high-performance MOSとは 意味・読み方・使い方

To provide a chip set of high performance and a high added value about the chip set of a MOS type imaging chip and a DSP chip to be used for a digital camera etc.例文帳に追加

デジタルカメラ等に使用されるＭＯＳ型撮像チップとＤＳＰチップのチップセットに関するもので、高性能で高付加価値なチップセットを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has a high performance MOS transistor formed by using a damascene gate process, and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ダマシンゲートプロセスを用いて特性の高いＭＯＳトランジスタを形成半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a high-performance, long-life MOS semiconductor having a gate oxide film of desired thickness at a desired position.例文帳に追加

所望の位置に所望の厚さのゲート酸化膜を有する、高性能かつ長寿命のＭＯＳ型半導体を提供すること。 - 特許庁

To provide a high performance semiconductor device for enhancing the driving power of an MOS-FET, and to provide its fabrication process.例文帳に追加

ＭＯＳ−ＦＥＴの駆動力を向上させる高性能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which can fabricate high-performance MOS transistors as for a manufacturing method for a semiconductor device incorporating MOS transistors.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳトランジスタを備えた半導体装置の製造方法に関し、高性能なＭＯＳトランジスタを形成できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a MOS (Metal-Oxide-Silicon) semiconductor memory device having excellent data storage characteristics, high-speed data rewriting performance, low-power consumption operation performance and high reliability at the same time.例文帳に追加

優れたデータ保持特性と、高速でのデータ書換え性能と、低消費電力での動作性能と、高い信頼性と、を同時に兼ね備えた不揮発性ＭＯＳ型半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To further improve driving performance without increasing an element area in a high driving performance lateral MOS capable of increasing the gate width per unit area, by horizontally forming a plurality of trenches with respect to a gate length direction.例文帳に追加

ゲート長方向に対し水平に複数本のトレンチを形成することにより単位面積当たりのゲート幅を増大させる高駆動能力横型MOSにおいて、素子面積を増加させずに更に駆動能力を向上させる。 - 特許庁

To further improve driving performance without increasing an element area in a high driving performance lateral MOS capable of increasing the gate width per unit area by forming multiple trenches horizontally with respect to a gate length direction.例文帳に追加

ゲート長方向に対し水平に複数本のトレンチを形成することにより単位面積当たりのゲート幅を増大させる高駆動能力横型MOSにおいて、素子面積を増加させずに更に駆動能力を向上させる。 - 特許庁