「line-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the nitride film is formed on the sidewall of the bit line without requiring etching-back, thereby easily forming the nitride film having the fixed thickness on the sidewall of the bit line 6 in comparison with the SAC structure.例文帳に追加

また、エッチバックを必要とせずに、ビット線６の側壁に窒化膜を形成するため、ＳＡＣ構造に比べて、ビット線６の側壁に一定の膜厚を有する窒化膜を容易に形成できる。 - 特許庁

As a mask for forming the lamination gate of a memory cell array is used to perform an SAS etching process, another mask for the SAS etching process is unwanted and a process margin in a bit line contact region can be ensured.例文帳に追加

メモリセルアレーの積層ゲートを形成するためのマスクを用いてＳＡＳエッチング工程を行うので、別途のＳＡＳエッチング工程用のマスクを必要とせず、ビットラインコンタクト領域における工程マージンを確保することができる。 - 特許庁

Rotating the wafer 180° and performing the next etching treatment can roughly offset the influence (the difference of etching rate within the chamber, or the difference in the line width by micro-loading effect) specific to the chamber being etched immediately prior.例文帳に追加

ウェハーを１８０°回転させて次のエッチング処理を行うと、直前にエッチング処理したチャンバーにおける固有の影響（チャンバー内におけるエッチング速度の違いや、マイクロローディング効果による線幅の差異）をほぼ相殺することができる。 - 特許庁

Then, in first and second etching processes, the first and second electrode layers 15, 17 are subjected to etching of division patterns 16, 18 along a division line L for dividing the laminate 10 into a plurality of electronic components.例文帳に追加

そして、第１及び第２のエッチング工程において、積層体１０を複数の電子部品に分割するための分割線Ｌに沿った分割パターン１６，１８のエッチングを第１の電極層１５と第２の電極層１７とに行う。 - 特許庁

The liquid crystal display device is provided which has the video signal line of the bottom gate type TFT meeting the respective required conditions of low resistance, dry etching resistance, selective wet etching of the gate insulating film, ≤2 laminated layers, and tapering of section.例文帳に追加

低抵抗，ドライエッチング耐性，ゲート絶縁膜との選択ウェットエッチング，積層数２層以下、断面のテーパ加工の各要件を満たすボトムゲート型ＴＦＴの映像信号線を有する液晶表示装置が提供される。 - 特許庁

The capacitor aperture has a narrower line width and a shallower depth than those of the via aperture to obtain a microloading effect in a plasma etching method that is used for simultaneously etching the capacitor aperture and the via aperture in the substrate.例文帳に追加

キャパシタ・アパーチャは、基板内でキャパシタ・アパーチャおよびバイア・アパーチャを同時にエッチングするために用いられるプラズマ・エッチ法におけるマイクロローディング効果に伴なってバイア・アパーチャよりも狭い線幅およびより浅い深さで形成される。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition for soft X-rays forming a square pattern profile with high sensitivity and high resolution and having excellent LER (line edge roughness) characteristics and dry etching resistance.例文帳に追加

高感度、高解性で矩形なパターン形状を有し、ＬＥＲ特性及びドライエッチング耐性に優れた軟Ｘ線用感放射線性組成物の提供。 - 特許庁

At first, a resist film by a line/space pattern of a vertical direction for layout of element separation is formed on an insulating film 1 to perform first etching.例文帳に追加

絶縁膜１１に対して、まず素子分離のレイアウトに対して縦方向のライン／スペースパターンによるレジスト膜を形成し第１のエッチングを行う。 - 特許庁

By etching, a movable mirror 202 and a twisting beam 208 axially supporting the mirror on a single straight line are formed by penetrating their periphery and separating them from a fixing frame 210.例文帳に追加

エッチングにより可動ミラー２０２および同一直線上で軸支するねじり梁２０８を、その周囲を貫通し固定枠２１０から分離して形成する。 - 特許庁

To provide a positive radiation sensitive resin composition which is superior in line roughness, etching resistance, sensitivity and resolution and can stably form a high precision fine pattern.例文帳に追加

ラインラフネス、エッチング耐性、感度、及び解像度に優れ、高精度な微細パターンを安定して形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a measuring method and device for easily performing exact measurement of an extremely fine line width and quantification about a profile of an etching structure on a pattern wafer.例文帳に追加

