「line-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A circulation line 30 where, from an etching tank 10 in which the member to be treated is dipped into an etching liquid and is subjected to etching treatment, the etching liquid is discharged and is circulated is formed.例文帳に追加

被処理部材をエッチング液に浸漬させてエッチング処理を行うエッチング槽１０からエッチング液を取り出して循環させる循環ライン３０を形成する。 - 特許庁

Accordingly, this can realize etching treatment which enables uniform line widths.例文帳に追加

したがって均一な線幅をもったエッチング処理を実現できる。 - 特許庁

In another method, the wafer is partitioned by applying an etching process engraving by etching a scribe line from the surface side of the wafer, and another etching process engraving the scribe line by etching from the rear side of the wafer to manufacture a plurality of semiconductor chips.例文帳に追加

若しくは、ウェハの表面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理と、ウェハの裏面側からスクライブラインを触刻するエッチング処理とを行うことによりウェハを分割して複数の半導体チップを製造する。 - 特許庁

Masking and etching processes are carried out with a bit-line layer 50.例文帳に追加

マスキングおよびエッチング工程がビット線層５０に対して実行される。 - 特許庁

The perforation line or the groove is formed by, for example, a laser or etching.例文帳に追加

ミシン目または溝は、例えばレーザーまたはエッチングにより形成される。 - 特許庁

To provide a method of forming a bit-line contact plug by directly etching a bit-line contact material film.例文帳に追加

ビット線コンタクト材料膜を直接にエッチングしてビット線コンタクトプラグを形成する方法を提供する。 - 特許庁

A bit line 12 which is an etching mask is formed of high melting point metal silicide.例文帳に追加

エッチングマスクとなるビット線１２を高融点金属シリサイドで形成した。 - 特許庁

APPARATUS FOR ETCHING SUBSTRATE AND FABRICATION LINE FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME例文帳に追加

基板エッチング装置及びこれを利用した液晶表示素子製造ライン - 特許庁

The layers are patterned by dry etching by using chlorine gas to form a signal line 13.例文帳に追加

塩素系ガスを用いたドライエッチングにてパターニングして信号線13とする。 - 特許庁

To provide a plasma etching method and a plasma etching apparatus capable of independently controlling distributions of line widths and heights of line parts in a surface of a wafer in forming the line part by etching a laminated mask film including an inorganic film and organic film, or in forming a plurality of kinds of line parts having different intervals between adjacent line parts by etching a mask film.例文帳に追加

無機膜と有機膜とを含む積層マスク膜をエッチングしてライン部を形成する場合、又は、マスク膜をエッチングして隣接するライン部の間隔が異なる複数種類のライン部を形成する場合に、ウェハの面内におけるライン部の線幅及び高さの分布を独立して制御できるプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

A first etching stop film 118 made of a thin nitride film and a second etching stop film 120 made of a high dielectric film having a different etching selection ratio are formed at the upper portion of the selection line and the word line.例文帳に追加

それらの上部に薄い窒化膜からなる第１のエッチング停止膜１１８と、さらにエッチング選択比の異なる高誘電体膜からなる第２のエッチング停止膜１２０を形成する。 - 特許庁

To provide a method for etching an aluminum-based material into an aluminum thin line having a width of 30 μm.例文帳に追加

３０μｍのアルミ細線を形成可能なエッチング方法を提供する。 - 特許庁

Trouble such as insufficient etching or over etching can be prevented by it that a semiconductor etching monitor capable of ascertaining the etching state of a sacrificial layer in an in-line manner is formed on the same wafer with a sensor.例文帳に追加

犠牲層エッチングの進行状況をインラインで確認することができる半導体エッチングモニタをセンサ部分と同一のウエハ上に形成することによりエッチング不足、もしくは過剰エッチングを防止する。 - 特許庁

Since the line 34B-n is straight and is not bent, the line 34B-n is easily produced by etching.例文帳に追加

ゲート引出し線３４Ｂ−ｎは屈曲していず、直線であるため、エッチングでもって困難無く製造される。 - 特許庁

The antireflection film is patterned by dry etching (b) (a broken line showing the proper patterning position).例文帳に追加

ドライエッチングで反射防止膜をパターニングする（ｂ）（破線は本来のパターン位置を示す）。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which controls line width variations among sparse and dense wiring portions formed in an etching object layer.例文帳に追加

エッチング対象層に形成される疎密配線部間の線幅ばらつきを小さく抑えることができるプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

For forming the protective film, first, an etching stop film is formed at the upper portion of a fuse line 124, and the etching stop line is utilized for forming a fuse opening 148 along with a contact hole.例文帳に追加

保護膜の形成には、まずヒューズライン１２４の上部に蝕刻停止膜を形成し、この蝕刻停止膜を利用してコンタクトホールとともにヒューズ開口部１４８を形成する。 - 特許庁

