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formation in depthとは 意味・読み方・使い方
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「formation in depth」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
This will bring about a formation of the bottom at the gate electrode 22 that slowly terminates in a depth direction.例文帳に追加
これにより,ゲート電極22の底部が深さ方向に対してゆるやかに終端する形状となる。 - 特許庁
To facilitate formation of a relief structure different in height of projections or depth of recesses by positions.例文帳に追加
凸部の高さ又は凹部の深さが場所によって異なっているレリーフ構造の形成を容易にする。 - 特許庁
A pn junction formation of the n-type layer is diffused from the depth d1 to a depth d2 deeper than the depth d1, and forms a pn junction of a photodiode together with the p-type well in the depth d2.例文帳に追加
N型層のPN接合形成部分は深さd1から当該深さd1よりも深いd2まで拡散されており、当該PN接合形成部分は深さd2においてP型ウェルとともにフォトダイオードのPN接合を形成している。 - 特許庁
To provide a laser beam machining apparatus that facilitates formation of a recess in which the bore varies in three steps or more in the depth direction.例文帳に追加
内径が深さ方向に3段階以上変化する凹部を形成することが容易なレーザ加工装置を提供する。 - 特許庁
To provide a mold for formation of a projected part that is small in variation in depth of recessed parts, has a flat bottom of the recessed part has an almost perpendicular inclination of the side wall part of the recessed part.例文帳に追加
凹部の深さのばらつきが小さく、凹部の底が平坦で、凹部の側壁部分の傾斜が垂直に近い凸部形成用型を提供する。 - 特許庁
The discharge depth in discharge conducted in completion of the container formation is set to 1.0-4.0% of the theoretical capacity of a positive active material.例文帳に追加
電槽化成終了時に行う放電の放電深度を、正極活物質理論容量に対して1.0%ないし4.0%で放電する。 - 特許庁
To provide a multi-pattern wiring board which is improved in the accuracy of the formation position and the depth of splitting grooves.例文帳に追加
分割溝の形成位置および深さの精度を向上させた多数個取り配線基板を提供すること。 - 特許庁
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「formation in depth」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 70件
To provide a method for manufacturing a silicon substrate that enables formation of a region where p/n type inversion occurs, in a range of depth deeper than the conventional case.例文帳に追加
p/n型反転の起きる領域を従来よりより深々度範囲に形成可能とするシリコン基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
In groove processing, the depth of a groove 18 immediately after groove-processing with the groove formation means 34 is found by first measuring means 35, and data on the groove depth is output to the control means 38.例文帳に追加
溝加工に際して、溝形成手段34により溝加工を行なった直後の溝18の深さを、第1計測手段35により求めて、その溝深さデータを制御手段38へ出力する。 - 特許庁
If an MTF exceeds a predetermined threshold all over the image height in focusing, it is assumed as a situation that performance for a focus is satisfied, and a predetermined spot in image-formation depth exceeding the threshold is set as the image-formation position of the CCD 33.例文帳に追加
ピント調整では、全像高に渡って、MTFが所定の閾値を超えていればピントに対する性能を満足しているものとし、閾値を超える結像深度の所定箇所をCCD33の結像位置と設定する。 - 特許庁
To provide a method for forming a resist pattern, the method capable of responding to formation of various types of resist patterns and allowing formation of a resist pattern excellent in depth of focus, a pattern profile, resolution, CDU (critical dimension uniformity) and resistance to pattern collapse.例文帳に追加
種々のレジストパターンの形成に対応でき、焦点深度、パターン形状、解像性、CDU及びパターン倒れ耐性に優れるレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁
Since the planting hole H of the fixed depth is formed in the ground if the hole formation means 40 is vertically moved by the moving means, the whole seedlings N are planted at the fixed depth when the seedlings N are held in the planting hole H.例文帳に追加
移動手段によって穴形成手段40を上下に移動させれば、地面に所定の深さの植え付け用穴Hを形成することができるので、その植え付け用穴Hに苗Nを入れれば、全ての苗Nを所定の深さに植え付けることができる。 - 特許庁
In the correction power operation part 120, an amount of correction of irradiation power of a recording pulse is calculated by calculating an influence upon the depth β of the record exerted by formation of a mark and a space caused by correction of the recording pulse waveform, and adding the influence to the measured depth β of the record.例文帳に追加
補正パワー演算部120は、記録パルス波形の補正によるマークおよびスペースの形成が記録の深さβに及ぼす影響を算出し、測定された記録の深さβにこの影響を加算することにより、記録パルスの照射パワーの補正量を算出する。 - 特許庁
To include an impurity diffusion region having a low impurity concentration and a deep junction depth immediately below a contact in an ESD protection element, and to prevent contact penetration in an MOS transistor due to static electricity without increasing a formation area in an MOS transistor.例文帳に追加
静電保護素子においてはコンタクト直下に不純物濃度が低く接合が深い不純物拡散領域を備え、MOSトランジスタにおいては形成面積を増大させずに静電気によるコンタクト突抜けを防止する。 - 特許庁
To easily construct a structure having high impervious performance even on the ground, in which there is no impervious stratum in fixed depth, in the case of the land formation of the disposal field of waste.例文帳に追加
廃棄物の処分場を造成するに際し、所定の深度に不透水層がない地盤でも遮水性能の高い構造体を容易に築造できるようにする。 - 特許庁
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