「line-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

When etching a first inter-layer dielectric film 9, a XeF2 gas is used; when patterning a bit line 10 composed of a silicide film, a BrF3 is used; and when forming a storage node 12 composed of a polysilicon film, a BrCl gas is used.例文帳に追加

シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜９をエッチングする際にはＸｅＦ2 ガスを、シリサイド膜からなるビット線１０をパターニングする際にはＢｒＦ3 ガスを、ポリシリコン膜からなるストレージノード１２を形成する際には、ＢｒＣｌガスを用いる。 - 特許庁

To provide a semiconductor element manufacturing method which buries an insulating film between gate patterns in place of a photo-sensitive film when implanting ions into a semiconductor substrate of lower portion of a bit line contact area, etches it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, can prevent a leakage current of a cell transistor.例文帳に追加

ビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of forming storage electrodes of a semiconductor device and also a method of forming a semiconductor, the composition and vapor-deposition conditions of each of a bit line hard mask nitride film and a bit line nitride film spacer are varied so that the two nitride films are formed to have different compositions and also to have different etching ratios.例文帳に追加

本発明は半導体素子の格納電極形成方法に関し、ビットラインハードマスク窒化膜と窒化膜スペーサそれぞれの成分と蒸着条件を変化させることにより、前記２つの窒化膜の組成が異なるよう形成され互いに異なる食刻比率を有するようにする半導体素子の形成方法に関するものである。 - 特許庁

The pattern manufacturing system comprises exposure to directly draw a resist overlying on a copper foil formed on both the faces of the substrate by using the line width of the pattern line and an exposure amount designated by processing pattern data 100, forming a resist pattern by developing the exposed resist, and forming a pattern by etching the copper foil of both the faces of the substrate forming the resist pattern.例文帳に追加

加工用パターンデータ１００により指定されたパターン線の線幅と露光量を用いて、基板の両面に形成された銅箔上にラミネートされたレジストに直接描画して露光し、露光されたレジストを現像してレジストパターンを形成して、レジストパターンが形成された基板の両面の銅箔をエッチングしてパターンを形成する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a rectangular pattern in the production of a semiconductor device and ensures low edge roughness of a line pattern and a small dimensional shift in the transfer of a pattern to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物をを提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a wiring board that inhibits the generation of undercuts in an electroless copper plating layer in seed etching, and enables extra-fine wiring having a size of line/space of 10/10 μm or smaller, when a wiring board is manufactured by using a semi-additive method.例文帳に追加

セミアディティブ法を用いて配線基板を製作する際して、シードエッチングにおける電解銅めっき層のアンダーカットの生成を抑制し、ライン／スペースが１０／１０μｍ以下の極細配線が可能な配線基板の製造方法および配線基板を提供する。 - 特許庁

The formation of the AlN layer 1013 at the end portion of the Al alloy layer 1011 can prevent the formation of an inversely tapered cross section of the scan line which is caused by side-etching of the Al alloy layer 1011 due to alkali formed from peeling liquid and water during a resist-peeling process.例文帳に追加

Ａｌ合金層１０１１の端部にＡｌＮ層１０１３が形成されているので、レジスト剥離を行う際に、剥離液と水で形成されるアルカリによって、Ａｌ合金層１０１１がサイドエッチされて走査線断面が逆テーパとなることを防止できる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition satisfying the requirements of wide exposure latitude, reduction in line edge roughness, a desirable pattern configuration and dry etching resistance and giving a pattern with few defects after development, and to provide a method for forming a pattern by use of the above composition.例文帳に追加

広い露光ラチチュード、ラインエッジラフネスの低減、良好なパターン形状及びドライエッチング耐性を満たし、更に現像後の欠陥が少ないパターンを形成することができるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

The dry etching of a conductive film is performed by plasma generated through the ECR resonance of an electromagnetic wave and a magnetic field which are generated by supplying UHF power to a micro strip line 4 installed on the face on the atmospheric side of a dielectric 2 to separate the inside and outside of a vacuum.例文帳に追加

真空の内外を分離する誘電体２の大気側の面に設置されたマイクロストリップライン４にUHF電力を供給することによって発生した電磁波と磁場のECR共鳴によってプラズマを生成し、このプラズマにより導電膜のドライエッチングを行う。 - 特許庁

Consequently, a phenomenon can be sharply suppressed that ruggedness may be generated on the line edge of the gate electrode due to etching using a silicon oxide film hard mask layer having ruggedness caused by wavy ruggedness generated on the surface of the polysilicon layer in a conventional method.例文帳に追加

これにより、従来の方法である、ポリシリコン層表面に生じたうねり状の凹凸に伴った凹凸を有するシリコン酸化膜ハードマスク層を用いてのエッチングによる、ゲート電極のラインエッジでの凹凸発生の現象を、大幅に抑えることが可能となる。 - 特許庁

