chevron patternとは 意味・読み方・使い方

The servo pattern is a chevron pattern being aslant or in stripes in the non-radial direction having a stripe pitch substantially equal to the track pitch in the direction crossing the stripes.例文帳に追加

サーボパターンは、ストライプ横断方向においてトラックピッチと実質的に等しいストライプピッチを有する傾斜または非径方向ストライプの山形パターンである。 - 特許庁

To correct an asymmetrical mislanding pattern called 'shift' and 'truncated chevron shape' to enhance white color quality of the color image receiving tube.例文帳に追加

「シフト」及び「ハの字」と呼ばれる非対称ミスランディングパターンを補正し、カラー受像管の白色品質を向上する。 - 特許庁

A resist pattern 148 having continuous chevron figures is formed by superposing images of the light diffracted by the mask pattern onto the resist in an appropriate process.例文帳に追加

このマスクパターンを回折した光がレジスト上で再結像する際、これらをプロセス的に重ねることで連続したシュブロン形状を有するレジストパターン１４８を形成する。 - 特許庁

To provide a steel sheet having excellent surface quality after plating in which occurrence of a chevron pattern and surface defects caused thereby can be suppressed, at a low cost.例文帳に追加

安価に山形模様やそれに起因する表面欠陥の発生を抑制できるメッキ後の表面品質に優れた鋼板を提供する。 - 特許庁

To form a chevron-like resist pattern selectively having a large aperture with high controlling property by lithography of a deep half-micron generation.例文帳に追加

ディープサブハーフミクロン世代のリソグラフィにおいて、選択的に大開口部を有するシェブロン状レジストパターンを高い制御性をもって形成することを目的とする。 - 特許庁

A pattern image of the truncated chevron shape showing both the legs in truncated chavron shape is previously generated by learning, and similarity to the pattern image is calculated while scanning the inside of a captured image to detect an area whose similarity is equal to or larger than a threshold and the highest as an area showing both the legs in truncated chevron shape.例文帳に追加

学習により、開脚した状態の両脚を表わすハの字形状のパターン画像を予め生成しておき、このパターン画像との類似度を、撮像画像内を走査しながら算出し、類似度がしきい値以上であって、かつ、最も類似度が高い領域を、開脚した状態の両脚を表わす領域として検出する。 - 特許庁

In a mask layout having aperture patterns continuously and discretely disposed, a device pattern having a chevron pattern selectively having a large aperture part can be formed with high controlling property by specifying the pattern pitch P to satisfy 0.69λ/NA≤P≤0.85λ/NA, wherein λ is the exposure light wavelength and NA is the numerical aperture of a projection lens.例文帳に追加

開口パターンを連続的に離散配置したマスクレイアウトにおいて、パターンピッチＰを０．６９λ／ＮＡ≦Ｐ≦０．８５λ／ＮＡ（ここで、λは露光光波長、ＮＡは投影レンズの開口数）とすることで、選択的に大開口部を有するシェブロンパターンを有するデバイスパターンを制御性よく形成することができる。 - 特許庁