「heating gate」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, the film 20 in the groove 18 is cured actually by heating whereby the desired gate wiring 2 is obtained.例文帳に追加

加熱により溝１８内の膜２０を本硬化させ所望のゲート配線２を得る - 特許庁

The gate heater 30 is constituted of the heater main body 31 fixed to either one of the molds to form at least a part of the gate G and the runner R between both molds and a heating element 34 heating the vicinity of the gate of the heater main body.例文帳に追加

ゲート加熱装置は、金型の何れか一方に固定されて他方の金型との間にゲートとランナの少なくとも一部を形成するヒータ本体３１と、このヒータ本体のゲート付近を加熱する加熱要素３４により構成されている。 - 特許庁

A gate valve 20 is opened to carry out the cell 13 and the liquid crystal 14 to the heating chamber 27 by means of a cell and liquid crystal tray carrying-out mechanism 31 and closing the gate valve 20.例文帳に追加

次にゲートバルブ２０を開けセル１３、液晶皿１４をセル液晶皿搬出機構３１で加熱室２７に搬出しゲートバルブ２０を閉じる。 - 特許庁

The gate electrode of a metal oxide field effect transistor for driving a heating element is formed of a polycide structure or a metal gate structure.例文帳に追加

本発明は、発熱素子を駆動する金属酸化物電界効果型トランジスタのゲート電極をポリサイド構造又はメタルゲート構造により形成する。 - 特許庁

It is coupled with a chamber 3 for introducing a sample, a gate precleaning chamber 4, a lamp heating or electrical heating gate oxidation furnace 5, a gate deposition furnace 6 by CVD, a physical analysis chamber 7, and a gate electrode deposition furnace 8 by CVD, wherein the physical analysis chamber 7 is coupled with a spectrum analyzer 9.例文帳に追加

サンプル導入用のイントロ室３、ゲート前洗浄室４、ランプ加熱式または電気加熱式のゲート酸化炉５、化学気相蒸着法等によるゲート堆積炉６、物理分析室７、化学気相蒸着等によるゲート電極堆積室８と接続され、上記物理分析室７はスペクトル解析装置９と繋がっている。 - 特許庁

By continuously passing a molding material under a molten condition through the sprue and the gate, an old molding material existing in the heating cylinder 17, the sprue, a runner and the gate is rapidly discharged.例文帳に追加

溶融状態の成形材料がスプルー、ゲートを連続して通ることで、速やかに加熱シリンダー17、スプルー、ランナー、ゲートにある旧成形材料を速やかに排出する。 - 特許庁

It is possible to quench a resin at the gate 20 spot of a product cavity 3 by the combination of a heating insulating air layer formed by the gap 54 and liquid channels 81 and 81 for cooling near the gate 20.例文帳に追加

隙間54による断熱空気層とゲート20近傍の冷却用液体通路81，81との組み合わせにより、製品キャビティ３のゲート20箇所の樹脂の急冷が可能なる。 - 特許庁

The pair of gate rollers 22 comprise a halogen heater 41 in a lower roller 40 for heating the paper sheet P by contacting the paper sheet P.例文帳に追加

ゲートローラ対２２は、用紙Ｐに接触することで用紙Ｐを加熱するハロゲンヒータ４１を下ローラ４０に備える。 - 特許庁

Heat energy is transferred to an amorphous silicon layer 106 by rapidly heating a gate metal and a source/drain metal 110.例文帳に追加

ゲート金属およびソース／ドレイン金属１１０を急速に加熱して、熱エネルギーをアモルファスシリコン層１０６へ伝達する。 - 特許庁

A pass transistor is coupled with the gate electrode, is positioned adjacently to the gate electrode of a transistor for heating thin film, and has source and drain regions in the same semiconductor substrate.例文帳に追加

パストランジスタがゲート電極へ結合されており、該パストランジスタは薄膜加熱用トランジスタのゲート電極に隣接して位置され同一の半導体基板内にソース／ドレイン領域を有している。 - 特許庁

In the molding sand heating-reconditioning furnace 1 provided with a heat source part 3 and a furnace body 2, a gate 4 for laying the molding sand 91 is provided.例文帳に追加

