lateral etchingとは 意味・読み方・使い方

By etching the first film exposed on the bottom surface of the recess in the thickness direction and lateral direction, a cavity is formed under the residue.例文帳に追加

凹部の底面に露出した第１の膜を厚さ方向及び横方向にエッチングすることにより、残渣の下に空洞を形成する。 - 特許庁

To precisely form the shape of a semiconductor device by controlling etching of a lateral direction by a simple method.例文帳に追加

簡便な方法で横方向のエッチングを制御して半導体デバイスの形状を精度良く形成する。 - 特許庁

It is exposed by (a) polishing or etching the surface of the substrate, (b) varying the growth conditions in two stages at the time of lateral growth, or (c) forming a protective film above the nuclei in the way of lateral growth step.例文帳に追加

露出は、（ａ）基板表面の研磨やエッチング、（ｂ）横成長時の成長条件を２段階に変化させる、（ｃ）横成長工程の途中において成長核の上方に保護膜を形成する等の方法により行うことができる。 - 特許庁

To provide the method of countermeasure for the change of critical dimension caused by etching of photoresist of an upper layer into lateral direction employing gas containing O_2 in the dry etching of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。 - 特許庁

After a trench 14 is formed, the insulating layer on the bottom of the trench 14 is charged by dry etching, and a second silicon layer 12 positioned in the lateral direction of the bottom of the trench is removed, by implanting the etching ions of dry etching to the second silicon layer 12 positioned in the relevant lateral direction, so that the movable part can be formed.例文帳に追加

トレンチ１４を形成した後、ドライエッチングを行い、トレンチ１４の底部の絶縁層を帯電させ、ドライエッチングのエッチングイオンをトレンチの底部の横方向に位置する第２のシリコン層１２へ当てて当該横方向に位置する第２のシリコン層１２を除去することにより、可動部を形成する。 - 特許庁

Lateral opposite sides parallel with the cleavage plane and holding the central portion of a p-GaAs cap layer 6 and a p-AlGaAs clad layer 5 are cut by etching, and lateral opposite sides parallel with the cleavage plane and holding the central portion of a p-GaAs cap layer 26 and a p-AlGaInP clad layer 25 are cut by etching.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出され、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出されてある。 - 特許庁

Since etching rate of the upper layer Au is higher, lateral etching rate of Au is also high when a multilayer film of Au/Pt is etched using an aqua regia based solution and a tapering angle larger than two times the film thickness of Pt is formed.例文帳に追加

上層のＡｕの方がエッチングレートが大きいことから、Ａｕ／Ｐｔ積層膜を王水系の溶液でエッチングした際、エッチングレートの速いＡｕの横方向へのエッチングレートも大きく、Ｐｔの２倍膜厚よりもテーパー角度が大きく形成される。 - 特許庁

Since etching of the interlayer insulating film in the lateral direction is prevented in a boundary between a DRAM memory and a logic unit, it is no longer necessary to provide a margin which takes into consideration this etching, and the area of the DRAM memory can be reduced.例文帳に追加

エッチストッパ部材により、ＤＲＡＭメモリ部とロジック部との境界における層間絶縁膜の横方向のエッチングが阻止されるので、このエッチングを考慮したマージンを設ける必要がなくなり、ＤＲＡＭメモリ部の面積の縮小が可能になる。 - 特許庁