group v elementsとは 意味・読み方・使い方

An AlN thin film 2 contains not less than 0.001% by weight and not more than 10% by weight of one or more additive elements selected from group III elements, group IV elements, and group V elements.例文帳に追加

ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。 - 特許庁

At this time, the oxide film is exposed to the gas containing the group V elements such as nitride or the like under a reduced pressure, whereby the group V elements such as nitride or the like are diffused into the oxide film, to form the gate insulating film 9 containing the more minute group V elements with a large relative dielectric constant.例文帳に追加

このとき、減圧下で、酸化膜を窒素などのＶ族元素を含むガスに暴露することにより、酸化膜内に窒素などのＶ族元素が拡散し、比誘電率の大きい，より緻密なＶ族元素を含有したゲート絶縁膜９が形成される。 - 特許庁

The material is composed of a group II-VI compound doped with a dopant, which is selected from the group of alkaline earth metals, group III A elements, group IV A elements, group V A elements, group VI A elements, and transition metals, and the mol percentage occupied by the dopant in the material is made from 0.1% to 30%.例文帳に追加

ドーパントをドープしたII−VI族化合物で組成され、該ドーパントはアルカリ土金属、III Ａ族元素、IV A族元素、ＶＡ族元素、VIＡ族元素、遷移金属（Ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎａｌ Ｍｅｔａｌ）からなる群より選択され、該ドーパントが該材料中で占めるモルパーセントは０．１％から３０％とされる。 - 特許庁

The III group elements of a III-V group nitride are displaced by at least one kind of transition metals which is selected from a group consisting of V, Cr and Mn, and a mixed crystal is formed as a result.例文帳に追加

V, Cr,またはMnよりなる群から選ばれる少なくとも１種の遷移金属がＩＩＩ-Ｖ族系窒化物のＩＩＩ族元素を置換して混晶を形成する。 - 特許庁

At least one kind of transition metal selected from the group consisting of V and Cr substitutes for the group III elements in the group III-V compounds to form mixed crystals.例文帳に追加

VまたはCrよりなる群から選ばれる少なくとも１種の遷移金属がＩＩＩ-Ｖ族系化合物のＩＩＩ族元素を置換して混晶を形成する。 - 特許庁

When growing the crystal of a semiconductor layer, the ratio of a supply amount per unit hour of each material gas of group III elements and group V elements is referred to as V/III hereafter.例文帳に追加

半導体層を結晶成長させる際に結晶成長面に供給する III族元素及びＶ族元素の各材料ガスの単位時間当たりの供給量の比のことを以下Ｖ／III 比と言う。 - 特許庁

The active layer 15 is formed on the first n-type semiconductor layer 13 and includes a III-V group compound semiconductor layer including nitrogen and arsenic as V group elements.例文帳に追加

活性層１５は、第１のｎ型半導体層１３上に設けられており、Ｖ族元素として窒素及び砒素を含むIII-V族化合物半導体層を有する。 - 特許庁

The catalyst for reducing an amide group is used, which contains ruthenium and at least one metallic element selected from the group consisting of the group V and group VI elements of the periodic table, the ruthenium and the metallic elements being carried on a carrier.例文帳に追加

ルテニウムと、周期律表第５族元素及び周期律表第６族元素からなる群より選択された少なくとも一種の金属元素とが、担体に担持されたアミド基還元用触媒を用いる。 - 特許庁