熱源部３と、炉体２と、を具備する鋳物砂加熱再生炉１において、鋳物砂９１をのせるロストル４を備える。 - 特許庁

The heat shielding machine is characterized by shielding heat transfer to a gate vale by circulating cooling medium in the inside of a lid insertably/removably arranged between the gate valve arranged in a taking out opening of a heating furnace and a heating container part.例文帳に追加

本発明は、加熱炉の取り出し口に設けられたゲートバルブと加熱容器部の間に挿抜可能に配置される蓋であって、前記蓋内部に冷却媒体を循環させ、前記ゲートバルブへの熱伝達を遮蔽することを特徴とする熱遮断機の構成とした。 - 特許庁

The metallic material is started to heat with a heating means to open a gate-cut part, and after the temperature of the gate-cut part in one nozzle reaches a prescribed temperature for opening the gate-cut part, this temperature is kept until the gate-cut parts in the whole other nozzles reach the prescribed temperature.例文帳に追加

ゲートカット部を開口するために前記加熱手段によって金属材料の加熱を開始し、一のノズルの前記ゲートカット部の温度が前記ゲートカット部を開口する所定の温度まで達した後に、他の前記ノズルの前記ゲートカット部の全てが前記所定の温度に達するまでその温度を保持させる。 - 特許庁

Between the terminals 5 and 6 for conduction, current flows via wiring 11, and an external power supply for heating the gate insulating film and the semiconductor layer 2 adjacent to the gate electrode 1 is provided.例文帳に追加

これら通電用端子５、６間に、配線１１を介して電流を通してゲート電極１に隣接するゲート絶縁膜及び半導体層２を加熱する外部電源が設けられている。 - 特許庁

To enhance the heating efficiency due to a heater and to reduce the radiation quantity from a valve gate housing while achieving energy saving.例文帳に追加

ヒータによる加熱効率が向上する上に、バルブゲートハウジングからの放熱量も小さく、省エネルギー化を図れるバルブゲートを提供する。 - 特許庁

A resin molten under heating is injected in the mold through a gate and a runner and a molded object is taken out after cooling.例文帳に追加

この金型にゲート及びランナーを通して加熱溶融させた樹脂である溶湯を射出し、冷却後成形体を取り出すのである。 - 特許庁

In such a way, a gate insulating film and a semiconductor layer are continuously formed in a low-temperature deposition process and a heat treatment subsequent to the formation of the gate insulating film and the semiconductor layer is substituted for the first heating treatment at the time of the above crystal growth to contrive a reduction in defects in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

こうして、ゲート絶縁膜と半導体層とを低温デポ工程で連続的に形成し、ゲート絶縁膜/半導体層形成後の熱処理を上記結晶成長時の第１の加熱処理で代行させ、界面欠陥の低減を図る。 - 特許庁

A process of manufacturing a semiconductor device having the gate electrode made of metal silicide which is a metal-containing material or metal alone includes steps of: etching the gate electrode 14G, thereafter oxidizing a surface of a gate part; and trimming the gate electrode 14G by exposing the gate part to a gaseous substance containing organic acid and heating it to volatilize a reaction product of the metal and the organic acid.例文帳に追加

金属を含む材料である金属シリサイド或いは金属単体から成るゲート電極をもつ半導体装置を作製する工程に於いて、ゲート電極１４Ｇのエッチング後にゲート部の表面を酸化させ、ゲート部を有機酸を含むガス状物質に曝露すると共に加熱して金属と有機酸との反応生成物を揮発させてゲート電極１４Ｇのトリミングを行う。 - 特許庁

When heating the back of the wafer 26 to activate an impurity, the laser irradiation 44 at a lowered heating temperature is carried out for an unit of FET structure 40 whose gate threshold voltage is low, and the laser irradiation 54 at an elevated temperature is carried out for an unit of FET structure 50 whose gate threshold voltage is high.例文帳に追加

ウェーハ２６の裏面を加熱して不純物活性化を行う際に、ゲート閾値電圧が低い単位ＦＥＴ構造４０では加熱温度を下げたレーザ照射４４を実行し、ゲート閾値電圧が高い単位ＦＥＴ構造５０では加熱温度を上げたレーザ照射５４を実行する。 - 特許庁