A contact hole is formed so as to expose the conjunction part 21 by etching a dielectric film 22, a dielectric film 23 of spacer is formed on the sidewall of the contact hole, and then a dopant which is same as the dopant of the lower conjunction layer, including the conjunction part, is added to the surface of a bit-line contact.例文帳に追加

絶縁膜２２をエッチングして接合部２１が露出するようにコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールの側壁にスペーサー絶縁膜２３を形成した後、ビットラインコンタクト表面に接合部を含む下部接合層のドーパントと同一のドーパントを追加する。 - 特許庁

To provide a multi-layered printed wiring board which solves the problem that a copper wiring pattern is given large damage in a final soft etching process and inter-line insulation reliability is low since a base copper layer between copper wiring pattern which becomes unnecessary can not be completely removed.例文帳に追加

最後のソフトエッチング工程では銅配線パターンに強いダメージを与え、しかも銅配線パターン間の不要となった下地銅層を完全に除去できず、線間絶縁信頼性が低かったという問題を解決多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

A 1-bit self-aligned SONOS cell that improves homogeneity failure between odd and even number SONOS inter-cells stemmed from the differences of oxyniride film lengths caused by misalignment that occurs at the time of the word line etching of the self-aligned 1-bit SONOS cell, and its forming method are provided.例文帳に追加

１ビットＳＯＮＯＳセルのワードラインエッチング時に発生しうるミスアラインによる窒化膜長さの差のために発生する奇数／偶数ＳＯＮＯＳセル間の均一性不良が改善できる自己整列型１ビットＳＯＮＯＳセル及びその形成方法である。 - 特許庁

After making a desired wiring pattern and a pattern plating for depositing a metal on the minimum required part by opening the protective resist and applying an electricity in the vicinity thereof, the protective resist is removed, and unnecessary seed layers including a scribe line are collectively removed by a wet etching.例文帳に追加

所望の配線パターン、及び、その近傍で保護レジストを開口して通電し、必要最小限の部分に金属を堆積させるパターンめっきを行った後に、保護レジストを除去し、ウエットエッチングによりスクライブラインを含めた不要なシード層を一括して除去する。 - 特許庁

Since the wavelength regions of the first, second, third, and fourth lights do not overlap with the wavelength region of the bright line of Ar, even when Ar gas is used, any error on measurements is so not generated as to be able to judge the completion time of etching by summing the intensities of the first, second, third, and fourth lights, more precisely than conventional methods.例文帳に追加

第一〜第四の光はＡｒの輝線と波長領域が重ならないので、Ａｒガスを用いた場合でも測定誤差が生じず、第一〜第四の光の強度を加算することで、エッチング終了時期の判断がより正確に行われる。 - 特許庁

To fabricate a semiconductor device having a high performance multilevel metallization structure with high yield by forming an insulation film for forming an interconnect line in a plurality of layers, and imparting each insulation film with such functions as low dielectric constant, polish stopper, etching stopper, or the like.例文帳に追加

配線を形成する絶縁膜を複数層に形成し、それぞれの絶縁膜に低誘電率、研磨ストッパー、エッチングストッパ等の機能を持たせることで、高性能な多層配線構造を有する半導体装置を高い歩留まりで製造することを可能とする。 - 特許庁

To obtain a non-reciprocal circuit element which has high productivity and superior characteristics by evading the problem of an etching method that the manufacturing time is long and variations in line width is large and the problem of a punching method that an element is easy to bend or curve when transported alone for supply.例文帳に追加

製造時間が長く、線幅のばらつきが大きなエッチング法による問題や、単品での供給に際して、輸送時に折れや曲がりが発生し易いという打ち抜き法による問題を回避して、生産性が高く、特性の優れた非可逆回路素子を得る。 - 特許庁

To provide a method for producing a polyol compound for photoresists which can reduce line edge roughness (LER) and can efficiently obtain a high purity polyol compound for photoresists useful in preparing a resist composition having excellent resolving power and etching resistance.例文帳に追加

ＬＥＲを低減することができ、且つ、解像性及び耐エッチング性に優れるレジスト組成物を調製するために有用なフォトレジスト用ポリオール化合物を高い純度で効率よく得ることができるフォトレジスト用ポリオール化合物の製造方法を提供する。 - 特許庁

This electrode degradation preventing system comprises an electrode 12 which is provided in a reaction chamber 10 of an etching device and supports a substrate 26 to be etched and has a plurality of openings 24, and a gas line 122 for supplying a gas passing through respective openings 24 to prevent the adherence of the deposited materials onto the openings 24 during the pre-process or post-process of the etching processing.例文帳に追加

電極部劣化防止機構は、エッチング装置の反応室１０に設けられる電極部であって、エッチング処理される基板２６を支持するとともに、開口部２４を複数有する電極部１２と、エッチング処理の前工程または後工程における、開口部２４に対する堆積物の付着を防止するため、開口部２４のそれぞれに通気されるガスを供給するためのガスライン１２２とを具える。 - 特許庁

