initial growth processとは 意味・読み方・使い方

A growth method without regularity is executed in an initial process for forming a plurality of screen cores in one screen cell, and a growth method with regularity is executed in processes following the initial process.例文帳に追加

１つのスクリーンセルに複数個のスクリーン核を形成する初期過程では規則性を持たない成長手法を実行し、初期過程後には規則性を持つ成長手法を実行する。 - 特許庁

As just described, at the initial stage of growth, a good single crystal is grown in the first process, and thereafter the single crystal is further grown at a higher growth speed in the second process.例文帳に追加

このように、成長初期においては、第１工程によって良好な単結晶を成長させ、その後は、第２工程によって速い成長速度で単結晶を成長させるようにする。 - 特許庁

To increase the nuclear generating density of crystal growth in the initial stage of the growth of a Cu film in the case Cu (hfac) (atms) is used in the production of a Cu film by a Cu-CVD process.例文帳に追加

Ｃｕ−ＣＶＤプロセスによるＣｕ膜作製でＣｕ（ｈｆａｃ）（ａｔｍｓ）を用いる場合にＣｕ膜成長の初期段階で結晶成長の核発生密度を高める。 - 特許庁

To obtain a reliability growth model decided at an initial stage of a test process in a software test process evaluation system using a reliability growth model obtained by modeling a relation between evaluation quantity to software of an evaluation object and a fault discovered for the evaluation quantity.例文帳に追加

評価対象のソフトウェアに対する評価の量とその評価量に対して発見される障害の関係をモデル化した信頼度成長モデルを用いるソフトウェアのテストプロセス評価方式において、テストプロセスの初期段階で確定した信頼度成長モデルが得られるようにする。 - 特許庁

The growth method with regularity is executed in processes following the initial process where the predetermined number of screen cores are formed so that it is possible to maintain gradation or graininess equivalent to a conventional dither screen.例文帳に追加

所定数のスクリーン核が形成された初期過程後には規則性を持つ成長手法を実行することで、従来のディザスクリーン法と同等の階調性や粒状性を保つことができる。 - 特許庁

In the crystal growth process of the semiconductor layer A, the upper face of the semiconductor layer A can be made a recess and projection shape having sufficient ruggedness to generate lateral direction growth action of the semiconductor layer B laminated thereafter, by optimizing V/III ratio of the semiconductor layer A or crystal growth temperature T_A or the like even in the case that a initial crystal growth face σ is substantially flat.例文帳に追加

半導体層Ａの結晶成長過程では、最初の結晶成長面σが殆ど平らな場合でも、上記の半導体層ＡのＶ／III 比や、或いは結晶成長温度Ｔ_A などを最適化することにより、半導体層Ａの上面を、その後積層される半導体層Ｂの横方向成長作用を発現させるのに十分な起伏のある凹凸形状にすることができる。 - 特許庁

The trigger process is performed before a process for growing the single crystal on the seed crystal substrate 3 or at an initial stage in single crystal growth by one or more operations selected from an operation of nitrogen partial pressure in the atmospheric gas, an operation of temperature of the melt 2 and physical contact.例文帳に追加

引き金工程は、雰囲気ガスの窒素分圧の操作、融液２温度の操作、ならびに物理的な接触、から選ばれた１または２以上の方法により、種結晶基板３上に単結晶を成長させる工程より前あるいは単結晶成長の初期に行う。 - 特許庁