hetero-interfaceとは 意味・読み方・使い方

To provide a nitride semiconductor structure having a flat plane or a hetero interface at an atomic level.例文帳に追加

原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。 - 特許庁

To suppress an increase in a parasitic resistance in a hetero interface of a field effect transistor having a hetero-junction so as to improve transistor characteristics such as high-frequency characteristics.例文帳に追加

ヘテロ接合を有する電界効果トランジスタにおいて、ヘテロ界面における寄生抵抗の増大を抑制し、それによって高周波特性等のトランジスタ特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which a leak current is not generated in a hetero-junction interface of SiGe/Si, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＳｉＧｅ／Ｓｉヘテロ接合界面に漏れ電流を生じない半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer for an HBT (Hetero junction Bipolar Transistor) having an emitter-base interface of low density at the level of a recombination center.例文帳に追加

再結合中心となる準位の濃度が小さいエミッタ・ベース界面を有するＨＢＴ用エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

In the high-frequency module, a channel layer for running a channel has a hetero junction made of at least two types of hetero materials, and an MMIC having a field effect transistor where the height of the potential barrier of the interface of the hetero material is less than 0.22 eV is mounted.例文帳に追加

本願発明は、キャリアを走行させるチャネル層が２種類以上の異種材料のヘテロ接合を有して構成され、かつ、該異種材料の界面のポテンシャル障壁の高さが、０.２２ｅＶ未満である電界効果トランジスタを有するＭＭＩＣを搭載した高周波用モジュールである。 - 特許庁

To improve the characteristics of a bipolar transistor element by reducing the deterioration of the surface of a base layer while hetero interface growth is interrupted.例文帳に追加

ヘテロ界面成長中断過程におけるベース層表面の劣化を低減させ、バイポーラトランジスタ素子の特性の改善を図ること。 - 特許庁

In a simulation method of a semiconductor device containing a hetero interface in an information processing apparatus, a carrier current density in a vertical direction to the hetero interface in the vicinity of the hetero interface is calculated by weight-averaging a carrier current density represented based on a drift diffusion equation and a carrier current density represented based on a thermoelectronic emission condition or a thermoelectronic/field emission condition (S04, S05).例文帳に追加

情報処理装置におけるヘテロ界面を含む半導体デバイスのシミュレーション方法であり、ヘテロ界面近傍において、当該ヘテロ界面に垂直な方向のキャリア電流密度を、ドリフト拡散方程式に基づいて表されるキャリア電流密度と熱電子放出条件又は熱電子・電界放出条件に基づいて表されるキャリア電流密度とを加重平均したものとして演算する（Ｓ０４，Ｓ０５）。 - 特許庁

To improve conductivity by making current easy to flow across a hetero interface in a semiconductor device or a semiconductor light-emitting element containing the hetero interface where two nitride III-V compound semiconductor layers different from each other are in contact with each other and a band discontinuity exists.例文帳に追加

互いに異なる二つの窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が接し、バンド不連続が存在するヘテロ界面を有する半導体装置または半導体発光素子において、ヘテロ界面を横切って電流が流れやすくし、伝導性の向上を図る。 - 特許庁