inversion effectとは 意味・読み方・使い方

These two replaceable sheet inversion devices 33A, 33B do not necessitate ultra-high speed and acceleration/deceleration which is usual in a conventional single inversion device system and have the effect that they can operate at the substantially same sheet speed as the speed of the sheet conveyance passage with which the inversion devices are connected.例文帳に追加

これら２つの交替式シート反転装置３３Ａ，３３Ｂは、従来の単一反転装置システムで一般的であった超高速及び加減速を必要とせず、反転装置が接続されているシート搬送路と実質的に同じシート速度で動作できるという効果を有する。 - 特許庁

To enable the reduction of a magnetization inversion current, in a magnetic memory device which is equipped with a magnetoresistive effect type storage element and performs the information storage by making use of the inversion of the direction of magnetization in the storage element.例文帳に追加

磁気抵抗効果型の記憶素子を備え、その記憶素子における磁化方向の反転を利用して情報記憶を行う磁気メモリ装置において、磁化反転電流の低減を可能とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having low power effect by using a dot inversion-driving system of a polarity inversion line dispersion type, which suppresses the deterioration of image quality.例文帳に追加

画質劣化を抑制する極性反転ライン分散型のドット反転駆動方式を用い、低電力効果の高い液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

According to this method, the magnetic field necessary for the inversion off magnetization can be reduced and, especially, this method becomes effective for the recording of a magnetic resistance effect memory employing the method of inversion of magnetization.例文帳に追加

これによって、磁化反転に要する磁界を低減することが可能となると共に特に、この磁化反転方法を用いた磁気抵抗効果メモリの記録に有効となる。 - 特許庁

The germanium is implanted before the gate, source, and drain are formed, so an inversion short channel effect which is shown with normal FETs is reduced.例文帳に追加

ゲルマニウムはゲート、ソース及びドレイン形成以前に打ち込まれ、通常ＦＥＴで見られる逆短チャネル効果を低減する。 - 特許庁

This technique diminishes the coercive force electric field of the periodic region inversion structure SHG crystal by applying a doping effect.例文帳に追加

本技術はドープ効果を応用して周期性領域反転構造ＳＨＧ結晶の保磁力電場を小さくする。 - 特許庁

Here, an emitter current flows on the surface side to prevent the effect of an inversion layer formed at the interface with the insulating region 2.例文帳に追加

かかる構成によれば、エミッタ電流は表面側を流れるようになり、絶縁領域２との界面に形成される反転層の影響を防止できる。 - 特許庁

To solve the problem where magnetization inversion of a recording layer by a recording current magnetic field is difficult in a magnetoresistance effect element, using the conventional vertical magnetization.例文帳に追加

従来の垂直磁化を用いた磁気抵抗効果素子では、記録電流磁界で記録層の磁化反転を行うことが困難である。 - 特許庁