「lateral etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A dry-etching method is used for the process to cut out the semiconductor substrates from the semiconductor wafer to suppress a slant of the lateral side.例文帳に追加

半導体ウエハから斯様な半導体基板を切り出す工程にはドライエッチングを用い、側面の傾斜を抑える。 - 特許庁

To easily form a channel having a small lateral width and a large vertical width by utilizing isotropic etching in a channel structure.例文帳に追加

流路構造体において、横幅が小さく縦幅が大きい流路を、等方性エッチングを利用して容易に形成する。 - 特許庁

By etching the first film exposed on the bottom surface of the recess in the thickness direction and lateral direction, a cavity is formed under the residue.例文帳に追加

凹部の底面に露出した第１の膜を厚さ方向及び横方向にエッチングすることにより、残渣の下に空洞を形成する。 - 特許庁

To precisely form the shape of a semiconductor device by controlling etching of a lateral direction by a simple method.例文帳に追加

簡便な方法で横方向のエッチングを制御して半導体デバイスの形状を精度良く形成する。 - 特許庁

It is exposed by (a) polishing or etching the surface of the substrate, (b) varying the growth conditions in two stages at the time of lateral growth, or (c) forming a protective film above the nuclei in the way of lateral growth step.例文帳に追加

露出は、（ａ）基板表面の研磨やエッチング、（ｂ）横成長時の成長条件を２段階に変化させる、（ｃ）横成長工程の途中において成長核の上方に保護膜を形成する等の方法により行うことができる。 - 特許庁

To provide the method of countermeasure for the change of critical dimension caused by etching of photoresist of an upper layer into lateral direction employing gas containing O_2 in the dry etching of an organic reflection preventing film.例文帳に追加

有機反射防止膜のドライエッチングに、Ｏ２を含むガスを用いて、上層のフォトレジストが横方向にエッチングされ、クリティカルディメンジョンの変化を対策する方法を提供する。 - 特許庁

After a trench 14 is formed, the insulating layer on the bottom of the trench 14 is charged by dry etching, and a second silicon layer 12 positioned in the lateral direction of the bottom of the trench is removed, by implanting the etching ions of dry etching to the second silicon layer 12 positioned in the relevant lateral direction, so that the movable part can be formed.例文帳に追加

トレンチ１４を形成した後、ドライエッチングを行い、トレンチ１４の底部の絶縁層を帯電させ、ドライエッチングのエッチングイオンをトレンチの底部の横方向に位置する第２のシリコン層１２へ当てて当該横方向に位置する第２のシリコン層１２を除去することにより、可動部を形成する。 - 特許庁

Lateral opposite sides parallel with the cleavage plane and holding the central portion of a p-GaAs cap layer 6 and a p-AlGaAs clad layer 5 are cut by etching, and lateral opposite sides parallel with the cleavage plane and holding the central portion of a p-GaAs cap layer 26 and a p-AlGaInP clad layer 25 are cut by etching.例文帳に追加

ｐ−ＧａＡｓキャップ層６及びｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出され、ｐ−ＧａＡｓキャップ層２６及びｐ−ＡｌＧａＩｎＰクラッド層２５の中央部を挟んでへき開面に平行な横方向両側部分は、エッチングにより切り出されてある。 - 特許庁

Since etching rate of the upper layer Au is higher, lateral etching rate of Au is also high when a multilayer film of Au/Pt is etched using an aqua regia based solution and a tapering angle larger than two times the film thickness of Pt is formed.例文帳に追加

上層のＡｕの方がエッチングレートが大きいことから、Ａｕ／Ｐｔ積層膜を王水系の溶液でエッチングした際、エッチングレートの速いＡｕの横方向へのエッチングレートも大きく、Ｐｔの２倍膜厚よりもテーパー角度が大きく形成される。 - 特許庁

Since etching of the interlayer insulating film in the lateral direction is prevented in a boundary between a DRAM memory and a logic unit, it is no longer necessary to provide a margin which takes into consideration this etching, and the area of the DRAM memory can be reduced.例文帳に追加

