lateral etchingとは 意味・読み方・使い方

To provide the method of countermeasure for the change of critical dimension caused by etching of photoresist of an upper layer into lateral direction employing gas containing O_2 in the dry etching of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。 - 特許庁

By etching the first film exposed on the bottom surface of the recess in the thickness direction and lateral direction, a cavity is formed under the residue.例文帳に追加

凹部の底面に露出した第１の膜を厚さ方向及び横方向にエッチングすることにより、残渣の下に空洞を形成する。 - 特許庁

A crystal defect density in a lateral face appeared by the etching is smaller than that appeared by the dicing.例文帳に追加

エッチングによって現れる側面内の結晶欠陥密度は、ダイシングによって現れる側面内の結晶欠陥密度よりも小さい。 - 特許庁

The lateral projection is formed by making a cavity at the exposed end part of a sacrifice layer by etching and filling it with polysilicon.例文帳に追加

側方突出部は、犠牲層の露出した端部にエッチングで空洞をつくり、そこをポリシリコンで充填することによって形成される。 - 特許庁

It is exposed by (a) polishing or etching the surface of the substrate, (b) varying the growth conditions in two stages at the time of lateral growth, or (c) forming a protective film above the nuclei in the way of lateral growth step.例文帳に追加

露出は、（ａ）基板表面の研磨やエッチング、（ｂ）横成長時の成長条件を２段階に変化させる、（ｃ）横成長工程の途中において成長核の上方に保護膜を形成する等の方法により行うことができる。 - 特許庁

By adjusting a film thickness of a photoresist film in a process to form the photoresist film on both faces of shadow mask base material, the proportion of etching amount in the lateral direction against that in the depth direction which is parallel to a surface of the etching process is adjusted.例文帳に追加

シャドウマスク基材の両面に感光膜を形成する工程で、感光膜の膜厚を調整することにより、エッチング工程での面に平行な横方向のエッチング量と深さ方向のエッチング量との比率を調整する。 - 特許庁

In a second step, side walls 90 defining a large number of recesses 89 of the semiconductor substrate 3 are removed by etching in lateral direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 - 特許庁

Subsequently, dry etching of the SiGe layer/Si layer 13/SiGe layer exposed from the underside of the support material 22 forms a groove h2 which exposes a lateral side of the SiGe layer.例文帳に追加

続いて、支持体２２下から露出しているＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層をドライエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝ｈ２を形成する。 - 特許庁