embedding oxide layerとは 意味・読み方・使い方

A resist layer is formed over the exposed surface of the precursor embedding oxide film.例文帳に追加

前駆埋込み酸化膜の露出面を覆うレジスト層を形成する。 - 特許庁

A method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of embedding and forming the gate electrode 46 in the U-shaped groove 43, and embedding and forming a polysilicon layer 54 in a recess of the electrode 46 via a thin silicon oxide film 53.例文帳に追加

Ｕ字型溝４３の内部にゲート電極４６を埋め込み形成し、ゲート電極４６の凹みに薄いシリコン酸化膜５３を介してポリシリコン層５４を埋め込み形成している。 - 特許庁

The method includes a step of defining an L-shaped spacer on each side of a gate region of a substrate; and a step of embedding the L-shaped spacer in an oxide layer so that the oxide layer covers a portion of the substrate to a predetermined distance from a side edge of the L-shaped spacer.例文帳に追加

この方法は、基板のゲート領域の各側にＬ字形スペーサを画成するステップと、Ｌ字形スペーサを酸化膜に埋め込んで、酸化膜がＬ字形スペーサの側縁から所定の距離まで基板の一部を覆うようにするステップとを含む。 - 特許庁

A method for manufacturing a semiconductor device comprises steps of forming a groove for an STI having 50 to 350 nm on the SOI layer, then depositing a silicon nitride film or a silicon oxide film of 5 to 30 nm in the groove for the STI, and then embedding an SiO_2 layer.例文帳に追加

５０〜３５０ｎｍのＳＴＩ用の溝をＳＯＩ層に形成後、前記ＳＴＩ用の溝にシリコン窒化膜若しくはシリコン酸窒化膜を５〜３０ｎｍ堆積し、続けてＳｉＯ_2層を埋め込む。 - 特許庁

There is provided a semiconductor layer 6 of a convex structure composed of a self-matching lateral and vertical epitaxial semiconductor layer having a wiring layer 3 in the lower part through an oxide film 2 on a semiconductor substrate 1, and the semiconductor layer 6 of the convex structure is isolated like an island by an element isolation region embedding insulating film 4 and the oxide film 2.例文帳に追加

半導体基板1上に酸化膜2を介して、下部に配線層3を有する自己整合の横及び縦方向エピタキシャル半導体層からなる凸状構造の半導体層6が設けられ、凸状構造の半導体層6は素子分離領域埋め込み絶縁膜4及び酸化膜2により島状に絶縁分離されている。 - 特許庁

A p-type ohmic area 109 is formed by implanting p-type impurity ions such as B ion or the like into the surface of the p-type embedding layer 108 while the oxide film 103 is used as a mask, annealing at high temperature and diffusing the p-type impurities in the p-type embedding layer 108.例文帳に追加

Ｐ型オーミック領域１０９は、酸化膜１０３をマスクとして、Ｐ型埋込層１０８の表面にＢイオン等のＰ型不純物イオンを注入し、高温でアニールを行い、Ｐ型不純物をＰ型埋込層１０８内に拡散することによって形成される。 - 特許庁

To obtain a high-speed semiconductor device with a low consumption power in which a field-effect transistor is formed on a semiconductor substrate having a good quality embedding oxide film and a large distortion Si layer.例文帳に追加

良質な埋め込み酸化膜と大きな歪みＳｉ層を有する半導体基板上に電界効果トランジスタが形成され、高速かつ低消費電力の半導体装置を得る。 - 特許庁