dispersion gateとは 意味・読み方・使い方

The first multilayer film 141 is formed on the semiconductor substrate 10 between the first dispersion region 11 and the gate insulating film 32.例文帳に追加

第１多層膜１４１は、第１拡散領域１１とゲート絶縁膜３２との間において、半導体基板１０の上に形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device, wherein dispersion in threshold is reduced and no large electric field is required for drawing out electrons from a floating gate.例文帳に追加

しきい値のばらつきを低減でき、かつ、浮遊ゲートからの電子の引き抜きに高電界を必要としない半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

Local wiring 151 conducting the gate electrode 120b of the first inverter 20 and the source drain dispersion layer of the second inverter 22 is provided.例文帳に追加

第１インバータ２０のゲート電極１２０ｂと、第２インバータ２２のソースドレイン拡散層とを導通させる局部配線１５１を備える。 - 特許庁

The gate insulating film 32 is formed on a semiconductor substrate 10 at a position away from the first dispersion region 11.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３２は、第１拡散領域１１から離れた位置において、半導体基板１０の上に形成されている。 - 特許庁

To provide a field-effect semiconductor device having normally-off characteristics having a small on-state resistance and a gate leakage current and reduced dispersion of characteristics.例文帳に追加

オン抵抗及びゲートリーク電流の小さいノーマリオフ特性を有し、且つ特性のばらつきが少ない電界効果半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high breakdown strength field effect transistor without side gate effects or frequency dispersion of drain conductance, etc.例文帳に追加

サイドゲート効果やドレインコンダクタンスの周波数分散などのない高耐圧の電界効果トランジスタを得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method that can surely suppress characteristic deterioration caused by processing dispersion of gate length.例文帳に追加

ゲート長の加工ばらつきに起因する特性劣化を確実に抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a technology of remarkably reducing dispersion in signal delay times without changing the delay time while suppressing increase in a gate cell size.例文帳に追加

ゲートセルサイズの増加を抑えながら遅延時間を変えることなく、信号の遅延時間のばらつきを大幅に低減する。 - 特許庁