁

The plasma processing system includes an electron source electrode, where direct current (DC) power is coupled to generate a ballistic electron beam in etching a substrate.例文帳に追加

基板のエッチング中に弾道電子ビームを生成するために、プラズマ処理システムは、直流（ＤＣ）電力が結合される電子源電極を含んでいる。 - 特許庁

The light emitting element 1 having MOS structure includes a MOS transistor 2 and a ballistic electron source 3 arranged right under the MOS transistor 2.例文帳に追加

MOS構造の発光素子１は、MOSトランジスタ２と、MOSトランジスタ２の直下に配置された弾道電子源３とを備える。 - 特許庁

To provide an electron emitting element capable of controlling the value of a current flowing in an electron accelerating layer and an amount of electron emission by adjusting the resistance value of the electron accelerating layer and a generated amount of ballistic electrons, and excellent in energy efficiency.例文帳に追加

電子加速層の抵抗値及び弾道電子の生成量を調整することで、電子加速層を流れる電流値と電子放出量の制御が可能であり、かつ、エネルギー効率の良好な電子放出素子を提供する。 - 特許庁

BALLISTIC ELECTRON SURFACE-EMITTING DEVICE EMITTER, FIELD EMISSION DISPLAY DEVICE AND FIELD EMISSION TYPE BACKLIGHT ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

弾道電子の表面放出装置エミッタ、それを採用した電界放出表示装置及び電界放出型バックライト素子 - 特許庁

For measuring the electron injection energy barrier on the interface between metal and organic matter, a ballistic electron 5 is knocked from a chip 1 for supplying a tunnel electron to the interface 3 between metal and organic matter through a metal electrode 2 with an extremely thin film.例文帳に追加

金属・有機物界面の電子注入エネルギーバリアを測定するにあたり、トンネル電子供給用のチップ１から極薄膜の金属電極２を介し、金属・有機物界面３に弾道電子５を打ち込む。 - 特許庁

Herein, a ballistic electron face release type electron source is used to control the energy of the electrons irradiated on the gas below the ionization energies of atoms or molecules constituting the gas.例文帳に追加

ここにおいて、電子源１０として、弾道電子面放出型電子源を用いることで、ガスへ照射される電子のエネルギがガスを構成する原子もしくは分子の電離エネルギ未満とする。 - 特許庁

Holes are injected from the MOS transistor 2 to a floating gate 10 by a tunnel current, and electrons are injected from the ballistic electron source 3 to the floating gate 10.例文帳に追加

MOSトランジスタ２からフローティングゲート１０にトンネル電流にてホールを注入し、弾道電子源３からフローティングゲート１０に電子を注入する。 - 特許庁