dishing flatnessとは 意味・読み方・使い方

To provide a wiring forming method and apparatus wherein flatness of a solder film is improved in the case that fine holes and large holes mingle on a surface of a substrate and CMP work which is performed after improvement of flatness is enabled in a short time while generation of dishing is prevented.例文帳に追加

基板表面に微細穴と大穴が混在しても、めっき膜の平坦性を向上させて、その後のＣＭＰ加工をディッシングの発生を防止しつつ短時間で行うことができるようにした配線形成方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method and apparatus for controlling film thickness capable of sufficiently reducing the amount of dishing and improving the flatness of film in deposition provided on a substrate surface.例文帳に追加

ディッシング量を十分小さくすることができて基材表面に設けた成膜の平坦度を向上させることができる膜厚調整方法及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a polishing method of a semiconductor device in which the occurrence of dishing and erosion can be controlled, and excellent flatness is imparted to the semiconductor device without producing scratches.例文帳に追加

ディッシング及びエロージョンの発生を抑制することができ、スクラッチの発生を生じることなく、半導体デバイスに優れた平坦性を与える半導体デバイスの研磨方法を提供する。 - 特許庁

To provide a CMP(chemical-mechanical polishing) composition for planerizing a metal layer of Cu and a Cu alloy, hardly causing dishing, capable of improving surface flatness, and capable of reducing a production cost by improving through-put.例文帳に追加

ＣｕおよびＣｕ合金の金属層を平坦化するための、ディッシングが少なく、表面平坦度が向上し、スループットを上げて製造コストを下げ得るＣＭＰ組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a metal polishing solution having rapid chemical-mechanical polishing speed, reducing dishing, improving flatness, enhancing copper/tantalum selectivity and being capable of manufacturing an LSI.例文帳に追加

迅速な化学的機械的研磨速度を有し、ディッシングが少なく平坦性が向上し、銅／タンタル選択性が向上した、ＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing solution for metals to enable manufacture of an LSI improved in the flatness with less amount of dishing by ensuring higher polishing rate and improving the selectivity of copper/tantalum in the polishing.例文帳に追加

迅速な研磨速度を有し、且つ、研磨における銅／タンタル選択性が向上することで、ディッシングが少なく平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする金属用研磨液を提供する。 - 特許庁

To provide an aqueous polishing slurry having a high CMP rate and less scratch and dishing, and enabling fabrication of an LSI having improved flatness, and to provide a chemical mechanical polishing method employing the aqueous polishing slurry.例文帳に追加

保存性に優れ、迅速なＣＭＰ速度を有し、スクラッチが少なく、平坦性が向上したＬＳＩの作製を可能とする水系研磨液、及び、前記水系研磨液を用いた化学機械的研磨方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an abrasive cloth for metal which is high in CMP speed, high in flatness, capable of reducing the dishing quantity and the erosion, high in reliability, and capable of forming the embedding pattern of a metal film, and a grinding method using the cloth.例文帳に追加

高いＣＭＰ速度を発現し、高平坦化、ディッシング量低減及びエロージョン量低減を可能とし、信頼性の高い金属膜の埋め込みパタ−ン形成を可能とする金属用研磨布及びそれを用いた研磨方法を提供する。 - 特許庁