To provide a system for managing the used amount of water for an etching line, which facilitates detection of an inefficient situation by grasping a time change of the situation of usage of the water etc for the etching line.例文帳に追加

エッチングラインにおける水使用状況等の時間変化を把握し、効率の悪い状況の発見を容易とするエッチングラインの水使用量管理システム等を提供する。 - 特許庁

METAL FATIGUE ACCELERATING DEVICE OF TRIMMING LINE SECTION AND METAL FATIGUE ACCELERATING METHOD OF TRIMMING LINE SECTION, AND MANUFACTURING DEVICE OF ETCHING PROCESSING PRODUCT例文帳に追加

トリミング線部の金属疲労促進装置とトリミング線部の金属疲労促進方法、およびエッチング加工製品の製造装置 - 特許庁

Thus, a rectangular resist pattern (line) having good dry etching resistance and small line edge roughness can be formed.例文帳に追加

これにより、レジストパターン（ライン）が矩形でありドライエッチング耐性が良好、かつ、ラインエッジラフネスの小さいレジストパターンの形成が可能となる。 - 特許庁

This is transferred as a mask on the hard mask layer to form a parallel hard mask line (first etching).例文帳に追加

これをマスクとしてハードマスク層に転写し、平行ハードマスクラインを形成する（第１エッチング）。 - 特許庁

Next, a resist film by a line/space pattern of a horizontal direction is formed to perform second etching.例文帳に追加

次に今度は横方向のライン／スペースパターンによるレジスト膜を形成し第２のエッチングを行う。 - 特許庁

To form a high aspect etching pattern without being accompanied with positive-negative reverse or increasing the number of etching steps, to improve etching durability of a photoresist pattern and to prevent line thinning by electron beam irradiation.例文帳に追加

ポジネガ反転を伴うことなく、エッチング回数増なく、高アスペクトエッチングパターンを形成でき、また、フォトレジストパターンのエッチング耐性を向上させ、電子ビーム照射によるライン細りを防止できる。 - 特許庁

An etching amount is discriminated by utilizing structural/optical changes generated in the thin line patterns 3a, 3b, 3c, 3d caused by the etching of the sacrificial layer 5.例文帳に追加

犠牲層５のエッチングにより細線パターン３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄに生じる構造的・光学的変化を利用してそのエッチング量を判別する。 - 特許庁

The system has a function of verifying the pattern line width with the dimensional specification; and if the line width fails the specification, the system has a function of automatically performing feedback and continuing the dry etching in the vacuum chamber for dry etching.例文帳に追加

パターン線幅を寸法規格と照合し、寸法規格に至らない際には、自動でフィードバックしてドライエッチング用真空チャンバー内でドライエッチングを継続して行う機能を備えたこと。 - 特許庁

In the region of a conductor layer where the line conductors are formed densely and the region where the line conductors are formed relatively coarsely, the etching margin is not identical even if the line width is identical, and the region where the line conductors are formed coarsely has a trend of having a larger etching margin.例文帳に追加

導体層において、導体線路が密集して形成されている領域と、比較的疎に形成されている領域とでは、同じ線幅であってもエッチング代が必ずしも同じにならず、導体線路が疎に形成されている領域のほうが、エッチング代が大きくなりやすい。 - 特許庁

To provide a fabrication line for liquid crystal display device capable of quickly etching a substrate and quickly fabricating a liquid crystal display device by installing a substrate etching apparatus on a fabrication line and by automatically etching the substrate or a liquid crystal panel.例文帳に追加

基板エッチング装置を製造ライン上に設置して自動で基板又は液晶パネルをエッチングすることにより、基板のエッチングを迅速に行うと共に液晶表示素子の製造を迅速に行うことのできる液晶表示素子製造ラインを提供する。 - 特許庁

A line interconnection opening 62 is formed at a second level 46 by a lithography and etching.例文帳に追加

ライン相互結線用の開口６２は、リソグラフィーおよびエッチングにより第２のレベル４６に形成されている。 - 特許庁

A bit line 12 being an etching mask is formed of high melting point metal silicide being the first wiring layer.例文帳に追加

エッチングマスクとなるビット線１２を第１層目の配線層である高融点金属シリサイドで形成した。 - 特許庁

To provide a resin raw material of a resist composition excellent in sensitivity, resolution, dry etching resistance and line edge roughness.例文帳に追加

感度、解像度、ドライエッチング耐性、ラインエッジラフネスに優れるレジスト組成物の樹脂原料を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element which suppresses a variation of a line width of wiring formed by wet etching.例文帳に追加

ウェットエッチングにより形成される配線の線幅のばらつきが抑えられた半導体素子を提供する。 - 特許庁

Then, using an alkali-based solution, the scanning signal line 2 including the gate electrode 11 is subjected to light etching.例文帳に追加

