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line-etchingとは 意味・読み方・使い方
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「line-etching」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 326件
SYSTEM AND METHOD FOR MANAGING USED AMOUNT OF WATER FOR ETCHING LINE, AND ETCHING LINE例文帳に追加
エッチングラインの水使用量管理システム、エッチングラインの水使用量管理方法、エッチングライン - 特許庁
The copper foil becomes a metal line by etching.例文帳に追加
銅箔はエッチングにより金属線路になる。 - 特許庁
The bit line 3 is covered with etching stopper films 4 and 5.例文帳に追加
ビット線3はエッチングストッパ膜4,5によって覆う。 - 特許庁
To suppress dispersion of the line width in etching of a multilayer film.例文帳に追加
多層膜のエッチングでの線幅のばらつきを抑える。 - 特許庁
A circulation line 30 where, from an etching tank 10 in which the member to be treated is dipped into an etching liquid and is subjected to etching treatment, the etching liquid is discharged and is circulated is formed.例文帳に追加
被処理部材をエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行うエッチング槽10からエッチング液を取り出して循環させる循環ライン30を形成する。 - 特許庁
Accordingly, this can realize etching treatment which enables uniform line widths.例文帳に追加
したがって均一な線幅をもったエッチング処理を実現できる。 - 特許庁
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「line-etching」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 326件
In another method, the wafer is partitioned by applying an etching process engraving by etching a scribe line from the surface side of the wafer, and another etching process engraving the scribe line by etching from the rear side of the wafer to manufacture a plurality of semiconductor chips.例文帳に追加
若しくは、ウェハの表面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理と、ウェハの裏面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理とを行うことによりウェハを分割して複数の半導体チップを製造する。 - 特許庁
Masking and etching processes are carried out with a bit-line layer 50.例文帳に追加
マスキングおよびエッチング工程がビット線層50に対して実行される。 - 特許庁
The perforation line or the groove is formed by, for example, a laser or etching.例文帳に追加
ミシン目または溝は、例えばレーザーまたはエッチングにより形成される。 - 特許庁
To provide a method of forming a bit-line contact plug by directly etching a bit-line contact material film.例文帳に追加
ビット線コンタクト材料膜を直接にエッチングしてビット線コンタクトプラグを形成する方法を提供する。 - 特許庁
APPARATUS FOR ETCHING SUBSTRATE AND FABRICATION LINE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加
基板エッチング装置及びこれを利用した液晶表示素子製造ライン - 特許庁
A bit line 12 which is an etching mask is formed of high melting point metal silicide.例文帳に追加
エッチングマスクとなるビット線12を高融点金属シリサイドで形成した。 - 特許庁
The layers are patterned by dry etching by using chlorine gas to form a signal line 13.例文帳に追加
塩素系ガスを用いたドライエッチングにてパターニングして信号線13とする。 - 特許庁
To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus capable of independently controlling distributions of line widths and heights of line parts in a surface of a wafer in forming the line part by etching a laminated mask film including an inorganic film and organic film, or in forming a plurality of kinds of line parts having different intervals between adjacent line parts by etching a mask film.例文帳に追加
無機膜と有機膜とを含む積層マスク膜をエッチングしてライン部を形成する場合、又は、マスク膜をエッチングして隣接するライン部の間隔が異なる複数種類のライン部を形成する場合に、ウェハの面内におけるライン部の線幅及び高さの分布を独立して制御できるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁
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