「diffused resistor」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

At that time, conditions of the ion implantation and the heat treatment at high temperature is set so as to obtain a prescribed value of the diffused resistor 12, but in fact, the value of resistances of the diffused resistor 12 is sometimes deviated from the prescribed value.例文帳に追加

このとき、イオン注入と高温熱処理の条件は、拡散抵抗１２が所定の抵抗値になるように設定されているが、実際には完成後の拡散抵抗１２は所定の抵抗値からずれていることが多い。 - 特許庁

A resistor is formed of an n+ type impurity diffused region, and another n+ type impurity diffused region is formed below an adjacent pad and a wiring layer, thereby reducing the respective distances.例文帳に追加

抵抗をｎ＋型不純物拡散領域で形成し、隣接するパッドおよび配線層の下にもｎ＋型不純物拡散領域を形成することにより、それぞれの間隔を４μｍまで低減することができる。 - 特許庁

As a result, the diffused resistor can be controlled to the prescribed value, by a simple method of controlling the condition for forming the silicon nitride film 16.例文帳に追加

このように窒化シリコン膜１６の形成条件を調節するという簡単な方法により拡散抵抗１２を所定の抵抗値に制御できる。 - 特許庁

The withstand voltage and current driving ability of the semiconductor device are improved by connecting a diffused resistor which is depleted with a voltage lower than the drain breakdown voltage of a drain region to the drain region in series.例文帳に追加

ドレイン領域にドレイン耐圧より低い電圧で空乏化する拡散抵抗を直列接続することにより、高耐圧・高駆動能力を可能にした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of DRAM mixed loading which can improve the performance of a transistor for a memory by preventing the resistance of a diffused resistor from being raised, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

拡散抵抗の高抵抗化を防止し、メモリ用トランジスタの性能向上が図れるＤＲＡＭ混載の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of firing, the low temperature fired ceramic material is diffused from the thick film resistor 14 to the electrode conductor 13, and an intermediate layer of low temperature fired ceramic material is formed between them.例文帳に追加

焼成時に厚膜抵抗体１４から電極導体１３に低温焼成セラミック材料が拡散し、両者間に低温焼成セラミック材料の中間層が形成される。 - 特許庁

The diffused resistor 12 is formed by inducing impurities through ion implantation on a silicon substrate 11, followed by heat treatment at high temperature to an interlayer insulating film 14, a silicon nitride film 18 and the like.例文帳に追加

シリコン基板１１に、イオン注入で不純物を導入し、その後の工程で層間絶縁膜１４、窒化シリコン膜１８などの高温熱処理で拡散抵抗１２を形成する。 - 特許庁

The important point of a silicon wafer 2 is etched and a plurality of recessed parts 3 are provided for forming a plurality of diaphragms 4, and boron or the like is diffused to each diaphragm 4, thus forming a gauge resistor 5.例文帳に追加

シリコンウェハ２の要所をエッチングして複数の凹所３を設けることにより複数のダイヤフラム４を形成し、各ダイヤフラム４にボロン等を拡散させてゲージ抵抗５を形成する。 - 特許庁

A voltage non-linear resistor is mainly formed of SiC particles doped with impurities such as N2 or the like, where oxygen elements are diffused in the surface of the SiC particle at a distance of 100 nm or below, and at least one element out of Al and B is also diffused at a distance of 5 to 100 nm.例文帳に追加

Ｎ_2等の不純物をドープしたＳｉＣ粒子を主成分とする電圧非直線抵抗体であって、ＳｉＣ粒子の表面に、酸素元素が１００ｎｍ以下の距離で拡散し、かつ、Ａｌ又はＢのうち少なくとも１種の元素が５〜１００ｎｍの距離で拡散している。 - 特許庁

Accordingly, an impurity diffused region 3 from an innermost peripheral face of a field limiting innermost periphery 4 to an outermost peripheral face of the anode electrode metal electrode 8 can be used as an electrical resistor.例文帳に追加

それにより、フィールドリミティング最内周４の最内周面からアノード電極用金属層８の最外周面までの不純物拡散領域３を電気的な抵抗として用いることができる。 - 特許庁

A diffused resistor region 6 formed by introducing high-concentration impurities into the semiconductor substrate 10 is provided between the polycrystal silicon film 13 and an electrode pad part 5, to thereby electrically connect both parts.例文帳に追加