A valve device 11 has a valve casing 12 having a material passage 15 formed therein and provided with a band heater 16 being a heating means for heating the material passage 15 and a. valve pin 25 for opening and closing the gate 14 and a spiral guide groove 51 is formed to the material passage 43 on the side of the gate 14 communicating with the material passage 15.例文帳に追加

バルブ装置11は、材料通路15を内部に形成するとともにこの材料通路15を加熱する加熱手段たるバンドヒータ16を設けたバルブケーシング12と、ゲート14を開閉するバルブピン25とを有し、材料通路15と連通するゲート側材料通路43に螺旋状案内溝51を形成する。 - 特許庁

Then, a silicon oxide film 40 is formed so that the gate electrode 14 can be covered under the temperature conditions of a temperature(about 550°C) or less in which the gate electrode 14 is recrystallized, and heating treatment at about 1000°C is carried out.例文帳に追加

そして、ゲート電極１４が再結晶化する温度（約５５０℃）以下の温度条件でゲート電極１４を覆うようにシリコン酸化膜４０を形成し、その後１０００℃程度の加熱処理を行う。 - 特許庁

A silicon oxide film 40 is formed so that the gate electrode 14 can be covered in the temperature condition below a temperature (about 550°C) at which the gate electrode 14 is recrystallized, and thereafter a heating treatment at about 1,000°C is carried out.例文帳に追加

そして、ゲート電極１４が再結晶化する温度（約５５０℃）以下の温度条件でゲート電極１４を覆うようにシリコン酸化膜４０を形成し、その後１０００℃程度の加熱処理を行う。 - 特許庁

An insulation layer capable of discharging oxygen by heating is formed in contact with an oxide semiconductor layer, and by applying light on a gate electrode or a metal layer formed in a region overlapping the gate electrode, oxygen is added in the oxide semiconductor layer in the region overlapping the gate electrode.例文帳に追加

酸化物半導体層に接して、加熱により酸素の放出が可能な絶縁膜を形成し、ゲート電極又はゲート電極と重なる領域に形成された金属層に光照射を行うことで、ゲート電極と重なる領域の酸化物半導体層中に酸素を添加する。 - 特許庁

The apparatus for heating and cooling the mold for resin encapsulation molding comprises: cooling means 64, 104 disposed on the upper mold 6 and lower mold 10; and a gate nozzle 15 provided with a cooling means in the upper mold 6.例文帳に追加

上型６と下型１０に冷却手段64、104を備えると共に、上型６内に冷却手段を備えたゲートノズル１５を配設する。 - 特許庁

The heating coil body is disposed in a mold, fused resin is injection-molded in a cavity through a gate so as to provide an electric fusion joint.例文帳に追加

金型内に上記電熱コイル体を配設し、ゲートを通して溶融樹脂をキャビティ内に射出成形することにより電気融着継手を得る。 - 特許庁

Since the Si layer 10 below the gate electrode 23 is connected to the Si substrate 1, the self-heating effect can be reduced, compared to an SON transistor.例文帳に追加

ゲート電極２３下のＳｉ層１０がＳｉ基板１とつながっているので、ＳＯＮトランジスタと比べて、セルフヒート効果を低減することが可能である。 - 特許庁

The mold assembly has a common nozzle housing 39, a plurality of nozzles 41 disposed within the nozzle housing 39 and formed of a nozzle gate 56 at the front end part thereof, a valve pin disposed to be extended into each nozzle 41 and opening and closing the nozzle gate 56, a heating part disposed on each nozzle 41 in common and heating each nozzle 41.例文帳に追加

共通のノズルハウジング３９と、該ノズルハウジング３９に配設され、前端部にノズルゲート５６が形成された複数のノズル４１と、該各ノズル４１内に延在させて配設され、前記ノズルゲート５６を開閉するバルブピンと、前記各ノズル４１に共通に配設され、各ノズル４１を加熱する加熱部とを有する。 - 特許庁

The method further comprises the steps of irradiating a laser beam above or below a substrate (semiconductor substrate) in which the semiconductor film is formed to heat a gate electrode, and heating the impurity region to be superposed with a part of the gate electrode by its heat.例文帳に追加

そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。 - 特許庁

The valve gate 24 is structured of a valve pin 25 which penetrates the first mold part 4 and the manifold 10 and opens/closes the gate 7, a sealing member 27 for sealing a through part for the valve pin 25 of the manifold 10 and a heater 29 for heating the manifold 10.例文帳に追加

バルブゲート２４は、第１の金型４及びマニホールド１０を貫通してゲート７を開閉するバルブピン２５と、マニホールド１０のバルブピン２５の貫通部をシールするシール部材２７と、マニホールド１０を加熱するヒータ２９とからなる。 - 特許庁

In channel portion heating processing, a gate voltage equal to a gate voltage of another MOSFET is supplied to a gate of an MOSFET 1 so as to perform a power cycle test simultaneously on a plurality of MOSFETs 1, thereby shortening a test time in comparison with the prior arts.例文帳に追加

本発明では、チャネル部発熱処理において、他のＭＯＳＦＥＴのゲートに供給される電圧と同一のゲート電圧をＭＯＳＦＥＴ１のゲートに供給することにより、複数のＭＯＳＦＥＴ１に対して同時にパワーサイクル試験を行うため、従来に比べて試験時間を短縮することができる。 - 特許庁

Then, the temperature inside the furnace which is preferably under 800-900°C is raised to 850°C, and the silicon substrate, where a gate insulating film is made is taken out of the heating diffusion furnace (period T4).例文帳に追加

その後、８００〜９００℃が望ましい炉内温度を８５０℃に上げて、ゲート絶縁膜が形成されたシリコン基板を加熱拡散炉から取り出す（期間Ｔ４）。 - 特許庁

To assure extended condition where a protection capability of an insulated gate semiconductor device with built-in protection circuit works, improved heating shutoff, prevented malfunction, and improved usability.例文帳に追加

保護回路内蔵絶縁ゲート型半導体装置の保護機能が働く条件の拡大と加熱遮断の向上と誤動作防止と使い勝手の向上を図る。 - 特許庁

FETs 51, 52 are respectively gate controlled by the driving circuits (1), (2), that are controlled by the frequency control circuit 7f and connect and disconnect the Vin input to each induction heating inverter.例文帳に追加

ＦＥＴ５_１，５_２はそれぞれ、周波数制御回路７ｆにより制御される駆動回路(1)，(2)を介してゲート制御され各誘導加熱インバータへのVin入力を断続する。 - 特許庁

The sand mold 20 after the shielding of the pouring gate is cooled until the molten metal 58 is solidified while the molten metal is supplied by heating the feeding head sleeve 26 with the high frequency coil 40.例文帳に追加

湯口遮断後の砂型２０は、高周波コイル４０で押湯スリーブ２６を加熱して溶湯の補給を行いながら、溶湯５８が凝固するまで冷却される。 - 特許庁

The heating mechanism 20 is composed of a heating part 21 at a front surface side mounted at a hand 17a of one six axis articulated robot 17 arranged on a gate shaped carriage 14 moving along the metal plate mounting part 2 and a heating part 22 at a rear surface side mounted at a hand 18a of the other six axis articulated robot 18.例文帳に追加

加熱機構２０は、金属板載置部２に沿って移動する門型台車１４上に設けた一方の６軸多関節ロボット１７のハンド１７ａに装着した表面側加熱部２１と、他方の６軸多関節ロボット１８のハンド１８ａに装着した裏面側加熱部２２とから成っている。 - 特許庁

This method of manufacturing the silicon carbide semiconductor device includes a gate insulating film forming process forming the gate insulating film constituted by silicon dioxide on the silicon carbide layer, and a nitriding process heating the silicon carbide layer on which the gate insulating film is formed in a gas containing nitrogen monoxide or dinitrogen monoxide and trans-1,2-difluoroethylene after the gate insulating film forming process.例文帳に追加

この発明に係る炭化珪素半導体装置の製造方法は、炭化珪素層上に接して二酸化珪素で構成されるゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、前記ゲート絶縁膜形成工程後に、一酸化窒素または一酸化二窒素とトランス−１，２−ジハロゲノエチレンとを含有するガス中で前記ゲート絶縁膜が形成された前記炭化珪素層を加熱処理する窒化工程とを備える。 - 特許庁

