During a process where temperature is elevated to a predetermined target temperature, the defects and abnormalities of first and second temperature detecting means are judged with a means for comparing a temperature increase per unit of time in the first temperature detecting means with a temperature increase per unit of time in the second temperature detecting means.例文帳に追加

既定目標温度へ昇温していく過程で、第１の温度検出手段における単位時間当たりの上昇温度と第２の温度検出手段における単位時間当たりの上昇温度を比較する比較手段により前記第１、第２の温度検出手段の故障及び異常を判断する。 - 特許庁

To provide a solar cell evaluation apparatus capable of measuring the characteristic distribution of light/electric conversion efficiency per unit area at respective positions of a solar cell, partial failures, partial defects and the positions, etc.例文帳に追加

太陽電池のそれぞれの位置における単位面積当たりの光・電気変換効率の特性分布や部分的な欠陥、部分不良及びその位置等を測定することができる太陽電池評価装置を得る。 - 特許庁

Hereupon, the number of silicon crystals having crystal defects near the surface of the silicon layer is made smaller than 8E14 in the silicon-ion injecting process, and the injecting quantity of silicon ions per unit volume which are injected into the vicinity of the interface between the sapphire substrate and the silicon layer is made not less than 3.0E19 ions/cm^3.例文帳に追加

そして、前記シリコンイオン注入工程において、前記シリコン層の表面付近の結晶欠陥を有するシリコンの数を8E14未満とし；前記サファイア基板と前記シリコン層との界面付近における前記シリコンイオンの単位容積当たりの注入量を3.0E19 ions/cm3 以上とする。 - 特許庁

To provide a high-performance, low-cost and long polarizing plate which attains an improved yield in a polarizing plate blanking step, comprises an obliquely stretched polarizing film and of which the number of defects per unit area is few, a method for manufacturing the polarizing plate and a liquid crystal display device using the polarizing plate.例文帳に追加

偏光板打ち抜き工程で得率が向上することを可能にする斜め延伸した偏光膜から構成され、単位面積あたりの欠陥の個数が少なく高性能で安価な長尺の偏光板、この偏光板の製造方法、およびこの偏光板を用いた液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A concentration distribution generation method and a process simulator perform a defect amount calculation procedure to calculate a defect amount Q_I per unit area of defects introduced to a semiconductor substrate by ion implantation and a defect position calculation procedure to calculate a position d_I to position by condensing a defect concentration distribution in an ion implantation concentration distribution by the ion implantation with a computer and treat the defect concentration distribution like a delta function.例文帳に追加

上記課題は、コンピュータが、イオン注入によって半導体基板に導入される欠陥の単位面積当たりの欠陥量Ｑ_Ｉを算出する欠陥量算出手順と、前記イオン注入によるイオン注入濃度分布において欠陥濃度分布を凝集させて位置付ける位置ｄ_Ｉを算出する欠陥位置算出手順とを実行し、前記欠陥濃度分布をデルタ関数的に扱うことにより達成される。 - 特許庁