broad gateとは 意味・読み方・使い方

Wide is the gate and broad is the way that leads to destruction.発音を聞く 例文帳に追加

破滅への門は広く、破滅への道は広し。 - Tanaka Corpus

Wide is the gate and broad is the way that leads to destruction.例文帳に追加

破滅への門は広く、破滅への道は広し。 - Tatoeba例文

“Enter in by the narrow gate; for wide is the gate and broad is the way that leads to destruction, and many are those who enter in by it.発音を聞く 例文帳に追加

「狭い門を通って入りなさい。滅びに至る門は広く，その道は広々としており，そこを通って入る者は多いからだ。 - 電網聖書『マタイによる福音書 7:13』

To provide a method for manufacturing a semiconductor device with good yield, which can form a T-type gate electrode having a broad region at an upper portion thereof simply and uniformly in a wafer plane.例文帳に追加

上部に幅の広い領域を有するＴ型ゲート電極を，簡単に，ウェハ面内で均一に歩留まり良く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the gate electrode 12 is shaped to become broad at least partially as it recedes from the silicon substrate 10, the silicide layer 45 can be formed stably.例文帳に追加

シリコン基板１０から離間するに従って少なくとも部分的に幅広となるようにゲート電極１２を形付けることで、シリサイド層４５を安定して形成することが実現可能になる。 - 特許庁

A memory cell 100 includes a silicon substrate 10, gate electrodes 12 and 13 arranged on the silicon substrate 10 while adjoining each other, an insulating layer 30 formed between the silicon substrate 10 and the gate electrode 12, and a charge storage layer 26 formed between the silicon substrate 10 and the gate electrode 12, wherein the gate electrode 12 becomes broad at least partially as it recedes from the silicon substrate 10.例文帳に追加

メモリセル１００は、シリコン基板１０と、シリコン基板１０上に互いに隣り合って配置されたゲート電極１２、１３と、シリコン基板１０とゲート電極１２間に形成された絶縁層３０と、シリコン基板１０とゲート電極１２間に形成された電荷蓄積層２６と、を備え、ゲート電極１２は、シリコン基板１０から離間するに従って少なくとも部分的に幅広になる。 - 特許庁

Specifically, and in broad terms, the present invention provides a semiconductor structure comprising a silicided metal gate of a first silicide metal having a first thickness, and abutting silicided source and drain regions of a second metal having a second thickness which is less than the first thickness and the silicided source and drain regions are aligned to edges of a gate region including at least the silicided metal gate.例文帳に追加

詳しくは、広義に、第一の厚さを有する第一のシリサイド金属のシリサイド化金属ゲートと、隣接する第二の厚さを有する第二の金属のシリサイド化ソース領域およびドレイン領域とを含み、第二の厚さは第一の厚さより薄く、シリサイド化ソース領域およびドレイン領域は少なくともシリサイド化金属ゲートを含むゲート領域の端に位置合わせした半導体構造物を提供する。 - 特許庁