heating gateとは 意味・読み方・使い方

A gate valve 20 is opened to carry out the cell 13 and the liquid crystal 14 to the heating chamber 27 by means of a cell and liquid crystal tray carrying-out mechanism 31 and closing the gate valve 20.例文帳に追加

次にゲートバルブ２０を開けセル１３、液晶皿１４をセル液晶皿搬出機構３１で加熱室２７に搬出しゲートバルブ２０を閉じる。 - 特許庁

The gate electrode of a metal oxide field effect transistor for driving a heating element is formed of a polycide structure or a metal gate structure.例文帳に追加

本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。 - 特許庁

It is coupled with a chamber 3 for introducing a sample, a gate precleaning chamber 4, a lamp heating or electrical heating gate oxidation furnace 5, a gate deposition furnace 6 by CVD, a physical analysis chamber 7, and a gate electrode deposition furnace 8 by CVD, wherein the physical analysis chamber 7 is coupled with a spectrum analyzer 9.例文帳に追加

サンプル導入用のイントロ室３、ゲート前洗浄室４、ランプ加熱式または電気加熱式のゲート酸化炉５、化学気相蒸着法等によるゲート堆積炉６、物理分析室７、化学気相蒸着等によるゲート電極堆積室８と接続され、上記物理分析室７はスペクトル解析装置９と繋がっている。 - 特許庁

By continuously passing a molding material under a molten condition through the sprue and the gate, an old molding material existing in the heating cylinder 17, the sprue, a runner and the gate is rapidly discharged.例文帳に追加

溶融状態の成形材料がスプルー、ゲートを連続して通ることで、速やかに加熱シリンダー17、スプルー、ランナー、ゲートにある旧成形材料を速やかに排出する。 - 特許庁

It is possible to quench a resin at the gate 20 spot of a product cavity 3 by the combination of a heating insulating air layer formed by the gap 54 and liquid channels 81 and 81 for cooling near the gate 20.例文帳に追加

隙間54による断熱空気層とゲート20近傍の冷却用液体通路81，81との組み合わせにより、製品キャビティ３のゲート20箇所の樹脂の急冷が可能なる。 - 特許庁

The pair of gate rollers 22 comprise a halogen heater 41 in a lower roller 40 for heating the paper sheet P by contacting the paper sheet P.例文帳に追加

ゲートローラ対２２は、用紙Ｐに接触することで用紙Ｐを加熱するハロゲンヒータ４１を下ローラ４０に備える。 - 特許庁

Heat energy is transferred to an amorphous silicon layer 106 by rapidly heating a gate metal and a source/drain metal 110.例文帳に追加

ゲート金属およびソース／ドレイン金属１１０を急速に加熱して、熱エネルギーをアモルファスシリコン層１０６へ伝達する。 - 特許庁

A pass transistor is coupled with the gate electrode, is positioned adjacently to the gate electrode of a transistor for heating thin film, and has source and drain regions in the same semiconductor substrate.例文帳に追加

パストランジスタがゲート電極へ結合されており、該パストランジスタは薄膜加熱用トランジスタのゲート電極に隣接して位置され同一の半導体基板内にソース／ドレイン領域を有している。 - 特許庁