多結晶シリコン膜１３と電極パッド部５との間に、半導体基板１０中に不純物を高濃度で導入して形成した拡散抵抗領域６を設け、これにより両者間を電気的に接続する。 - 特許庁

When a diffused resistor 6 formed on the obverse side of each thin portion 2S is heated up, the differential thermal expansion between the thin portion 2S and the thin film 2M displaces the flexible region 2 with the result that the movable element 5 is displaced relative to the semiconductor board 3.例文帳に追加

薄肉部２Ｓの表面に形成された拡散抵抗６が加熱されると、薄肉部２Ｓと薄膜２Ｍの熱膨張差により可撓領域２が変位し、可動エレメント５が半導体基板３に対して変位する。 - 特許庁

To provide an amplifier circuit capable of stabilizing a gain and the linearity of an input-output characteristic regardless of a voltage change in an input signal in the amplifier circuit in which a resistance element formed with a diffused resistor sets a gain.例文帳に追加

拡散抵抗で形成された抵抗素子でゲインを設定する増幅回路において、入力信号の電圧変化に関わらず、ゲイン及び入出力特性のリニアリティを安定化させ得る増幅回路を提供する。 - 特許庁

A dummy resistance for adjustment with the direction <100> as a longitudinal direction is connected in series to an impurity diffused resistor diffusion layer in parallel with the longitudinal direction of the rotating shaft in an impurity diffusion layer constituting the built-in bridge circuit of the strain sensor chip.例文帳に追加

ひずみセンサチップの内蔵ブリッジ回路を構成する不純物拡散層のうち、回転軸の長手方向と平行となる不純物拡散抵抗拡散層に＜100＞方向を長手方向とする調整用のダミー抵抗を直列に接続する。 - 特許庁

The main surface side of a single crystal silicon substrate 10 is flattened by spin coatingn an SOG film on the main surfaee side, and the clearance formed on a silicon nitride film on a diffused resistor wiring 15 is buried by the SOG film to flatten a metallic layer for bonding 17, whereby the generation of clearance with respect to an upper stopper is prevented.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１０の主表面側に拡散抵抗配線１５を形成し、シリコン窒化膜１９ａを形成した後に、単結晶シリコン基板１０の主表面側を、ＳＯＧ膜５を回転塗布することにより平坦化する。 - 特許庁

Covering the N+ diffused layer 23 with the N-type well 2 allows the N-type well 2 to operate as a resistor, so that a current is prevented from concentrating at a part 56 immediately below a contact hole 31 and a field edge 55, when a bipolar operation current 7 caused by a parasitic bipolar transistor is pulled out.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層２３をＮ型ウェル２で覆うことにより、Ｎ型ウェル２が抵抗として動作するため、寄生バイポーラトランジスタによるバイポーラ動作電流７を引き抜く時のコンタクトホール３１の直下５６やフィールドエッジ５５に電流が集中するのを防止することができる。 - 特許庁

The gas sensor element 1 includes an oxygen-ion inductive solid-state electrolyte body 13, the measurement target gas side electrode 14 and a reference gas side electrode 15 respectively installed on one surface and the other surface of the solid-state electrolyte body 13, and a diffused resistor layer 12 for penetrating the formed measurement target gas between the measurement target gas side electrode 14 and the outside of the element.例文帳に追加

酸素イオン伝導性の固体電解質体１３と、固体電解質体１３の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極１４及び基準ガス側電極１５と、被測定ガス側電極１４と素子外部との間に形成され被測定ガスを透過させる拡散抵抗層１２とを有するガスセンサ素子１。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a high-accuracy polycrystalline silicon resistor which is restrained from varying in resistance due to the fact that hydrogen is diffused from polycrystalline silicon in a thermal treatment or hydrogen contained in polycrystalline silicon is absorbed by Ti or the like which is used as a barrier metal of an Al wiring and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

Ａｌ系配線のバリアメタルとして用いられるＴｉ等による多結晶シリコン中の水素の吸収や、熱処理の際の多結晶シリコンからの水素の拡散に起因する多結晶シリコン抵抗素子の抵抗値の変動が抑制された高精度の多結晶シリコン抵抗素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