cell refresh operationとは 意味・読み方・使い方

When it is determined that the attention refresh address designates the target memory cell group, a refresh operation is carried out on the basis of the attention refresh address.例文帳に追加

注目リフレッシュアドレスが対象メモリセル群を指定していると判定された場合には、注目リフレッシュアドレスに基づいてリフレッシュ動作が実行される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory apparatus in which refresh operation of a second time is performed for a memory cell existing in the same memory sub-array which is different from a memory cell refreshed by refresh operation of a first time.例文帳に追加

１回目のリフレッシュ動作でリフレッシュされるメモリセルとは異なるが同一メモリサブアレイ上に存在するメモリセルに２回目のリフレッシュ動作が行われる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

When refresh-operation, normal read-out operation of data, or write-in operation of data are overlapped, refresh-operation has priority, and data of a memory cell which can be read out is decided based on parity.例文帳に追加

リフレッシュ動作と、通常のデータの読み出し動作または書き込み動作とが重なった場合、リフレッシュ動作を優先し、読み出すことができないメモリセルのデータをパリティに基づき確定する。 - 特許庁

To provide a refresh-mode driving method for a semiconductor memory and a cell data protecting circuit which can protect safely cell data at the time of refresh-operation.例文帳に追加

リフレッシュ動作時、セルデータを安全に保護できる、半導体メモリ装置のリフレッシュモード駆動方法及びセルデータ保護回路を提供する。 - 特許庁

Responding to the first refresh start signal, the first refresh operation is performed for a memory cell group connected to one side of the first word line out of the memory sub-array, responding to the second refresh start signal, the second refresh operation is performed for a memory cell group connected to the second word line being different from one side of the first word line.例文帳に追加

前記第１リフレッシュ起動信号に応答して、前記メモリサブアレイのうちの一方の第１ワード線に接続されたメモリセル群に１回目リフレッシュ動作が実行され、前記第２リフレッシュ起動信号に応答して、前記一方の前記第１ワード線とは異なる、第２ワード線に接続されたメモリセル群に２回目リフレッシュ動作が実行される。 - 特許庁

In low current consumption refresh-operation of this device, as at least a value of one bit out of a plurality of bits constituting the internal row address signal is fixed, refresh-operation is performed only for a memory cell in a refresh-region previously decided.例文帳に追加

本発明に関わる低消費電流リフレッシュ動作では、内部ロウアドレス信号を構成する複数ビットのうちの少なくとも１ビットの値が固定されるため、リフレッシュ動作は、予め決められたリフレッシュ領域内のメモリセルに対してのみ行われる。 - 特許庁

In another aspect, partial array self-refresh operation is performed by controlling row addresses of one or more corresponding to a partial cell array in self-refresh operation, and at this juncture, reduction of current consumption of self-refresh is performed by cutting off activation of a part being not used in a memory bank.例文帳に追加

或いは、部分アレーセルフリフレッシュ動作は、セルフリフレッシュ動作中における部分セルアレーに対応する一つ以上のローアドレスを制御することによって実行され、この際、セルフリフレッシュ電流消費の低減は、メモリバンクの不使用の部分の活性化遮断によってなされる。 - 特許庁

When program operation for the memory cell MC is performed, program for a program object cell PMC and refresh for a refresh object cell RMC are performed using a threshold of the second reference cell RC2 corresponding to a program state of the memory cell MC to verify.例文帳に追加

メモリセルＭＣへのプログラム動作時には、プログラム対象セルＰＭＣに対するプログラムと共に、リフレッシュ対象セルＲＭＣに対するリフレッシュを、メモリセルＭＣのプログラム状態に対応する第２リファレンスセルＲＣ２の閾値をベリファイに用いて行う。 - 特許庁