initial growthとは 意味・読み方・使い方

This additive increases the nuclei generating density of crystal growth in the initial stage of the formation of a Cu film.例文帳に追加

この添加剤はＣｕ膜形成の初期段階での結晶成長の核発生密度を高める。 - 特許庁

To increase the nuclear generating density of crystal growth in the initial stage of the growth of a Cu film in the case Cu (hfac) (atms) is used in the production of a Cu film by a Cu-CVD process.例文帳に追加

Ｃｕ−ＣＶＤプロセスによるＣｕ膜作製でＣｕ（ｈｆａｃ）（ａｔｍｓ）を用いる場合にＣｕ膜成長の初期段階で結晶成長の核発生密度を高める。 - 特許庁

A highly-crystalline fine particle can be synthesized by heat-treating a seed particle or a particle of the initial stage of growth while restraining the crystal growth of the particle.例文帳に追加

また、粒子の結晶成長を抑制しつつ、核あるいは成長の初期段階の粒子を熱処理することで、高結晶性の微粒子合成を可能とする。 - 特許庁

When an n-type GaN layer 15 of a hexagonal cone shape is selectively grown on the n-type GaN layer 12 at the openings 13 of the mask 14, initial growth is carried out at an initial growth rate of 8 μm/h or higher.例文帳に追加

成長マスク１４の開口部１３におけるｎ型ＧａＮ層１２上に六角錐形状のｎ型ＧａＮ層１５を選択成長させる際に、初期成長をプレーナ成長換算で８μｍ／ｈ以上の成長速度で行う。 - 特許庁

An initial layer or initial nucleuses are grown into an atomic layer at a first temperature, at which the initial layer or the initial nucleuses are hardly crystallized, prior to the growth of the perovskite oxide ferroelectric thin film, then the initial layer or the initial nucleuses are heated up to a second temperature higher than the first temperature so as to be crystallized, and then the objective perovskite oxide ferroelectric thin film is grown.例文帳に追加

目的のペロブスカイト型酸化物強誘電体薄膜の成長に先立って初期層もしくは初期核が結晶化しない第１の温度で初期層もしくは初期核を原子層成長させ、引き続いて第１の温度より高い第２の温度に昇温して初期層もしくは初期核を結晶化した後、目的のペロブスカイト型酸化物強誘電体薄膜を成長する。 - 特許庁

To improve ignition performance by preventing inhibition of growth of the flame kernel even at the initial stage of ignition when the discharge gap is narrow.例文帳に追加

放電ギャップが狭い使用初期においても、火炎核成長が阻害されないようにして着火性能を向上させる。 - 特許庁

METHOD FOR CONTROLLING INITIAL GROWTH OF COPPER FILM BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (CVD) USING SURFACE TREATMENT ON BARRIER METAL FILM例文帳に追加

バリア金属膜への表面処理を用いた、化学気相蒸着法（ＣＶＤ）による銅膜の初期成長を制御する方法 - 特許庁

The layer 3 is formed on the layer 2 as a continuous film from the initial period of growth.例文帳に追加

Ｍｇ−ＧａＮ第１高温バッファ層３は成長初期から連続膜としてＡｌＧａＮ低温バッファ層２上に形成される。 - 特許庁