極微線幅の正確な測定やパターンウェハ上のエッチング構造のプロファイルに関する定量化が容易に行える測定方法と装置を提供する。 - 特許庁

Then, a window 20 having a stepped part formed of an inclined wall part using the dicing line S as a center is formed by etching the semiconductor substrate 1 from the back.例文帳に追加

次に、半導体基板１を裏面からエッチングしダイシングラインＳを中心とする傾斜壁面からなる段差部を有するウインドウ２０を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive positive resin composition excellent in line roughness, etching resistance, sensitivity and resolution to stably form a high-precision fine pattern.例文帳に追加

ラインラフネス、エッチング耐性、感度、及び解像度に優れ、高精度な微細パターンを安定して形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

After etching is performed with the chlorine-based gas to treat a signal line on a substrate, the substrate is heated by a lamp heater, and the remaining chlorine-based gas is removed.例文帳に追加

塩素系ガスによりエッチングを行い基板上の信号線加工を行った後、ランプヒータにより基板を加熱し、残存する塩素系ガスを除去する。 - 特許庁

To provide a resist composition giving a resist film with high etching durability and reduced LWR (line width roughness) in EUV lithography that can achieve formation of an ultrafine pattern.例文帳に追加

極微細パターンを形成可能なＥＵＶリソグラフィーにおいて、エッチング耐性が高く、ＬＷＲを低減したレジスト膜を与えるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treating apparatus using a film thickness measuring method for accurately measuring the actual amount of remaining film and etching depth of a surface to be treated on-line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定する膜厚測定方法を用いたプラズマ処理装置の提供する。 - 特許庁

An M0 metal 60 is made to adhere to the silicon layer 45, as well as on both sides of non-etching part of the bit-line (M0) layer 50, and forms the left and right bit lines.例文帳に追加

Ｍ０金属６０がシリコン層４５の上とビット線（Ｍ０）層５０の非エッチング部分の両側とに付着され、左右のビット線を形成する。 - 特許庁

The auxiliary pattern 13 forms an etching region where the profile of light to compensate the diffracted part of light on the line edge is controlled as shown in Fig. (c).例文帳に追加

補助パターン１３は図１（ｃ）に示されるように、ラインエッジで光の回折部分を相殺させる光プロファイルの制御がなされるようなエッチング領域である。 - 特許庁

To suppress the generation of ruggedness on a line edge of a gate electrode in the gate lengthwise direction in pattern formation by the etching of the gate electrode using a polysilicon.例文帳に追加

ポリシリコンを用いたゲート電極のエッチングによるパターン形成において、ゲート電極ゲート長方向のラインエッジにおける凹凸の発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a photogravure ink composition for ultraviolet curable resist excellent in reproducibility of thin line parts, suitable for mass-production and capable of printing on the metal foil for etching.例文帳に追加

エッチング用金属箔への印刷が可能で、量産性に適し、細線部の再現性に優れた紫外線硬化型レジスト用グラビアインキ組成物を提供する。 - 特許庁

REMOVAL OF POST RIE SIDEWALL POLYMER RAIL ON AL/CU METAL LINE OF SEMICONDUCTOR OR MICROELECTRONIC COMPOSITE STRUCTURE AND TOOL FOR ETCHING INTEGRATED METAL例文帳に追加

半導体又はマイクロエレクトロニック複合構造のＡｌ／Ｃｕ金属ライン上のポストＲＩＥ側壁ポリマ—レ—ルを除去する方法、及び統合金属エッチングツ—ル - 特許庁

Next, the protection film is removed using the first portion as the etching mask, thereby ends of the drain electrode and the data line are exposed, and the exposed semiconductor layer is removed.例文帳に追加

次に、第１部分をエッチングマスクとして保護膜を除去してドレーン電極とデータ線の端部を露出し、露出された半導体層を除去する。 - 特許庁

A film substrate 12 is partially removed by laser etching or the like by leaving a transmission line pattern 14 so that a connection exposed part 16 can be formed.例文帳に追加

伝送線路パターン１４を残してフィルム基板１２をレーザーエッチング等で部分的に除去することにより、接続露出部１６が形成される。 - 特許庁

The etching line is composed of a just-etched part 30A for performing etching of a predetermined depth, and an over-etched part 30B for giving a inclination to the side edge face of an etching layer etched in the just-etched part 30A.例文帳に追加

基板１００を水平姿勢で水平方向へ搬送しながらその基板１００の表面にエッチング液を供給するエッチングラインを、所定深さのエッチング処理を実施するジャストエッチ部３０Ａと、ジャストエッチ部３０Ａでエッチングされたエッチング層のサイドエッジ面に傾斜を付与するオーバーエッチ部３０Ｂとにより構成する。 - 特許庁

