「line-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A part existing in an end nearby region of the word line in the side wall insulating film is removed by wet etching.例文帳に追加

次に、ウェットエッチングによって側壁絶縁膜におけるワード線の端部近傍領域に存在する部分を除去する。 - 特許庁

The forming die has a surface of a housing shape, and the surface includes a first fine line pattern formed by the etching.例文帳に追加

成形型は筐体形状をなす表面を有し、表面はエッチングにより形成された第一細線を含む。 - 特許庁

To measure the actual etching depth and the residual film amount of a layer to be treated precisely in an on-line manner and to decide the end point of a process.例文帳に追加

被処理層の実際のエッチング深さや残膜量をオンラインで正確に測定しプロセスの終点を判定する。 - 特許庁

And the electric supply line 3 for plating exposed to the rear surface side through the opening 4 is removed by etching.例文帳に追加

そしてその開口４を通して裏面側に露出されるめっき用給電線３を、エッチングによって除去する。 - 特許庁

To provide a polymer compound which is used for photoresists and is excellent in line edge roughness resistance, pattern collapse resistance, development defect resistance, dry etching resistance and the like.例文帳に追加

ラインエッジラフネス、パターン倒れ、現像欠陥、ドライエッチング耐性等に優れたフォトレジスト用高分子化合物の提供。 - 特許庁

Etching state is inspected by inputting a plurality of line patterns 2 of different line widths to a copper foil pattern mask 1 in advance, and recognizing the presence or absence of a line pattern remaining in an etched printed substrate 3 by using the copper foil pattern mask 1 of a plurality of line patterns 2 of different line widths.例文帳に追加

銅箔パターンマスク１に予め線幅の異なる複数の線パターン２を入力し、前記線幅の異なる複数の線パターン２の内前記銅箔パターンマスク１を用いてエッチングが完了したプリント基板３に残った線パターンの有無を確認することによりエッチング状態を検査する。 - 特許庁

In a synthetic quartz glass crucible for pulling the single crystal, the etching amount in the vicinity of the melt line in silicon melting is made different from that at the part below the melt line.例文帳に追加

単結晶シリコン引上げ用の合成石英ガラスルツボに関して、シリコンを融解した時のメルトライン付近のエッチング量とそれより下部のエッチング量を変える。 - 特許庁

To prevent a capacitance insulating film from deteriorating owing to hydrogen and to prevent a bit line from being a thinner film owing to etching in a semiconductor memory device having a COB (Capacitor Over Bit line) structure.例文帳に追加

ＣＯＢ構造を備えた半導体記憶装置において、容量絶縁膜の水素による劣化を防止するとともに、ビット線のエッチングでの薄膜化を防止する。 - 特許庁

SEMICONDUCTOR ELEMENT TOGETHER WITH ITS MANUFACTURING METHOD COMPRISING BIT LINE LANDING PAD AND BORDERLESS CONTACT ON BIT LINE STUD COMPRISING LOCAL ETCHING PREVENTING LAYER FORMED IN VOID REGION例文帳に追加

ボイド領域内に形成された局部エッチング阻止層が備えられたビットラインスタッド上のビットラインランディングパッドとボーダレスコンタクトを有する半導体素子及びその製造方法 - 特許庁

The system is equipped with a scanning electron microscope 30 for measuring a pattern line width in a vacuum chamber 20 for dry etching so as to carry out intermediate length measurement of a pattern line width while a dry-etched photomask substrate 10 is mounted in the vacuum chamber for dry etching.例文帳に追加

ドライエッチング用真空チャンバー２０にパターン線幅を測長する走査型電子顕微鏡３０を備え、ドライエッチングしたフォトマスク基板１０をドライエッチング用真空チャンバー内に載置した状態でパターン線幅を中間測長する。 - 特許庁

Upon manufacturing a semiconductor device, when a metallic wiring line 12 is formed on a first interlayer insulating film on a semiconductor substrate 54 by plasma etching, charges are stored not only the wiring line 12 but also on a metal wiring line 10.例文帳に追加

製造時に、半導体基板５４上の第１の層間絶縁膜の上に金属配線１２などをプラズマエッチングにより形成する際、金属配線１２とともに金属配線１０にも電荷が蓄積する。 - 特許庁

In the method for forming the embedded bit line, a non-electrolytic metal layer is selectively formed in a groove for bit line formed by etching a substrate, and a silicide film is formed inside the groove for bit line by executing a silicide process.例文帳に追加

埋め込みビットラインの形成方法は、基板をエッチングして形成されたビットライン用溝に無電解金属層を選択的に形成し、シリサイド工程を行ってビットライン用溝の内部にシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

