crystal structure factorとは 意味・読み方・使い方

In this method, the structure factor tensor can be determined without using the ellipsometric crystal, by measuring and analyzing incidence polarization dependency of scattered X-ray intensity from a sample.例文帳に追加

試料からの散乱Ｘ線強度の入射偏光依存性を測定・解析することで、偏光解析結晶を使用することなく構造因子テンソルを決定する方法。 - 特許庁

To solve various problems existing in the case of using an ellipsometric crystal for quick determination of a structure factor tensor and improvement of measurement sensitivity, though an ellipsometric method of an X-ray domain which is necessary for determining the structure factor tensor of a material is already proposed.例文帳に追加

物質の構造因子テンソルの決定に必要なＸ線領域の偏光解析の方法は既に提案されているが、構造因子テンソルの迅速決定および測定感度向上のために、偏光解析結晶を用いる場合には、種々の問題を解決しなければならない。 - 特許庁

To speedily determine structure factor tensors and improve the measurement sensitivity, in the case of using an ellipsometric crystal when the ellipsometry of an X-ray region required for determining the structure factor tensors of substances is performed.例文帳に追加

物質の構造因子テンソルの決定に必要なＸ線領域の偏光解析の方法は既に提案されているが、構造因子テンソルの迅速決定および測定感度向上のために、偏光解析結晶を用いる場合には、種々の問題を解決しなければならない。 - 特許庁

To provide a solution in identification and/or design of an inhibitory factor for DPP-IV activity through obtaining a crystal of the extracellular domain of DPP-IV and information on its crystal structure, a preparation method of such crystal, and a method of identification and/or design of the inhibitory factor for DPP-IV using these crystals according to drug design based on the structure.例文帳に追加

DPP-IVの細胞外ドメインの結晶およびその結晶構造情報の獲得によりDPP-IV活性阻害因子の同定および/または設計における問題の解決策を提供すること、そしてこのような結晶を調製する方法、ならびに構造に基づく薬物設計によりこれらの結晶を使用してDPP-IV阻害因子を同定および/または設計する方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

By measuring and analyzing incident polarization dependence on the intensity of the scattered X-rays from a sample, the structure factor tensors are determined, without having to use the ellipsometric crystal in this method.例文帳に追加

試料からの散乱Ｘ線強度の入射偏光依存性を測定・解析することで、偏光解析結晶を使用することなく構造因子テンソルを決定する方法。 - 特許庁

To improve crystal orientation of a backed layer in the structure of a spin valve type thin-film magnetic element for improved resistance change factor and also to reduce coercive force of a free magnetic layer adjoining the backed layer for improved soft-magnetic characteristics and detection sensitivity.例文帳に追加

本発明はスピンバルブ型の薄膜磁気素子の構造のバックド層の結晶配向性を良好にして抵抗変化率の向上を図ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a thermoelectric material with a comparatively large output factor and a low-enough coefficient of thermal conductivity, which has a MgAgAs-type crystal structure exhibiting a high dimensionless performance index ZT, as well as a thermoelectric transducer using this.例文帳に追加

出力因子が比較的大きくかつ十分に低い熱伝導率を有し、高い無次元性能指数ＺＴを示すＭｇＡｇＡｓ型結晶構造の熱電材料、およびこれを用いた熱電変換素子を提供する。 - 特許庁

To provide a thermoelectric material that has a relatively large output factor, a fully low thermal conductivity and an MgAgAs-type crystal structure exhibiting a high dimensionless performance index ZT, and to provide a thermoelectric conversion element using the thermoelectric material.例文帳に追加

本発明は、出力因子が比較的大きくかつ十分に低い熱伝導率を有し高い無次元性能指数ＺＴを示すＭｇＡｇＡｓ型結晶構造の熱電材料およびこの材料を用いた熱電変換素子を提供する。 - 特許庁