hole diffusion lengthとは 意味・読み方・使い方

The bulk semiconductor material includes a minority charge carrier diffusion length property configured to substantially match a predetermined hole diffusion length value and a thickness configured to substantially match a predetermined photodiode layer thickness.例文帳に追加

バルク半導体材料は、予め決められた正孔拡散距離値に実質的に一致するように構成されている少数電荷担体拡散距離特性と、予め決められたフォトダイオード層厚に実質的に一致するように構成されている厚みとを含んでいる。 - 特許庁

Thus, a position of the through hole between the laminated electrodes is optimized, and thereby, a migration length of the lithium ion is reduced, so that a diffusion velocity thereof can be controlled.例文帳に追加

このように、積層する電極間の貫通孔の位置を最適化したことにより、リチウムイオンの移動距離を短くして拡散速度をコントロールすることが可能となる。 - 特許庁

The shortest distance Lnch from a pn junction interface between the n^- region 1 and the p^+ region 2 to the joint between the wiring layer 11 and the n^- region 1 is shorter than the diffusion length Lp of a hole in the n^- region 1.例文帳に追加

ｎ^-領域１とｐ^+領域２とのｐｎ接合界面と配線層１１およびｎ^-領域１の接合部との最短距離Ｌｎｃｈが、ｎ^-領域１における正孔の拡散長Ｌｐよりも短い。 - 特許庁

Any link part 34d at the rear end side including the extra length is detachably locked by the base-side locking metal fitting 44 of the base 36 of the air diffusion hole member 7 (or the anchor-side locking metal fitting 46 of the anchor 33) by the locking tool 44 (or 47).例文帳に追加

余長を含む後端側のいずれかのリンク部３４ｄは、散気孔部材７の基台３６の基台側係止金具４４（若しくはアンカー３３のアンカー側係止金具４６に、係止具４４（若しくは４７）で着脱可能に係止されている。 - 特許庁

To improve electron and hole mobilities in a channel party by employing a distorted Si/SiGe structure (or distorted Si/SiGeC structure), to keep the crystallinity of such a heterostructure in a proper condition, to prevent shortening of an effective channel length and diffusion of a Ge, and to reduce the resistance of the source layer and chain layer.例文帳に追加

歪Ｓｉ／ＳｉＧｅ構造（または歪Ｓｉ／ＳｉＧｅＣ構造）を採用してチャネル部分の電子移動度または正孔移動度の向上を行うと共に、かかるヘテロ構造の結晶性を良好な状態に保ち、実効チャネル長の短縮を防ぎ、Ｇｅの拡散を防ぐと共に、ソース層およびドレイン層の抵抗を低くする。 - 特許庁