On the parallel hard mask line and the hard mask spacer layer, a second parallel line pattern (second photoresist film) is formed which intersects with the parallel hard mask line and has a second size width for transcription on the hard mask layer (second etching).例文帳に追加

平行ハードマスクラインおよびハードマスクスペーサ層上に、平行ハードマスクラインと交差し、かつ第２サイズの幅を有する第２平行ラインパターン（第２フォトレジスト膜）を形成し、これをハードマスク層に転写する（第２エッチング）。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device suppressing an in-plane dispersion of line widths of a pattern formed on an etching object material.例文帳に追加

被エッチング材に形成するパターンの線幅の面内ばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A part existing in the end nearby region of the word line in the first conductive film is removed by second dry etching.例文帳に追加

次に、第２のドライエッチングによって第１の導電膜におけるワード線の端部近傍領域に存在する部分を除去する。 - 特許庁

SAC etching is performed to a bit line 3 without changing the mask so as to form a contact hole to the conductive plug 2.例文帳に追加

マスクを変えることなくビット線３に対してＳＡＣエッチングを行って導電性プラグ２へのコンタクトホールを形成する。 - 特許庁

To provide a method for generating reference data for performing the inspection of a line width by an APM-PER inspection method using the reference data regardless of a resist pattern or a pattern after etching and re-etching.例文帳に追加

レジストパターンやエッチング後及び再エッチング後のパターンに関わらず、基準データを用いてＡＰＭ−ＰＥＲ検査法による線幅の検査を行うための基準データの生成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an etching end point judging method and a plasma processing device which performs the end point judging method, by using a film thickness measurement method of a processed material, capable of measuring the amount of actual remaining film and etching the depth of the processed layer on-line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

When interconnect line holes and trenches are provided to the low-permittivity interlayer insulating film by etching through micro processing, a mixed gas of fluorocarbon gas, Ar, and NF_3 is introduced into a vacuum chamber for carrying out an etching operation.例文帳に追加

低誘電率層間絶縁膜をエッチングし、配線用のホール、トレンチを微細加工する際に、フッ化炭素系ガス＋ＡｒにＮＦ_３を添加した混合ガスを真空チャンバ内に導入してエッチングする。 - 特許庁

The video signal line of this material composition satisfies requirements of high dry-etching resistance, low resistance, low ACF contact resistance, low side-etching amount, forward tapered wiring cross section form, and 2 or less number of laminations.例文帳に追加

この材料構成の映像信号線により、高ドライエッチング耐性，低抵抗，低ＡＣＦ接触抵抗，低サイドエッチング量，順テーパ状配線断面形状，積層数２以下の各要件を満たす。 - 特許庁

To provide a via line barrier and an etching stop structure for compensating difference in selectivity or etching rate based on the sizes of respective via holes and via line regions, so that a metal or metallized layer in a semiconductor device is connected in vertical direction.例文帳に追加

半導体装置内の金属又は金属化された層を垂直方向において接続するためにビアホールおよびビアライン領域のそれぞれのサイズに基づいたエッチングレートまたは選択性の違いを埋め合わせるビアラインバリア及びエッチストップ構造を提供する。 - 特許庁

A data line or a data line and a power supply line in a unit pixel area of the organic electroluminescence element are formed in a trench formed by etching an insulating film, and a 1st electrode as a pixel electrode is formed so as to overlap the data line or the upper part of the data line and power line without causing a defect such as cross/talking.例文帳に追加

本発明は、有機電界発光素子の単位画素領域上のデータラインまたはデータライン及び電源供給ラインを、絶縁膜をエッチングして形成したトレンチ上に形成して画素電極である第１電極を、クロス・トークのような不良発生なくデータラインまたはデータライン及び電源供給ラインの上部にオーバーラップするように形成する。 - 特許庁

The field shield gate 44 located at the vicinity of a dicing line 62, a cutting plane line when the SOI substrate 10 is parted into a plurality of chip, is removed in advance before having been cut by etching.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１０を複数のチップに分断する際の切断線であるダイシングライン６２近傍のフィールドシールドゲート４４は、エッチングによって切断前に予め除去される。 - 特許庁

A gate line including a gate, a channel layer present right above the gate, a gate pad present at the end of the gate line, a pixel electrode, and a source pad are demarcated by a series of etching processes.例文帳に追加

フォトレジストパターンをマスクとして、一連のエッチング工程によりゲートを含むゲート線、ゲートの真上にあるチャネル層、ゲート線端部にあるゲートパッド、画素電極及びソースパッドを画定する。 - 特許庁

