deep UVとは 意味・読み方・使い方

The polymer exhibits a light transparent property with respect to a deep UV wavelength, and is useful for an application to a high resolution photolithography.例文帳に追加

このポリマーは深ＵＶ波長に対し光透明性の性質を示し、高解像度光平板法への応用に有用である。 - 特許庁

To provide a polarizing element with which sufficient performance can be obtained even in a deep UV region (≤200 nm) and a method for manufacturing the polarizing element.例文帳に追加

深紫外領域（２００ｎｍ以下）でも十分な性能が得られる偏光素子及び偏光素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To block harmful X rays and increase the light emission efficiency in a conventional deep UV source arranged so that an Al_xGa_1-xN/AlN multiple quantum well (MQW) layer of a wide band gap semiconductor having no harmful substance mercury is excited by an electron beam to obtain deep UV light from the multiple quantum well staying in its excitation state.例文帳に追加

有害物質水銀を含まないワイドバンドギャップ半導体のAl_xGa_1-xN/AlN多重量子井戸（MQW）層を電子線で励起して励起状態の多重量子井戸から深紫外光を得る従来の深紫外光源において、有害なＸ線を阻止して、発光効率を高める。 - 特許庁

To provide a high resolution photoresist composition used under deep UV and usable together with an aqueous developing solution having high basicity.例文帳に追加

深紫外線で使用され、高い塩基強度の水性現像液と共に使用可能な高解像度のされたフォトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a resist pattern with relatively large thickness and high resolution by using the light with short wavelength such as deep UV rays as an exposure source.例文帳に追加

ｄｅｅｐＵＶ光のような短波長の光を露光源とし、比較的厚さが厚く、かつ高解像度のレジストパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

A single wavelength UV-ray of faint light is taken out from continuous wavelength UV-rays emitted from a nitride deep ultraviolet semiconductor light emitting element 119 by optical filters 200-208 and influences of re-ozonization of ozone and active oxygen are eliminated, thereby, an UV ray absorption type ozone concentration measurement can be correctly carried out.例文帳に追加

窒化物系深紫外半導体発光素子１１９から発する紫外線の連続波長から光学フィルタ２００〜２０８で微弱光の紫外線の単一波長を取り出し、オゾンの再オゾン化、活性酸素の影響を無くす事によって正しい紫外線吸収式オゾン濃度測定が可能になる。 - 特許庁

The deep UV source comprises: an Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5 formed on an AlN layer 4; and an aluminum (Al) metal back layer 6 formed on the Al_0.7Ga_0.3 N/AlN multiple quantum well layer 5.例文帳に追加

深紫外光源は、AlN層４上に形成されたAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５、及びAl_0.7Ga_0.3N/AlN多重量子井戸層５上に形成されたアルミニウム（Al）メタルバック層６よりなる。 - 特許庁

The method is for forming the image of the deep ultraviolet photoresist by using: a top coat composition for a deep uv immersion lithography including a polymer with at least one ionizable group having a pKa ranging from about -9 to about 11; and top coat.例文帳に追加

約−９〜約１１の範囲のｐＫａを有する少なくとも一種のイオン化可能な基を有するポリマーを含む、深紫外線（ｄｅｅｐ ｕｖ）液浸リソグラフィ用トップコート組成物及び該トップコートを利用して深紫外線フォトレジストを像形成する方法。 - 特許庁