次に、アルカリ系の水溶液を用いて、ゲート電極１１を含む走査信号ライン２をライトエッチングする。 - 特許庁

To accurately measure actual thickness of a processed layer on line in plasma processing, specially plasma etching processing.例文帳に追加

プラズマ処理、特にプラズマエッチング処理において、被処理層の実際の厚さをオンラインで正確に測定する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BIT-LINE LANDING PAD AND NO BOUNDARY CONTACT ON BIT-LINE STUD PROVIDED WITH ETCHING STOP LAYER, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

エッチング阻止層が備わったビットラインスタッド上にビットラインランディングパッドと非境界コンタクトを有する半導体素子及びその形成方法 - 特許庁

Since the amount of side etching is suppressed when wet type etching is performed with a ferric chloride solution to which the additive for suppressing side etching is added, a copper printed circuit board having a circuit pattern with a fine line width is realized.例文帳に追加

このサイドエッチング抑制用添加剤が添加された塩化第二鉄溶液で湿式エッチングするとき、サイドエッチング量が抑制されるので、微細な線幅の回路パターンを有する銅プリント配線板が実現される。 - 特許庁

The etching device is composed of: a fixture 10 to which a glass substrate 20 can be stuck; a jetting means 54 jetting an etching liquid to the glass substrate 20; and a progression line 12 transferring the fixture 10 into the etching device.例文帳に追加

前記エッチング装置は、ガラス基板２０が付着できるジグ１０と、ガラス基板２０にエッチング液を噴射する噴射手段５４と、ジグ１０をエッチング装置の中に移送する進行ライン１２とで構成される。 - 特許庁

Also, a bit line 15 provided on the top electrode 17 has the etching surface 15c formed by patterning, and an etching surface 15c of the bit line 15 contacts the film formation initiating surface 17a of the top electrode 17.例文帳に追加

また、上部電極１７に接続されたビット線１５は、パターニングにより形成されたエッチング面１５ｃを有しており、ビット線１５のエッチング面１５ｃと、上部電極１７の成膜開始面１７ａとが接している。 - 特許庁

At forming of an opening 24a in an interlayer insulation layer 24 through dry etching, damage is absorbed by the polycrystal line silicon layer 12a even if over-etching is carried out.例文帳に追加

ドライエッチングにより層間絶縁膜２４に開口部２４ａを形成する際において、オーバーエッチングを行っても、ダメージは多結晶シリコン層１２ａに吸収される。 - 特許庁

To improve line edge roughness of an etching mask in a method of etching an inorganic compound film by using a reverse NIL method and in a method of manufacturing a semiconductor optical element.例文帳に追加

反転ＮＩＬ技術を使用した無機化合物膜のエッチング方法および半導体光素子の製造方法において、エッチングマスクのラインエッジラフネスを向上させる。 - 特許庁

A polycrystalline silicon island is formed by etching and, thereafter, a gate oxide layer 13 and a metal layer are formed, then, a gate electrode 14 and a data line 15 are formed by etching.例文帳に追加

エッチングにより多結晶シリコンアイランドを形成した後、ゲート酸化層１３と金属層を形成し、エッチングによりゲート電極１４とデータライン１５とを形成する。 - 特許庁

This structure provides full overlap between a storage node contact and an active region, resolves an overlay problem in an etching process, and increases an etching line width of a storage node.例文帳に追加

格納電極コンタクトと活性領域との間のフルオーバーラップを提供し、食刻工程でのオーバーレイ問題を解消し、格納電極の食刻線幅を増加させる。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT HAVING NON-BOUNDARY CONTACT AND BIT LINE LANDING PAD ON BIT LINE STUD HAVING LOCAL ETCHING STOP SUBSTANCE LAYER, AND ITS FABRICATING METHOD例文帳に追加

局部エッチング阻止物質層を有するビットラインスタッド上のビットラインランディングパッドと非境界コンタクトとを有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

An etching liquid nozzle 307 in the shape of a straight line when viewed in a plane is disposed on the top surface of the spin base 302.例文帳に追加

スピンベース３０２の上面には、平面視で一文字形状のエッチング液ノズル３０７が配置されている。 - 特許庁

Information in the manufacturing line 11 having at least a film-forming process, the exposure process and an etching process is obtained.例文帳に追加

少なくとも成膜工程、露光工程およびエッチング工程を有する製造ライン11内の情報を取得する。 - 特許庁

In the fifth step, a pit line 16 expressing binary data is formed on the quartz layer 12 by the action of gas-etching.例文帳に追加

第５ステップにて、ガスエッチングを作用させて石英層１２に２値化データを表すピット列１６を形成する。 - 特許庁