「dry‐clean」を含む例文一覧
該当件数 : 10件
How much is it to dry clean a skirt?例文帳に追加
スカートを乾かすのはどれくらいですか？ - 旅行・ビジネス英会話翻訳例文
IN-SITU DRY CLEAN CHAMBER FOR FRONT END OF LINE PRODUCTION例文帳に追加
ライン製造のフロントエンドのためのインサイチュドライクリーンチャンバ - 特許庁
NH_3 (nonoxide containing hydrogen element) is used as a cleaning gas, and the cleaning gas is made into plasma to dry-clean a sample (target member) 10.例文帳に追加
ＮＨ_３（水素元素を含む非酸化物）を洗浄用ガスとして、且つ、該洗浄用ガスをプラズマ化して試料（被加工体）１０をドライ洗浄する。 - 特許庁
Superior durability to repetitious laundering, dry clean cycle and mechanical wear together with long lasting diffracting effect and visual authentication property is achieved.例文帳に追加
繰り返される洗濯とドライ・クリーニングのサイクルおよび機械的な摩耗に対する優れた耐久性が、長持ちする回折効果および視覚的な認証特性とともに実現される。 - 特許庁
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Wiktionary英語版での「dry‐clean」の英訳 |
dry clean
出典:『Wiktionary』 (2025/04/11 02:01 UTC 版)
動詞
dry clean (third-person singular simple present dry cleans, present participle dry cleaning, simple past and past participle dry cleaned)
- To clean clothes or other fabrics through a process that uses solvents and specialized equipment instead of using water.
別の表記
- dryclean
- dry-clean
アナグラム
- calendry, dancerly
dry-clean
出典:『Wiktionary』 (2010/06/11 08:20 UTC 版)
アナグラム
- dancerly
dryclean
動詞
dryclean (三人称単数 現在形 drycleans, 現在分詞 drycleaning, 過去形および過去分詞形 drycleaned)
「dry‐clean」を含む例文一覧
該当件数 : 10件
A semiconductor wafer SW is placed on a wafer stage 57a in a dry cleaning chamber 57 of a film forming apparatus, a reducing gas is supplied thereto to dry-clean the major surface of the semiconductor wafer SW, and then the semiconductor wafer SW is heat treated at a first temperature of from 100 to 150°C using a shower head 57c kept at 180°C.例文帳に追加
成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ５７に備わるウエハステージ５７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド５７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。 - 特許庁
After a semiconductor wafer SW is positioned on a wafer stage 27a equipped in a dry-cleaning chamber 27 of a film forming apparatus, a reducing gas is supplied to dry-clean on the main surface of the semiconductor wafer SW, then, the semiconductor wafer SW is heat-treated at a first temperature 100-150°C by a shower head 27c kept at 180°C.例文帳に追加
成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ２７に備わるウエハステージ２７ａ上に半導体ウエハＳＷを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハＳＷの主面上をドライクリーニング処理し、続いて１８０℃に維持されたシャワーヘッド２７ｃにより半導体ウエハＳＷを１００から１５０℃の第１の温度で熱処理する。 - 特許庁
A temperature and a steam pressure of the gas supplied from a gas supply source during pressurizing or cooling an inside of a treatment chamber 24 is adjusted by a dew point adjusting means 14, and the dew point in the treatment chamber 24 is adjusted to be equal to or at least slightly lower than the dew point of the gas in a dry clean room when the gas is introduced into the chamber 24.例文帳に追加
処理室２４内を加圧又は冷却する際に気体供給源より送給される気体の温度及び蒸気圧を露点調整手段１４によって調整し、気体を室２４内に導入する時、当該処理室２４内の露点が少なくともドライ・クリーンルーム内における気体の露点と同じか少なくともそれより僅かに低い露点になるように調整する。 - 特許庁
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