indium-containing compoundとは 意味・読み方・使い方

A mixture of a compound containing indium and oxygen and a compound containing tin and oxygen, or a compound containing indium, tin and oxygen is used as the raw material, and, a d.c. pulse current is supplied thereto under pressure, and the raw material is electrically sintered.例文帳に追加

インジウム及び酸素を含有する化合物と錫及び酸素を含有する化合物の混合物、又はインジウム、錫及び酸素を含有する化合物を原料として用い、加圧下で直流パルス電流を通電して通電焼結させることを特徴とするインジウム−錫酸化物焼結体の製造方法。 - 特許庁

The method for growing an indium nitride-containing semiconductor layer comprises the steps of: forming indium hydride by causing hydrogen atoms resulting from the decomposition by plasma to react with an indium source including indium metal or indium-containing compound; forming nitrogen atoms by decomposing nitrogen with plasma; and forming an indium nitride-containing semiconductor layer on a substrate by causing the indium hydride and the nitrogen atoms to react with each other.例文帳に追加

本発明のＩｎＮを含む半導体層の成膜方法は、プラズマで分解された水素原子と、Ｉｎ金属またはＩｎを含む化合物からなるＩｎ源とを反応させることによってＩｎ水素化物を形成するステップと、プラズマで窒素を分解することによって原子状窒素を形成するステップと、Ｉｎ水素化物と原子状窒素とを反応させることによって、基板上にＩｎＮを含む半導体層を形成するステップとを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The method for condensating the blast treatment material containing an indium oxide compound includes a process in which the ratio of the indium oxide compound in processing the blast is increased by calcinating the blast treatment material containing the indium oxide compound and vegetable blast material, and firing the blast material.例文帳に追加

酸化インジウム系化合物を含むブラスト処理物を濃縮する方法であって、酸化インジウム系化合物と植物系ブラスト材とを含むブラスト処理物を焼成することによって、前記ブラスト材を燃焼し、ブラスト処理物中の酸化インジウム系化合物の比率を高める工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

A barrier layer 29 is formed of a first group III-V compound semiconductor containing aluminum, gallium, indium, and arsenic.例文帳に追加

バリア層２９は、アルミニウム、ガリウム、インジウムおよびヒ素を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体から成る。 - 特許庁

The metal oxide layer 11 is preferably constituted of a compound oxide containing, for example, indium and tin.例文帳に追加

金属酸化物層１１は、例えばインジウムとスズとを含む複合酸化物により構成されることが好ましい。 - 特許庁

In the method of producing the indium based oxide fine particles, the pH of an indium hydroxide dispersed solution or a tin and/or fluorine compound- containing indium hydroxide dispersed solution (hereinafter referred to as an indium based hydroxide dispersed solution) is adjusted to 7 to 10 in the case that the concentration of the dispersed solution is 4 wt.% expressed in terms of oxide, and, after that, heat-treatment is performed.例文帳に追加

インジウム水酸化物分散液、あるいは錫および／またはフッ素化合物を含むインジウム水酸化物分散液（以後、インジウム系水酸化物分散液という）のｐＨを、該分散液の濃度が酸化物として４重量％の場合に、７〜１０に調整したのち、加熱処理する前記インジウム系酸化物微粒子の製造方法。 - 特許庁

When a gallium nitride semiconductor containing at least indium is produced by organo-metallic CVD system, contamination of organic metal compound is reduced by employing nitrogen as a carrier gas for gasifying the organic metal compound of an indium source and employing hydrogen for the organic metal compound other than indium source.例文帳に追加

有機金属気相成長法により、少なくともインジウムを含む窒化ガリウム系化合物半導体を製造するに際して、有機金属化合物の気化に用いるキャリアガスをインジウム源の有機金属化合物では窒素とし、インジウム源以外の有機金属化合物では水素とすることによって、有機金属化合物の汚染を低減する。 - 特許庁

(1) This composition for forming the transparent conductive film contains water-soluble indium compound, water-soluble organic tin compound containing halogen and water-soluble organic high molecular compound.例文帳に追加

▲１▼水溶性インジウム化合物と、ハロゲンを含む水溶性有機スズ化合物と、水溶性有機高分子化合物とを含む透明導電膜形成用組成物。 - 特許庁