boron filmsとは 意味・読み方・使い方

The ferroelectric storage element having the structure covering at least a part of the ferroelectric thin film (4) and further covering an interlayer insulation film of BPSG(boron phosphorous silicate glass) small in the diffusion coefficient of hydrogen is provided by the lamination of Ti (9), the oxidation films (8) and (8').例文帳に追加

また、水素を吸蔵するＴｉ（９）と酸化膜（８）および（８’）の積層で強誘電体薄膜（４）の少なくとも一部を覆い、さらに水素の拡散係数が小さいＢＰＳＧ（boron phosphorus silicate glass）（１２）の層間絶縁膜で覆う構造を有する強誘電体記憶素子を提供する。 - 特許庁

In such a constitution, the outer diffusion of boron from the substrate region of MOSFET to the STI structured buried-in oxide films 34 is suppressed, thereby making feasible of obviating the kink defect due to the decline in the threshold value by the decrease in the boron concentration in the MOSFET substrate region.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの基板領域からＳＴＩ構造の埋め込み酸化膜３４中へのボロンの外方拡散が抑制され、ＭＯＳＦＥＴの基板領域のボロン濃度の低下によるしきい値電圧の低下に起因するキンク特性を抑えることができる。 - 特許庁

The boron carbide-containing aluminum composite material is characterized in that boron carbide particles 2 are uniformly dispersed into the matrix of an aluminum alloy 1 in an amount of 2 to 10 vol.%, the films of aluminum borides 3 are formed on the surfaces of the boron carbide particles, and tensile fracture elongation is ≥10%.例文帳に追加

アルミニウム合金１のマトリックス中に炭化ホウ素粒子２が２〜１０体積％均一分散してなり、前記炭化ホウ素粒子の表面にアルミニウムホウ化物３の膜が形成されており、引張り破壊伸びが１０％以上であることを特徴とする炭化ホウ素含有アルミニウム複合材料。 - 特許庁

The invented etchant etches materials with both doped and non-doped oxide films on the basis that etching rates for thermal oxide (THOX) and Boron Phosphosilicate Glass (BPSG) films are below 100Å/min at 25°C, and the BPSG etching rate/THOX etching rate is below 1.5.例文帳に追加

熱酸化膜（ＴＨＯＸ）及びボロンリンガラス膜（ＢＰＳＧ）のエッチングレートが２５℃で１００Å／ｍｉｎ以下、かつＢＰＳＧのエッチングレート／ＴＨＯＸのエッチングレートが１．５以下である、ドープ酸化膜と非ドープ酸化膜を有する被エッチング物をエッチングするためのエッチング液。 - 特許庁

Subsequently, P-type polysilicon films are formed by ion-implanting boron into P-channel MOS-transistor forming regions and bipolar-transistor forming regions.例文帳に追加

続いて、ＰチャネルＭＯＳトランジスタ形成領域およびバイポーラトランジスタ形成領域にボロンをイオン注入してＰ型のポリシリコン膜を形成する。 - 特許庁

A semiconductor device, wherein an interlayer insulation film comprising boron nitride films 7, 9, 11 whose dielectric is less than 4 is formed in a wiring formation process, is manufactured.例文帳に追加

配線形成工程において、誘電率が４未満の窒化ホウ素膜７，９，１１からなる層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

After removing the nitride film 6 therefrom, boron 11 is so ion-implanted thereinto self-aligning-wise by using the oxide films 4, 9 as masks as to perform heat treatment in a nitrogen atmosphere.例文帳に追加

窒化膜６を除去した後、酸化膜４，９をマスクとして自己整合的にボロン１１をイオン注入し、窒素雰囲気中で熱処理を行なう。 - 特許庁

To provide a film forming apparatus capable of simultaneously forming uniform and stable boron nitride films on substrates of cemented carbide and high speed steel or on surfaces of many tool members consisting thereof and having a special shape on their top end parts.例文帳に追加

超硬合金や高速度鋼の基板あるいはこれらよりなる先端部が特殊な形状を呈する多数の工具部材の表面に同時に均一で安定した窒化ホウ素膜を形成することのできる成膜装置を提供する。 - 特許庁