To enhance the quality of a recording image by letting fly uniform liquid droplets from each heating resistor by forming a gate electrode and the heating resistor from polycrystal Si at the same time and suppressing the voltage drop in a power supply wiring.例文帳に追加

ゲート電極と発熱抵抗体とを多結晶Ｓｉで同時に形成すると共に、電源配線での電圧降下を抑制し、各発熱抵抗体から均一な液滴を飛翔させ、記録画像の画質の向上を図った液体噴射記録装置を提供する。 - 特許庁

The heating element 32 is supplied with a high frequency AC current by a pulse generator 45 generating a high frequency pulse signal, and an AND gate circuit 44 determining the logical product of a strobe signal designating heat generation of the heating element 32 and the high frequency pulse signal.例文帳に追加

発熱素子３２には、高周波パルス信号を発生するパルス発生器４５と、発熱素子３２の発熱を指示するストローブ信号と高周波パルス信号との論理積を求めるＡＮＤゲート回路４４とにより、高周波の交流電流が流される。 - 特許庁

Thereby, a drain contact part is distant from a heating part A of a region REgd2 between the gate and the drain that is low in withstand voltage and is formed into a structure having a small area (or without expanding).例文帳に追加

このため、耐圧が低いゲート・ドレイン間領域ＲＥｇｄ２の加熱部分Ａからドレインコンタクト部が遠いが、面積は小さく（または拡大しない）構造となっている。 - 特許庁

Accordingly, a semiconductor and a gate insulation film of the thin film transistor are heated up to about 700°C, but the heating temperature of the substrate rises to about 400°C, protecting the substrate from damage.例文帳に追加

そうすると、薄膜トランジスタの半導体及びゲート絶縁膜は約７００度に加熱されるが、基板の温度は約４００度となり、基板の損傷を防止することができる。 - 特許庁

The injection unit is constituted so as to fill the cavity with the molten material to continuously apply pressure to the molten material for a predetermined dwelling time and a gate heater 30 for heating the vicinity of the gate just after the cavity is filled with the molten material is provided to either one of both molds.例文帳に追加

射出機はキャビティ内に溶融材料を充填した後に所定の保圧時間だけ所定の圧力を加え続けるものとし、両金型の何れか一方には溶融材料の充填の直後にゲート付近を加熱するゲート加熱装置３０を備えている。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic thin film transistor element comprises steps of forming a gate electrode and a gate insulating film on a surface of a substrate, forming on the gate insulating film a layer comprising a precursor of acenes which has at least one radial that can be separated by protonation, and converting the precursor of acenes to acenes by heating the layer to obtain the organic semiconductor layer.例文帳に追加

基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

The molten material is prevented from being sucked by solidifying the material by a temperature control of a gate part 20a of a hot nozzle 19 formed at the top of a heating cylinder 11 of the injection molding apparatus 10.例文帳に追加

射出装置１０の加熱筒１１の先端に形成されるホットノズル１９のゲート部２０ａを温度制御することにより、材料を固化させて、溶融材料の吸い込みを防止する。 - 特許庁

A drive element 21 or a logic circuit part 44 is formed on an Si substrate becoming a heater substrate 3 and, at this time, a heating resistor part 31 is formed from polycrystal Si along with a gate electrode.例文帳に追加

ヒーター基板３となるＳｉ基板上に駆動素子２１やロジック回路部４４を形成し、その際にこれらのゲート電極とともに発熱抵抗体部３１を多結晶Ｓｉにて形成する。 - 特許庁

The heat-treatment device for a runnerless molding machine for a thermosetting resin, rubber or the like comprises arranging a heating means within the valve pin 14 which heats the fluid raw material to its curing temperature, during the process the valve pin is closing the gate, or when the pin has closed the gate at the time of the closure in injection molding.例文帳に追加

熱硬化性樹脂およびゴムなどのランナーレス成形装置において、バルブピン１４に加熱手段を内蔵させて、射出成形の閉型時のバルブピンがゲートを閉じる過程ないし閉じた時に加熱して流動原料の成形硬化温度まで上昇させるようにして成ることを特徴とする熱処理装置。 - 特許庁