The line forming method employing the printing means is performed by forming a line without employing copper foil etching, allowing metal powder to adhere by using an adhesive layer, and solidifying the metal powder.例文帳に追加

本発明の印刷手段を採用した線路形成方法は、銅箔のエッチングを採用せずに線路を形成し、粘着層を用いて金属粉末を粘着し、金属粉末を固化する。 - 特許庁

Then, first dry etching is made to the metal film 24 using a first resist mask 30, further second dry etching is made to the metal film 24 using a second resist mask 31, and dry etching is made twice at the overlapped machining region [C] between a scanning line 12 and an auxiliary capacity line 18, and between a gate electrode 26 and a gate electrode 27.例文帳に追加

次いで第１のレジストマスク３０を用いて金属膜２４に１回目のドライエッチングを行い、更に第２のレジストマスク３１を用いて金属膜２４に２回目のドライエッチングを行い、走査線１２と補助容量線１８間、及びゲート電極２６とゲート電極２７間の重複加工領域［Ｃ］にてドライエッチングを２回実施する。 - 特許庁

By applying etching treatment after forming a melting treatment regions 13 on the object 1 to be machined along the predetermined cutting line by utilizing that the etching rate in the melting treatment regions 13 is higher than the etching rate in an non-melting treatment regions, grooves 26 each having a V-shaped cross section are formed on the object 1 to be machined along the predetermined cutting line.例文帳に追加

非溶融処理領域のエッチングレートよりも溶融処理領域１３のエッチングレートのほうが高いことを利用して、切断予定ラインに沿って加工対象物１に溶融処理領域１３を形成した後に、エッチング処理を施すことにより、切断予定ラインに沿って加工対象物１に断面Ｖ字状の溝２６を形成する。 - 特許庁

To prevent short-circuiting between a bit line and a capacitor contact without using a self-align contact (SAC) process for forming a hard mask film on the upper surface of the bit line and providing a sidewall by etching back a nitride film on the sidewall of the bit line.例文帳に追加

ビット線の上面にハードマスク膜を形成し、ビット線の側壁に窒化膜をエッチバックして形成したサイドウォールを設けるＳＡＣ（セルフアラインコンタクト）プロセスを用いることなくビット線と容量コンタクトとの間の短絡を防止する。 - 特許庁

In the ink chamber, the gap is formed so that the extension line of the wall face of the ink chamber formed by etching may be positioned inside of the gap.例文帳に追加

インクチャンバがエッチングで形成されたインクチャンバの壁面の延長線がこのギャップの内側に位置するようにギャップを作る。 - 特許庁

The through hole is formed by reverse-surface polishing, using back grind, on a recess formed by half-etching on the scribe line of a semiconductor substrate.例文帳に追加

そしてスルーホールは半導体基板のスクライブライン上をハーフエッチングした凹部を、バックグラインドを用いて裏面研磨することで形成する。 - 特許庁

A loop antenna part 2, a balanced line 3, and a perturbation element 4 are formed on a dielectric base 1 by means of printing or etching or the like.例文帳に追加

誘電体基板１上にループアンテナ部２、平衡線路３及び摂動素子４を、印刷やエッチング等の手段により形成する。 - 特許庁

To solve such a problem that metal powder generated in a material for a shadow mask falls off in a resist tank and a pad of a transportation line, and consequently causes an etching failure.例文帳に追加

シャドウマスク材に発生する金属粉はレジスト槽や搬送ラインのパットにて脱落しエッチング不良が発生の原因となる。 - 特許庁

The etching amount in the repair fuse opening process is drastically reduced, so the throughput in the production line is enhanced compared with the conventional repair fuse opening process.例文帳に追加

これにより、リペアヒューズ開口工程で従来に比べてエッチング量が顕著に減るので量産側面でスループットを高められる。 - 特許庁

To provide a method of forming a metal line of an inductor which is suitable for removing polymer produced in UTM reactive ion etching.例文帳に追加

ＵＴＭ反応性イオンエッチングで発生するポリマーを除去するのに好適なインダクタの金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁

This semiconductor wafer etching apparatus includes a shingle sheet type rotating disk or a batch type rotating disk for two or more wafers, is provided with a supply port and a slit for supplying the chemical solution for etching in a manner to cancel the distribution of pressure of the chemical solution on the rotating disk and also includes a line to pressurize an etching vessel.例文帳に追加

枚葉式または２ウェハース以上のバッチ式の回転ディスクを有し、エッチング薬液の供給を回転ディスク上の薬液圧力の分布を打ち消すような供給口とスリットを有し、さらにエッチング槽を加圧できるようなラインを有する半導体ウェハエッチング装置とする。 - 特許庁