The Lecher line 14 (14a, 14b), the dipole antenna 16 (16a, 16b), and a connection line (18a, 18b) are formed by carrying out etching from a conductor thin film which has been preliminarily formed on the dielectric substrate 12.例文帳に追加

レッヘル線路１４（１４ａ，１４ｂ），ダイポールアンテナ１６（１６ａ，１６ｂ），および接続路（１８ａ，１８ｂ）は、誘電体基板１２上に予め形成された導体薄膜からエッチングすることによって形成される。 - 特許庁

To prevent corrosive disconnection of an auxiliary capacitance line in a consecutive pixel etching step in a manufacturing method of an electrooptical element using a corrosive metal such as Al or an Al alloy as the auxiliary capacitance line.例文帳に追加

ＡｌあるいはＡｌ合金など腐食しやすい金属を補助容量配線に用いた電気光学素子の製造方法において、後続画素エッチング工程における補助容量配線の腐食断線を防止する。 - 特許庁

To provide a thin film metal conductive line capable of preventing the occurrence of voids or seams and preventing undercut phenomena at the time of etching, when the thin film metal conductive line is manufactured, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

薄膜金属導電線を製造するに際して、ボイドまたはシームの発生を防止し、エッチング時にアンダーカット現象を防止することができる薄膜金属導電線、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, the etching liquid flowing through the circulation line 30 is introduced into a filtering tank 20 provided with a dipping membrane 21 and is subjected to suction filtering by the dipping membrane 21, and the filtrate from which SS (suspended solids) are removed is returned to the circulation line 30.例文帳に追加

そして、循環ライン３０を流れるエッチング液を、浸漬膜２１を備える濾過槽２０内に導いて、浸漬膜２１による吸引濾過を行い、ＳＳが除去された濾液を循環ライン３０に戻す。 - 特許庁

To solve a problem of a shrinking wire, a short circuit, or line width failure due to variation of micro gap immersion property of an etching solution occurred while forming a micro wiring, without using a high-precision etching mask forming facility.例文帳に追加

高精度なエッチングマスク形成設備を使用せずに微細配線形成で発生するエッチング液の微細間隙侵入性のばらつきによる配線の細りや短絡不良やエッチング時の基板の面内で発生するライン幅精度不良を解決する。 - 特許庁

In the semiconductor device which does not adopt a SAC structure, a bit contact interlayer film 13, other than the place where a bit line 6 is formed, is removed by etching, and a direct nitride film 19 is then formed all over the upper surface and the side surface of the bit line 6 to cover the bit line 6.例文帳に追加

ＳＡＣ構造を採用していない半導体装置に対して、ビット線６が形成されている場所以外のビットコンタクト層間膜１３をエッチング処理により除去した後に、ダイレクト窒化膜１９をビット線６の上面および側面の全面にビット線６を覆うようにして形成する。 - 特許庁

Corners 40a to 40d having no etching residue are formed to the electrode forming opening 40 by crossing straight line parts 22, 23 of the electrode forming opening 21 with straight line parts 32, 33 of the electrode forming opening 31.例文帳に追加

電極形成開口部４０は、電極形成開口部２１の直線部２２，２３と、電極形成開口部３１の直線部３２，３３とを交差させることで、エッチング残りがない角部４０ａ〜４０ｄが形成されている。 - 特許庁

The etching is continued to a microcrystallized region of an array region 30 of the substrate, and formed with a borderless contact opening between the gate stacks 12 corresponding to the line interconnection such as an opening of the bit line or the like.例文帳に追加

エッチングは、基板のアレイ領域３０における微細結晶化された領域まで連続されて、ライン相互結線、例えばビットラインなどの開口に対応したゲート・スタック１２の間において、ボーダレス・コンタクト用開口を形成している。 - 特許庁

The low impedance-loss line structure has a coaxial line structure chip which is formed of a silver paste layer 11, a carbon graphite layer 12, a conductive polymer layer 14 impregnated in a chemical etching layer, and an aluminum wire 13.例文帳に追加

低インピーダンス損失線路構造は、銀ペースト層１１と、カーボングラファイト層１２と、化成エッチング層に含浸された導電性ポリマー層１４と、アルミニウム電線１３とで形成される同軸線路構造チップから構成されている。 - 特許庁