エッチストッパ部材により、ＤＲＡＭメモリ部とロジック部との境界における層間絶縁膜の横方向のエッチングが阻止されるので、このエッチングを考慮したマージンを設ける必要がなくなり、ＤＲＡＭメモリ部の面積の縮小が可能になる。 - 特許庁

By adjusting a film thickness of a photoresist film in a process to form the photoresist film on both faces of shadow mask base material, the proportion of etching amount in the lateral direction against that in the depth direction which is parallel to a surface of the etching process is adjusted.例文帳に追加

シャドウマスク基材の両面に感光膜を形成する工程で、感光膜の膜厚を調整することにより、エッチング工程での面に平行な横方向のエッチング量と深さ方向のエッチング量との比率を調整する。 - 特許庁

Then, the thin film aperture part 33 is expanded in the lateral direction by wet etching, the second shallow recessed part 41 is formed on the operating layer 111 against the first recessed part by wet etching through the expanded thin film aperture part 34, and it is used as the second recessed groove.例文帳に追加

次にウェットエッチングにより薄膜の薄膜開口部３３を横方向に拡大し、この拡大された拡張薄膜開口部３４を通してウェットエッチングにより動作層１１に第１凹部に対して浅い第２凹部４１を形成し第２リセス溝とする。 - 特許庁

To provide a wet etching method of a compound semiconductor, whereby the change in tapered shape is suitably adjusted, both in a perpendicular and a lateral direction with a single wet etching on a compound semiconductor layer formed with an even thickness.例文帳に追加

厚さ一様に成膜された化合物半導体層について、１回のウェットエッチングにより縦方向および横方向の何れの方向にもテーパ形状の変化調整を適正に実施する化合物半導体ウェットエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Accordingly, portions linked with each other due to an epitaxial growth of the silicon film 12 in a lateral direction between the neighboring active regions can be cut and removed by dry etching.例文帳に追加

これにより、互いに隣接する活性領域５の間でシリコン膜１２が横方向にエピタキシャル成長することによって連結された部分を、ドライエッチングにより切断し除去することができる。 - 特許庁

To provide an element structure whose lateral mode does not change with respect to the change of the etching amount, thus enabling to effectively manufacture a ridge waveguide type group-III nitride semiconductor laser with uniform properties.例文帳に追加

エッチング量の変化に対して横モードが変化しないような素子構造を提供し、特性の揃ったリッジ導波型ＩＩＩ族窒化物半導体レーザを効率よく製作することを可能にする。 - 特許庁

Subsequently, dry etching of the SiGe layer/Si layer 13/SiGe layer exposed from the underside of the support material 22 forms a groove h2 which exposes a lateral side of the SiGe layer.例文帳に追加

続いて、支持体２２下から露出しているＳｉＧｅ層／Ｓｉ層１３／ＳｉＧｅ層をドライエッチングして、ＳｉＧｅ層の側面を露出させる溝ｈ２を形成する。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a light emitting diode chip by which lateral etching is performed to the light emitting diode chip at a low temperature to form the light emitting diode chip in an inverted cone shape.例文帳に追加

低い温度で発光ダイオードチップに横向きエッチングを行い、発光ダイオードチップを逆円錐状に形成させる発光ダイオードチップの製造方法を提供する。 - 特許庁

In a second step, side walls 90 defining a large number of recesses 89 of the semiconductor substrate 3 are removed by etching in lateral direction parallel to the surface of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

次いで、多数の凹部８９を区画する半導体基板３の側壁９０を、半導体基板３の表面に平行な横方向にエッチングして除去する。 - 特許庁

The bridge part 10 adjacent in the horizontal (lateral) direction is excavated by half etching in the thickness (plate thickness) direction of the shadow mask 6 in every row in alternation of a front surface/rear surface by making a group of openings extending in the perpendicular (longitudinal) direction as one row.例文帳に追加

水平（横）方向に隣接するブリッジ部１０を、垂直（縦）方向に延びる開孔群を１列として、１列ごとに表面／裏面交互にシャドウマスク６の厚み（板厚）方向にハーフエッチングにより掘削する。 - 特許庁