In the same process as a process wherein the bit lines 6 is formed on a cell contact interlayer film 8 by etching, etching is so performed that the upper surface of the cell contact 9 which is not connected to the bit line 6 is made lower than the upper surface of the cell contact 9 connected to the bit line 6.例文帳に追加

そして、ビット線６をセルコンタクト層間膜８上にエッチングにより形成する工程と同一の工程において、ビット線６と接続しないセルコンタクト９の上面が、ビット線６と接続するセルコンタクト９の上面よりも低くなるようにエッチングする。 - 特許庁

In the membrane part 3, thereafter, etching holes 7 are formed in parts corresponding respectively to the respective opposite end parts of the one diagonal line DG and the other diagonal line, and an alkaline solution is introduced through the etching holes 7 to form a recess 12 in the main surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加

その後、メンブレン部３において上記１つの対角線ＤＧおよびもう１つの対角線それぞれの両端部に対応する各部位にエッチングホール７を形成し、エッチングホール７を通してアルカリ系溶液を導入してシリコン基板１の主表面に凹所１２を形成する。 - 特許庁

To provide a reliable method of forming a contact plug for preventing short-circuiting between the contact plug and a word line or between the contact plug and a bit line by using a material having an etching speed ratio of 100 or larger for etching speed of a silicon oxide film as an interlayer film forming the self-aligned contact plug.例文帳に追加

自己整合コンタクトプラグを形成する層間膜に、酸化シリコン膜のエッチング速度に対するエッチング速度比が１００以上となる材料を適用し、コンタクトプラグとワード配線、あるいはコンタクトプラグとビット配線のショートを防止する信頼性の高いコンタクトプラグの形成方法を提供する。 - 特許庁

In forming a lower core 13a by etching a lower core layer 13, a broad lower straight-line margin section 13d is formed (process step 2) and in forming an upper core 15 by etching an upper core layer 15, a broad upper straight-line margin section 15d is formed (process step 5).例文帳に追加

下部コア層１３をエッチングして下部コア１３ａを形成する際に、幅広の下部直線マージン部１３ｄを形成し（工程２）、また上部コア層１５をエッチングして上部コア１５ａを形成する際に、幅広の上部直線マージン部１５ｄを形成する（工程５）。 - 特許庁

To form a mask pattern of high dimensional precision by preventing the change of width of a mask pattern line after plasma dry etching to a resist pattern turning to an etching mask, in a forming method of a mask pattern for an EUV lithography.例文帳に追加

ＥＵＶリソグラフィ用のマスクパターン形成方法において、エッチング・マスクとなるレジストパターンに対するプラズマ・ドライエッチング後のマスクパターン線幅変動を防止し、高寸法精度なマスクパターンを形成することを目的とする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device having a video signal line of a bottom gate type TFT meeting respective required conditions of low resistance, dry etching resistance, selective wet etching of a gate insulating film, ≤2 laminated layers, and tapering of section.例文帳に追加

低抵抗、ドライエッチング耐性，ゲート絶縁膜との選択ウェットエッチング、積層数２層以下、断面のテーパ加工の各要件を満たすボトムゲート型ＴＦＴの映像信号線を有する液晶表示装置の提供。 - 特許庁

To provide a gravure printing cylinder that can print an etching resist which can form a wiring pattern composed of a circuit line having an edge, having less unevenness by etching on a base material sheet.例文帳に追加

本発明は、本発明は、凹凸の少ない端縁を有する回路線からなる配線パターンをエッチングにより形成することができるエッチングレジストを基材シートに印刷することができるグラビア版胴を提供する。 - 特許庁

A plasma etching system 1 comprises a processing chamber 2 normally performing plasma etching, and an automatic pressure controller 4 connected with the processing chamber 2 through an exhaust line 3 in order to control the inner pressure of the processing chamber 2.例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置１は、通常、プラズマエッチング処理を行う処理室２と、排気管路３を介して処理室２と接続され、処理室２の内圧を制御する自動圧力制御装置４とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which is conformable to prevent a bit line hard mask from damaging in the case of storage node contact etching.例文帳に追加

ストレージノードコンタクトエッチングの際、ビットラインハードマスクが損傷することを防止するのに適合した半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Instead of the use of the pattern A, an etching mask film is first formed and an auxiliary pattern composed of a pattern L and having a relatively large line width is transferred to the mask film.例文帳に追加

その代わりに、まず、エッチングマスク膜を形成し、そして、パターンＬからなる線幅の比較的大きい補助パターンをその膜に転写する。 - 特許庁