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fill typeとは 意味・読み方・使い方
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「fill type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 80件
There were some fill‐in‐the‐blanks‐type questions.発音を聞く 例文帳に追加
(試験に)穴埋め問題が出た. - 研究社 新和英中辞典
INSPECTION GALLERY IN FILL-TYPE DAM AND CONSTRUCTION METHOD OF INSPECTION GALLERY IN FILL-TYPE DAM例文帳に追加
フィルダムにおける監査廊およびフィルダムにおける監査廊の構築方法 - 特許庁
THROUGH FILL TYPE CLOSURE FOR RECEPTACLE例文帳に追加
入れ物用スルーフィル式クロージャ - 特許庁
To provide an improved type brush motor with a high slot fill factor.例文帳に追加
スロット充填ファクタの高い改良型ブラシモータを提供する。 - 特許庁
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「fill type」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 80件
UNDER-FILL MATERIAL FOR FLIP CHIP TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE AND FLIP CHIP TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材及びフリップチップ型半導体装置 - 特許庁
An n+-type layer 4 is formed to fill up the recessed part of the p-type layer 3.例文帳に追加
さらにp型層3の凹部内を埋め込むようにn^+型層4を成膜する。 - 特許庁
If you type in ., then hit Tab again, the shell would be able to fill in the rest of the filename for you.発音を聞く 例文帳に追加
ここで . を入力して Tabを押せば、 シェルはファイル名の残りの部分を補完できます。 - FreeBSD
A p-type polysilicon layer 8 is formed to fill the contact hole 6.例文帳に追加
ベース用コンタクトホール6内を埋めるように、p型ポリシリコン層8が形成されている。 - 特許庁
UNDER FILL MATERIAL FOR FLIP CHIP TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE, THE FLIP CHIP TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING THE DEVICE例文帳に追加
フリップチップ型半導体装置用アンダーフィル材、並びにそれを用いたフリップチップ型半導体装置及びその製造方法 - 特許庁
To continuously supply rice and fill water with one unit without interruption, and to supply rice and fill water while changing over to other type immersed rice with one unit without requiring a change-over time.例文帳に追加
1台で中断することなく、連続して配米注水できる装置、また1台で切り替え時間を必要とせずに他の種類の浸漬米に切り替え配米注水できる装置を提供する。 - 特許庁
Indonesia, China, and Thailand will fill the place left by Taiwan and others by moving into the 2nd quadrant, after which the Philippines will fill the space for assembly production type industries in the 3rd quadrant.例文帳に追加
台湾等が出て行った穴を埋めるようにして、インドネシア、中国、タイが第二象限へ入り、更にその後に空いた第三象限の組立型産業にフィリピンが入っている。 - 経済産業省
Low density p-type well diffusion layers (12B, 12C, for examples) are arranged so as to fill spaces between respective diffusion layers.例文帳に追加
各拡散層の間を埋めるように低濃度のP型ウェル拡散層(例えば12B,12C)を配置する。 - 特許庁
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