A cavity 15 is formed by selectively etching the GaAs crystal of the substrate 11 from the lateral direction in the interface between the conductive layer 12 and the substrate 11, in which misfit transitions exist at a high density due to the difference in lattice constant between the InAs and GaAs.例文帳に追加

ＩｎＡｓとＧａＡｓの格子定数差から界面に高密度のミスフィット転移が存在しているＧａＡｓ結晶を選択的に横方向からエッチングすることにより空孔１５を形成している。 - 特許庁

To reduce a liquid crystal capacity by thickening the insulating film of a non-linear element of a lateral structure without causing a failure such as charge-up and resist burning in the case of dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング時にチャージアップやレジスト焼けなどの不具合を生じさせずに、ラテラル構造の非線形素子の絶縁膜を厚膜化して液晶容量を減少させる。 - 特許庁

The rim of the wafer W can be inserted into grooves 4 and 5 that are formed on lateral sides of the etching members 2 and 3 on the side of the wafer W and extends horizontally along the surface of the wafer W.例文帳に追加

エッチング処理部材２，３のウエハＷ側の側面には、ウエハＷの表面に沿う水平方向に延びる溝４，５が形成されており、ウエハＷの周縁部は溝４，５内に挿入できるようになっている。 - 特許庁

These three regions include a lower surface of a recessed opening obtained by damascene etching and an intermediate surface and a top surface on a remaining part of a lateral field insulating region.例文帳に追加

これらの３つの領域は、ダマシンエッチングから得られた凹部開口の下部表面、側方向フィールド絶縁領域の残り部分上の中間表面及び上部表面を含む。 - 特許庁

A parallel part 140 being a part in a longitudinal direction of the fine channel 14 and parallel to the first substrate 11 is formed by a first recess part 111 and a second recession part 131 formed on the first substrate 11 and the second substrate 13 by isotropic etching respectively and a through hole 121 formed on the intermediate substrate 12 by isotropic etching and vertical width is made two times or more of lateral width.例文帳に追加

微細流路１４の長手方向の一部であって第１基板１１に平行な平行部１４０は、第１基板１１および第２基板１３上にそれぞれ等方性エッチングにより形成された第１凹部１１１および第２凹部１３１、並びに、中間基板１２に等方性エッチングにより形成された貫通孔１２１により形成され、縦幅が横幅の２倍以上とされる。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing process, an organic reflection preventing film provides selectivity for a lower layer and/or minimizes the etching speed in the lateral direction of photoresist of an upper layer which maintains a critical dimension determined by a photo resist.例文帳に追加

半導体製造プロセスであって、このプロセスは、有機反射防止膜が、下層に対して選択性を与え、及び／又は、フォトレジストによって定められるクリティカルディメンジョンを維持する上層のフォトレジストの横方向のエッチング速度を最小化する。 - 特許庁

When a TFD 10 of lateral structure is manufactured, a resist mask 19 is formed on a tantalum film 13 and a thick first insulating film 17, and then the first insulating film 17 and the tantalum film 13 are subjected to dry etching.例文帳に追加

ラテラル構造のＴＦＤ１０を製造するにあたって、タンタル膜１３および分厚い第１の絶縁膜１７の上にレジストマスク１９を形成した後、第１の絶縁膜１７およびタンタル膜１３に対してドライエッチングを行う。 - 特許庁

Namely, while a pixel electrode in double structure including a transparent electrode and a reflective electrode is formed using one photomask, a photosensitive film is reflowed by baking to be formed even on a lateral side of a conductive layer, thereby preventing the transparent electrode from being undercut owing to double etching.例文帳に追加

即ち、一つのフォトマスクを用いて透明電極と反射電極を含む二重構造の画素電極を形成すると同時に、感光膜をベーキングでリフローして導電層の側面にも形成することによって、二重エッチングによる透明電極のアンダーカットを防止することができる。 - 特許庁

A side wall 6a is formed on lateral sides of a gate electrode 4 in a p-channel transistor formation scheduled region 51p by etching back an insulating film 6 while leaving a part which covers an n-channel transistor formation scheduled region 51n.例文帳に追加

ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎを覆う部分を残しながら絶縁膜６のエッチバックを行うことにより、ｐチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｐ内のゲート電極４の側方にサイドウォール６ａを形成する。 - 特許庁

In the fine channel structure 1, the fine channel 14 having a small lateral width and a large vertical width can be easily formed utilizing isotropic etching by interposing the intermediate substrate 12 with the through hole 121 between the first substrate 11 and the second substrate 13.例文帳に追加

微細流路構造体１では、貫通孔１２１が形成された中間基板１２を、第１基板１１および第２基板１３で挟んで積層することにより、横幅が小さく縦幅が大きい微細流路１４を等方性エッチングを利用して容易に形成することができる。 - 特許庁

Here, particles 14 and 20, remaining on the surface of a semiconductor base body and an SiN film 12 at the bottom surface part of a polysilicon fragment 18b, are etching-removed from lateral direction, allowing the particles 14 and 20 and polysilicon fragment 18b to be bitten at roots and removed.例文帳に追加

このとき、半導体基体表面に残存するパーティクル１４、２０やポリシリコン片１８ｂの底面部のＳｉＮ膜１２が横方向からエッチング除去され、これらのパーティクル１４、２０やポリシリコン片１８ｂはその足場を掬われるようにして除去される。 - 特許庁

A side wall is formed on the lateral sides of a gate electrode 4 in an n-channel transistor formation schedule region 51n by etching back the insulating film 6, and an n-type impurity introduced region is formed within the n-channel transistor formation scheduled region 51n by introducing an n-type impurity in the top surface of the semiconductor substrate 1 using the side wall as a mask.例文帳に追加

絶縁膜６のエッチバックを行うことにより、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内のゲート電極４の側方にサイドウォールを形成し、ｎチャネルトランジスタ形成予定領域５１ｎ内において、このサイドウォールをマスクとして半導体基板１の表面にｎ型不純物を導入してｎ型不純物導入領域を形成する。 - 特許庁

Vertical groove shields 11a and lateral groove shields 11b are formed by irradiating a photosensitive glass 1 with ultraviolet rays with a mask by an ultraviolet-ray mask exposure method, processing the glass, etching it with an acid, making grooves shaped like a lattice in the direction of the incidence of X rays and filling and encapsulating the powder of heavy metal like tungsten into the grooves.例文帳に追加

感光性ガラス１に紫外線マスク露光法によりマスクを用いて紫外光を照射し、現像処理し、酸でエッチングして、格子状の溝をＸ線入射方向に形成し、その溝にタングステン等の重金属粉を充填封入し、縦溝遮蔽１１ａと横溝遮蔽１１ｂを形成する。 - 特許庁

To obtain a low-cost and high-performance semiconductor integrated circuit and its manufacturing method by preventing production of drum shapes in a second insulating layer which insulates conductive layers, by etching in lateral direction in a multilayer wiring construction in which layers including conductive layers as wiring are formed in multilayer, by interposing a first insulating layer made mainly of organic polymer film.例文帳に追加

配線となる導電層を含む層状部分が、有機高分子膜を主材料とする第一絶縁層を介在して多層的に形成された多層配線構造において、横方向エッチングによって導電層間を絶縁する第二絶縁層に太鼓形状が生じることを防止し、低コストで高性能な半導体集積回路およびその製造方法を得ることを目的とする。 - 特許庁

The method locally controls the electrical potential of a semiconductor structure or a device, and thereby locally controls lateral and/or vertical photoelectrochemical (PEC) etching rates by the appropriate placement of electrically resistive layers or layers that impede electron flows in the semiconductor structure, and/or by disposing a cathode in contact with a specific layer of the semiconductor structure during PEC etching.例文帳に追加

上記方法は、電気的抵抗層または半導体構造の中の電子のフローを妨げる層の適切な配置によって、および／またはＰＥＣエッチングの間に、半導体構造の特定の層と接触するカソードを配置することによって、半導体構造または半導体デバイスの電気的ポテンシャルを局部的に制御し、水平方向および／または垂直方向の光電気化学（ＰＥＣ）的エッチング速度を局部的に制御する。 - 特許庁