energy bandgapとは 意味・読み方・使い方

The active layer 14 has: a gain area 31; an end face window region 33 formed in a region containing an end face of the resonator, which has larger bandgap energy compared with that of the gain area 31; and a transition region 32 formed between the between gain area 31 and the end face window region 33, the bandgap energy of which changes continuously.例文帳に追加

活性層１４は、利得領域３１と、共振器の端面を含む領域に形成され且つ利得領域３１と比べてバンドギャップエネルギーが大きい端面窓領域３３と、利得領域３１と端面窓領域３３との間に形成され且つバンドギャップエネルギーが連続的に変化する遷移領域３２とを有している。 - 特許庁

The power semiconductor device using Si as the base substance and the power semiconductor device using the semiconductor having an energy bandgap wider than the energy bandgap of Si as the base substance are mounted on different insulated metal substrates respectively, and those insulated metal substrates are mounted on different metal bases for heat dissipation respectively, so that conduction of heat between both power semiconductor devices is suppressed.例文帳に追加

Ｓｉを基体として用いる電力半導体素子とＳｉよりもエネルギーバンドギャップが広い半導体を基体として用いる電力半導体素子を、それぞれ別の絶縁金属基板に搭載し、さらにこれら絶縁金属基板がそれぞれ別の放熱用金属ベースに搭載されるので、両電力半導体素子間における熱の伝わりが抑制される。 - 特許庁

To provide a field-effect transistor using a semiconductor with a Wurtzite crystal structure capable of forming a barrier layer out of a semiconductor having a greater bandgap energy, without increasing contact resistance with an electrode.例文帳に追加

ウルツ鉱型結晶構造の半導体を用いた電界効果トランジスタで、電極との接触抵抗を高くすることなく、バンドギャップエネルギーのより大きな半導体から障壁層が構成できるようにする。 - 特許庁

The quantum dot layer 32 has a small bandgap energy, and by raising the tunnel probability in the tunnel junction 17, the low resistivity and the high output power of the VCSEL device 10 are made to be possible.例文帳に追加

量子ドット層３２は、小さなバンドギャップエネルギーを有し、トンネル接合１７内のトンネル確率を上げることにより、ＶＣＳＥＬ素子１０の低抵抗化及び高出力化を可能にする。 - 特許庁

By the method of forming the gate recess 20, UV light having energy, where a bandgap energy is equivalent to that of a prescribed semiconductor layer within the semiconductor layer, is applied from the surface of the semiconductor layer changing in a layer direction from a gate opening 19 by photoelectrochemical etching, and at the same time the semiconductor layer of prescribed bandgap energy within the semiconductor layer is etched from the gate opening of an SiN surface protection layer 17.例文帳に追加

光電気化学エッチングにより、バンドギャップエネルギーが、ゲート開口部１９から層方向に変化する半導体層の表面から前記半導体層内の所定の半導体層のバンドギャップエネルギーに相当するエネルギーを有するＵＶ光を照射しながら、ＳｉＮ表面保護層１７の前記ゲート開口部から前記半導体層内の所定のバンドギャップエネルギーの半導体層をエッチングすることを特徴とするゲートリセス２０の形成方法。 - 特許庁

Each upper panel absorbs a fraction of sunlight with solar photon energies larger than the energy bandgap thereof and transmits solar photons with photon energies less than larger solar photon energies to a remaining one of the panels lower in the hierarchy and positioned lower in the stack.例文帳に追加

各上部パネルは、そのエネルギー・バンドギャップより大きい太陽光子エネルギーを有する太陽光の部分を吸収し、より大きい太陽光子エネルギーよりも小さい光子エネルギーを有する太陽光子を、階層内で下方の積層体内で下に位置する残りのパネルの１つまで透過させる。 - 特許庁

While in the semiconductor element 1, the region between the drain electrode 11 and the source electrode 12 is conductive by generating electrons 20 and holes in the depletion region 17 under the condition that the depletion region 17 is irradiated with light having larger energy than a bandgap in the electronic transit layer 14.例文帳に追加

一方、半導体素子１は、電子走行層１４のバンドギャップよりも大きなエネルギを持つ光を空乏領域１７に受けた状態で、空乏領域１７に電子２０と正孔とが生成されることでドレイン電極１１・ソース電極１２間が導通する。 - 特許庁

To provide a new-concept ohmic contact system with excellent electrical, optical, thermal and structural features, to increase an effective carrier density, to reduce a Schottky barrier by adjusting an energy bandgap between substances, and high in permeability.例文帳に追加

実効キャリアー濃度が増加し、物質間のエネルギーバンドギャップ調節によりショットキー障壁が減少し、高い透過率を有する、優れた電気的、光学的、熱的及び構造的特性を有する新概念のオーミック接触システムを提供する。 - 特許庁