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diamond film growthとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 ダイヤモンド薄膜成長
「diamond film growth」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
To provide a method for producing a highly oriented diamond film, by which the degree of orientation can be enhanced by suppressing growth of unoriented crystal grains; and to provide the highly oriented diamond film.例文帳に追加
非配向結晶粒の成長を抑制し、配向度を高めることができる高配向ダイヤモンド膜及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In this method, a single crystal of diamond film 13 is formed along a specified pattern on a diamond growth substrate having a surface capable of epitaxial growth of diamond, for example, a diamond growth substrate which is a magnesium oxide substrate 10 on which an iridium layer 11 is formed.例文帳に追加
ダイヤモンドのエピタキシャル成長が可能な表面を有するダイヤモンド成長基板、例えば酸化マグネシウム基板１０上にイリジウム層１１が形成されたダイヤモンド成長基板に、所定のパターンに沿って単結晶のダイヤモンド膜１３が形成された構成とする。 - 特許庁
To provide a method of dispersing diamond micropowder without agglomeration, with high density and uniformly on the surface of a substrate even when diamond micropowder is used for a film forming pretreatment, and to provide a method of producing a diamond film having high adhesion to a substrate where the surface after diamond growth is flat and smooth enough and abnormal growth does not occur.例文帳に追加
ダイヤモンド微粉末を成膜前処理に用いても、凝集なく、高密度にかつ均一に基材表面に分散する方法を示し、ダイヤモンド成長後の表面が十分平滑で異常成長なく、かつ基材との密着性の高いダイヤモンド膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
The diamond film 2 is formed on a substrate 1, and has abnormal growth diamond projection parts 4, defined to have a transverse direction span size 5 of ≥3/4 of an average film thickness 6 of the diamond film 2 on the growth surface of the film 2, of 100 or less per 1 cm^2.例文帳に追加
基材１上に形成されたダイヤモンド膜２であって、ダイヤモンド膜２の平均膜厚６の値の３／４以上の横方向差し渡しサイズ５を有する突起部４で定義される、膜２の成長面の異常成長ダイヤモンド突起部４が、１ｃｍ^２当たり１００個以下であるダイヤモンド膜２。 - 特許庁
This decoration display substrate is formed by forming an ion irradiated layer on a diamond growth substrate by ion irradiation, then it is processed in a specified pattern, and finally by epitaxial growth of a single crystal of a diamond film on the surface.例文帳に追加
ダイヤモンド成長基板にイオン照射してイオン照射層を形成し、これを所定のパターンに加工し、この表面に単結晶のダイヤモンド膜をエピタキシャル成長させ、形成する。 - 特許庁
The radiation detector using epitaxial diamond is structured, such that it has a constitution where at least 20 μm or more of a defective layer present in a growth initial stage in an epitaxial diamond thin-film manufactured by using a substrate other than diamond and self-supported epitaxial diamond is removed.例文帳に追加
エピタキシャルダイヤモンドを用いた放射線検出器において、ダイヤモンド以外の基板を用いて作製したエピタキシャルダイヤモンド薄膜および自立したエピタキシャルダイヤモンドにおける成長初期に存在する欠陥層を少なくとも２０μｍ以上除去する構成とする。 - 特許庁
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「diamond film growth」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
The diamond film is grown on the growth substrate having a surface superstructure modified into 1×1 period.例文帳に追加
成長基板上に成長したダイアモンド膜であって、前記成長基板は１×１周期に変化した表面超構造を備えている。 - 特許庁
The diamond film-deposited silicon is manufactured by forming the silicon substrate having ≤500 μm thickness by the plate-like crystal growth method and depositing the conductive diamond on the silicon substrate by the chemical vapor deposition method.例文帳に追加
板状結晶成長法により厚さが５００μｍ以下のシリコン基材を製造し、このシリコン基材をケミカルベーパーデポジションにより導電性ダイヤモンドで成膜することにより、ダイヤモンド成膜シリコンを製造する。 - 特許庁
There is provided a grain-arranged diamond film which is a highly oriented diamond film prepared by initiating growth on a crystalline substrate of a dissimilar material according to the crystal orientation information relayed therefrom and is characterized in that, in its surface, the polygonal diamond crystal grains are arranged in a two-dimensionally repeated pattern in which the distance between their centers of gravity is 20 μm or more.例文帳に追加
異種材料の結晶基板上に、その結晶方位の情報を引き継いで成長を開始した高配向ダイヤモンド膜であって、表面において、多角形ダイヤモンド結晶粒が、重心間距離が２０μｍ以上の二次元繰り返しパターンで配列していることを特徴とする配列化ダイヤモンド膜。 - 特許庁
Upon synthesizing the diamond-like carbon film from hydrocarbon, the diamond-like carbon film is synthesized from the hydrocarbon and a substance containing silicon and carbon by a plasma chemical vapor growth method of introducing silicon and a substance containing carbon together with hydrocarbon, and applying a high voltage to enable synthesis mainly by an ion process.例文帳に追加
炭化水素からダイヤモンド状炭素被膜を合成するにあたって、炭化水素とともに、シリコン及び炭素を含む物質を導入し、イオンプロセス主体での合成を可能にする高電圧を印加するプラズマ化学気相成長法により、炭化水素とシリコン及び炭素を含む物質とからダイヤモンド状炭素被膜を合成する。 - 特許庁
A polycrystalline substance of conductive diamond is grown, to form a film 11 on a part 10a of the contact 10 in contact with the electrode pad by a gas-phase growth method, preferably CVD, e.g., heat filament CVD, while an impurity such as boron is doped.例文帳に追加
この接触子１０の前記電極パッドとの接触部分１０ａに，気相成長法，好ましくはＣＶＤ法，例えば熱フィラメントＣＶＤ法により，ホウ素等の不純物をドーピングしながら導電性ダイヤモンドの多結晶体を成長させて被膜１１を形成する。 - 特許庁
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