indium diffusionとは 意味・読み方・使い方

Two kinds of p-type impurities of boron having higher solid solubility with respect to silicon, and indium having lower solid solubility with respect to silicon, are diffused into a body region 10 while the ratio of concentration of indium in a site near the source diffusion layer 12a of the body region 10 is specified so as to be higher than that in the other sites.例文帳に追加

シリコンに対する固溶限度のより高いボロンとより低いインジウムとの２つのＰ型不純物をボディ領域１０に拡散するとともに、そのボディ領域１０のソース拡散層１２ａ近傍の部位におけるインジウムの濃度比を該ボディ領域１０の他の部位に比して高くする。 - 特許庁

The laminated structure includes: a backing plate; an impurity diffusion-preventive layer which comprises a thin film composed of at least one metal selected from Fe, W, Ta, Te, Nb, Mo, S and Si, and is formed of the backing plate; and an indium target formed on the impurity diffusion-preventive layer.例文帳に追加

積層構造体は、バッキングプレート、バッキングプレート上に形成されたＦｅ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｅ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｓ及びＳｉから選択された１種類以上の金属で構成された薄膜からなる不純物拡散防止層、及び、不純物拡散防止層上に形成されたインジウムターゲットを備える。 - 特許庁

The aluminum nitride layer 6 is formed, in such a thickness, as to delay the time for starting the diffusion of gallium and indium from the reaction source supplying layer 7.例文帳に追加

そして、窒化アルミニウム層６は、反応源供給層７から拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている。 - 特許庁

This glass article characterized by forming a metal ion diffusion- preventing film 2 consists mainly of indium oxide and/or tin oxide on the surface of an alkali-containing glass substrate 1.例文帳に追加

アルカリ含有ガラス基板１の表面に、酸化インジウム及び／又は酸化スズを主成分とする金属イオン拡散防止膜２を形成してなるガラス物品。 - 特許庁

The aluminum nitride layer 7 is formed with such a thickness as can retard the timing for starting diffusion of gallium and indium from the reaction source supply layer 8 to the silicon substrate 5.例文帳に追加

そして、窒化アルミニウム層７は、反応源供給層８からシリコン基板５に拡散されるガリウム及びインジウムの拡散開始時期を遅延可能な厚さに形成されている。 - 特許庁

The CMOS (complementary metal-oxide semiconductor) image sensor comprises an active unit pixel including an indium-doping layer located at a lower part of a transmission gate that transmits electric charge between a light receiving element and a floating diffusion area.例文帳に追加

ＣＭＯＳイメージセンサーは、受光素子とフローティング拡散領域との間で電荷を伝送する伝送ゲート下部に位置したインジウムドーピング層を含むアクティブ単位ピクセルを含む。 - 特許庁

To provide an aluminum alloy thin film which has an electrode potential equal to that of an ITO (indium-tin-oxide) film, has no diffusion of silicon, has low specific resistance, and has excellent heat resistance.例文帳に追加

ＩＴＯ膜と同程度の電極電位を有し、シリコンが拡散することなく、比抵抗が低く、耐熱性に優れたアルミニウム合金薄膜を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a light-emitting diode, a light-emitting device, and a method of manufacturing the same that increases the efficiency of current diffusion for an indium tin oxide (ITO) layer and improves luminance and light-emitting performance.例文帳に追加

ＩＴＯ層に対する電流拡散の効率を高め、輝度及び発光性能を向上させた発光ダイオード、発光装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