diffused resistorとは 意味・読み方・使い方

A resistor is formed of an n+ type impurity diffused region, and another n+ type impurity diffused region is formed below an adjacent pad and a wiring layer, thereby reducing the respective distances.例文帳に追加

抵抗をｎ＋型不純物拡散領域で形成し、隣接するパッドおよび配線層の下にもｎ＋型不純物拡散領域を形成することにより、それぞれの間隔を４μｍまで低減することができる。 - 特許庁

A voltage non-linear resistor is mainly formed of SiC particles doped with impurities such as N2 or the like, where oxygen elements are diffused in the surface of the SiC particle at a distance of 100 nm or below, and at least one element out of Al and B is also diffused at a distance of 5 to 100 nm.例文帳に追加

Ｎ_2等の不純物をドープしたＳｉＣ粒子を主成分とする電圧非直線抵抗体であって、ＳｉＣ粒子の表面に、酸素元素が１００ｎｍ以下の距離で拡散し、かつ、Ａｌ又はＢのうち少なくとも１種の元素が５〜１００ｎｍの距離で拡散している。 - 特許庁

The diffused resistor 12 is formed by inducing impurities through ion implantation on a silicon substrate 11, followed by heat treatment at high temperature to an interlayer insulating film 14, a silicon nitride film 18 and the like.例文帳に追加

シリコン基板１１に、イオン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１４、窒化シリコン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１２を形成する。 - 特許庁

A diffused resistor region 6 formed by introducing high-concentration impurities into the semiconductor substrate 10 is provided between the polycrystal silicon film 13 and an electrode pad part 5, to thereby electrically connect both parts.例文帳に追加

多結晶シリコン膜１３と電極パッド部５との間に、半導体基板１０中に不純物を高濃度で導入して形成した拡散抵抗領域６を設け、これにより両者間を電気的に接続する。 - 特許庁

Accordingly, an impurity diffused region 3 from an innermost peripheral face of a field limiting innermost periphery 4 to an outermost peripheral face of the anode electrode metal electrode 8 can be used as an electrical resistor.例文帳に追加

それにより、フィールドリミティング最内周４の最内周面からアノード電極用金属層８の最外周面までの不純物拡散領域３を電気的な抵抗として用いることができる。 - 特許庁

The withstand voltage and current driving ability of the semiconductor device are improved by connecting a diffused resistor which is depleted with a voltage lower than the drain breakdown voltage of a drain region to the drain region in series.例文帳に追加

ドレイン領域にドレイン耐圧より低い電圧で空乏化する拡散抵抗を直列接続することにより、高耐圧・高駆動能力を可能にした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of DRAM mixed loading which can improve the performance of a transistor for a memory by preventing the resistance of a diffused resistor from being raised, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

拡散抵抗の高抵抗化を防止し、メモリ用トランジスタの性能向上が図れるＤＲＡＭ混載の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of firing, the low temperature fired ceramic material is diffused from the thick film resistor 14 to the electrode conductor 13, and an intermediate layer of low temperature fired ceramic material is formed between them.例文帳に追加

焼成時に厚膜抵抗体１４から電極導体１３に低温焼成セラミック材料が拡散し、両者間に低温焼成セラミック材料の中間層が形成される。 - 特許庁