The resist (r) is removed from the wafer W, the unevenness of the wafer W is measured along a crossing line Lm crossing the test line Le at right angles by using a probe type shape measuring instrument S, and the etching profile of a lot is derived by calculation.例文帳に追加

ウェハＷからレジストｒを除去し、触針式形状測定器Ｓを使用して、テストラインＬｅと直交する横断ラインＬｍに沿ってウェハＷの凹凸を測定し、計算によりロットのエッチングプロファイルを導き出す。 - 特許庁

The lowering of resistance of electrode wire is realized without using vacuum film formation equipment and a vacuum etching device by plating the copper on the exposed electrode wire (a scanning line and a signal line) and then, forming an organic insulation layer on the wire by electrodeposition.例文帳に追加

露出した電極線（走査線と信号線）上に銅を鍍金で、引き続き有機絶縁層を電着で形成することにより、真空製膜装置と真空食刻装置を用いることなく電極線の低抵抗化が実現する。 - 特許庁

To provide aluminum foil for printed circuit by which, when forming a printed circuit, chemical solubility at etching can be improved and further the edge shape of a circuit line can be improved.例文帳に追加

印刷回路の生成に際し、エッチング時の化学溶解性が良好で、さらに回路線の際形状が良好となる印刷回路用アルミニウム箔を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron plasma magnetic field generator, capable of controlling an angle of a line of magnetic force on a wafer surface for obtaining uniformity of etching.例文帳に追加

本発明の目的は、エッチングの均一性を得るためにウエハ面における磁力線の角度を制御できるマグネトロンプラズマ磁場発生装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a curable composition for nanoimprint which causes no mold contamination or pattern defect even after repeated pattern transfer and excels in line edge roughness after dry etching.例文帳に追加

繰り返しパターン転写を行ってもモールド汚れ、パターン欠陥が発生せず、かつドライエッチング後のラインエッジラフネスに優れるナノインプリント用硬化性組成物を提供する。 - 特許庁

By inserting the masking member, the distance between the counter electrode face and the article face can be stably set to achieve production stability of an etching line.例文帳に追加

マスキング部材を挟み込むことで、対向電極面と被エッチング物面との距離を安定的に設定することができ、エッチングラインの製造安定性を得ることができる。 - 特許庁

A polysilicon film 86 is removed by etching so that the polysilicon film 86 is left on the whole face of a source line formation region 88, and one part of a floating gate is patterned.例文帳に追加

ソース線形成領域８８全面にポリシリコン膜８６が残るように、ポリシリコン膜８６をエッチング除去し、フローティングゲートの一部分のパターンニングをしている。 - 特許庁

To provide a dry etching system having a function of intermediate length measurement for producing a photomask in which the pattern line width of a dry-etched metal film always satisfies dimensional specifications.例文帳に追加

ドライエッチングした金属膜のパターン線幅が常に寸法規格を満たしたフォトマスクを作製する中間測長機能を備えたドライエッチングシステムを提供する。 - 特許庁

GaN layers 13a, 13b and the AlN buffer layer 12 are removed to a substrate by dry etching by using a resist and the SiO2 film 14 as a mask and using chlorine gas, and a line and space pattern is formed.例文帳に追加

レジストとSiO_2膜14をマスクとして、塩素系のガスを用いてGaN層13a、13bおよびＡｌＮバッファ層12をドライエッチングにより基板まで除去して、ラインアンドスペースのパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a magnetic neutral line discharge plasma generation device for ion implantion system, plasma etching system, plasma CVD system or the like, which is free of interference or disturbances by an external magnetic fields.例文帳に追加

外部磁場による干渉や擾乱等のない、イオン注入装置、プラズマエッチング装置、プラズマＣＶＤ装置等用の磁気中性線放電プラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

In this way, the scribing line 14 is removed and the wafer 11 is chipped by performing etching to the wafer 11 to a portion at about 100 μ apart from the surface of the Si wafer 11.例文帳に追加

こうして、半導体Ｓｉウエハ１１の表面から約１００μのところまでエッチングを行うことにより、スクライブライン１４が除去されてチップ化が達成される。 - 特許庁

At patterning the remaining part of the floating gate and the control gate, a recessed part prevented from being formed due to the excessive etching of the source line formation region 88 is eliminated.例文帳に追加

したがって、フローティングゲートの残りの部分及びコントロールゲートのパターンニングをする際、ソース線形成領域８８が過度にエッチングされ、凹部が形成されるということがなくなる。 - 特許庁