destructive read outとは 意味・読み方・使い方

The write-back data can be used for destructive read-out operation.例文帳に追加

書き戻しデータは、破壊的読み出し操作に使用することができる。 - 特許庁

The destructive read type memory 4 has no rewriting control part, a controller 5 holds data read out of the destructive read type memory 4, and a coherency control part 6 holds the memory coherency of the destructive read type memory 4.例文帳に追加

破壊読出し型メモリ４は、再書込み制御部を有せず、制御装置５は、破壊読出し型メモリ４から読み出したデータを保持し、メモリコヒーレンシ制御部６により破壊読出し型メモリ４のメモリコヒーレンシを保持するように動作する。 - 特許庁

To relieve the destructive influence of phase discontinuity during reading out of a read/write optical disk.例文帳に追加

リード／ライト光ディスクの読み出し中の位相不連続性の破壊的な影響を緩和すること。 - 特許庁

This method comprises a step in which a destructive read mode is enabled, the destructive read mode is a mode for read out destructively a bit of information stored in a DRAM memory cell being addressed.例文帳に追加

本発明の例示的実施形態では、方法に、破壊読出モードをイネーブルするステップが含まれ、破壊読出モードは、アドレッシングされたＤＲＡＭメモリ・セル内に保管された情報のビットを破壊的に読み取るためのものである。 - 特許庁

For example, when the controller 5 begins to operate, data necessary for the controller 5 are transferred to the destructive read type memory 4 altogether at a time, and when the controller 5 finishes operating, data read out of the destructive read type memory 4 together at a time are transferred from the controller 5 to the destructive read type memory 4 together.例文帳に追加

例えば、制御装置５の動作開始時に、制御装置５に必要なデータを一括して破壊読出し型メモリ４に転送し、制御装置５の動作終了時に、破壊読出し型メモリ４から一括して読み出したデータを一括して制御装置５から破壊読出し型メモリ４に転送する。 - 特許庁

To provide an input/output(I/O) device of a memory device in which an independent circuit for performing write-backs is unnecessary and which is capable of performing a destructive read-out operation.例文帳に追加

書き戻しを実施するための独立した回路が不要な、破壊的読み出し操作を行うことのできるメモリ素子の入力／出力装置を提供する。 - 特許庁

To suppress deterioration due to a load on a nonvolatile memory and increase the frequency of access to a memory cell as the result suppression, in a nonvolatile memory performing destructive read out using a ferroelectric capacitor.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを用いた破壊読出しを行う不揮発性メモリにおいて、不揮発性メモリへの負荷による劣化を抑え、結果的にメモリセルへのアクセス回数を増大する。 - 特許庁