The method for manufacturing a halftone phase shift mask includes steps of forming the MoSi halftone phase shift film having a film thickness giving the phase difference of ≤135° on the quartz glass substrate by reactive sputtering and etching the quartz glass substrate using a chromium film as a mask by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma with addition of a gas having an effect of protecting a side wall to the process gas.例文帳に追加

また、本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクの製造法は、石英ガラス基板上に、反応性スパッタリング法によりＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を位相差が１３５°以下となるような膜厚に成膜し、続いてクロム膜をマスクとして、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングによりプロセスガスに側壁保護効果をもつガスを添加して、石英ガラス基板をエッチング処理することから成る。 - 特許庁

In a step of etching the passivation film 336, a through-hole 344 having the size including the width of the wiring 330 inside is formed in the passivation film 336, on a position furthermore in the cutting line direction of a substrate 310 than a drain electrode 334 and a source electrode 332 of the wiring 330.例文帳に追加

パッシベーション膜３３６をエッチングする工程で、配線３３０の、ドレイン電極３３４及びソース電極３３２よりも基板３１０の切断ライン方向の位置で、配線３３０の幅を内側に含む大きさの貫通穴３４４をパッシベーション膜３３６に形成する。 - 特許庁

To provide copper foil which has a high etching factor, has the excellent straightness of the bottom line of a circuit pattern, leaves no copper grains in circuit pattern resin, can produce a fine pattern, has excellent visibility, and has a reduced high frequency transmission loss, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

本発明は、高いエッチングファクターを持ち、回路パターンのボトムラインの直線性に優れ、なおかつ回路パターンの樹脂中に銅粒子が残ることなく、ファインパターンが作製でき、視認性に優れ、高周波伝送ロスの少ない銅箔並びにその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

A word line structure 124 is formed by patterning the electrically conductive film 108, and a blocking film pattern 126 and a charge trapping film pattern 128 are formed by etching the blocking film 106 and the charge trapping film 104 respectively using an acidic solution as an etchant.例文帳に追加

ワードライン構造物１２４は、導電膜１０８をパターニングすることによって形成され、ブロッキング膜パターン１２６及び電荷トラッピング膜パターン１２８は、酸性溶液をエッチング液に用いてブロッキング膜１０６及び電荷トラッピング膜１０４をエッチングすることによって形成される。 - 特許庁

To provide a plasma generator capable of generating lengthy line plasmas with uniformity and a high density; and to provide a film forming device capable of forming film on a large area substrate, an etching device, a surface treatment device, and an ion implantation device, by utilizing the above plasma generator.例文帳に追加

均一で高密度な長尺のライン状プラズマを生成することが可能であるプラズマ発生装置、及びこのプラズマ発生装置を利用した大面積基板への成膜が可能である成膜装置、並びにエッチング装置、表面処理装置、イオン注入装置を提供すること。 - 特許庁

A first etching stopper electrode 20P connected to a drain electrode 16D, and a common electrode 20 connected to a drawing line 16C are formed through a passivation film 17 which covers a pixel transistor TR, and contact holes H8 and H9 formed on a planarized film 18.例文帳に追加

画素トランジスタＴＲを覆うパッシベーション膜１７及び平坦化膜１８に形成されたコンタクホールＨ８，Ｈ９を通して、ドレイン電極１６Ｄに接続する第１のエッチングストッパー電極２０Ｐと、引き出し線１６Ｃに接続する共通電極２０を形成する。 - 特許庁

To provide a resist polymer capable of obtaining a resist composition which excels in a pattern shape, resistance to dry etching, line width stability against the change in heating temperature after exposure and the like and has sufficient sensitivity and an excellent image resolving degree, and a resist monomer for obtaining the polymer.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、露光後の加熱温度の変化に対する線幅安定性等に優れ、十分な感度を有し、解像度にも優れるレジスト組成物を得ることができるレジスト用重合体、および該重合体を得るためのレジスト用単量体を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printed circuit board, which is effective in thinning of line and high precision of a circuit pattern in a build-up printed wiring board capable of high density wiring and high density mounting, by preventing thickening of etching margin of the circuit pattern caused by copper plating used in interlayer connection.例文帳に追加

高密度配線および高密度実装が可能なビルドアッププリント配線板において、層間接続のための銅めっきにより配線パターンのエッチング代が厚くなるのを阻止し、細線化と配線パターンの高精度化にも有効なプリント配線板の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that while securing sufficient EM resistance for wiring, reduces inter-wiring-layer and inter-line leaks, increases a TDDB life, and secures a high selection ratio during via-hole etching to have high-reliability wiring, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

配線に十分なＥＭ耐性を確保しつつ、配線層間・線間リークを低減しかつＴＤＤＢ寿命を向上することができるとともに、ビアエッチの際に高選択比を確保して高信頼性な配線を得ることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrically conductive light shielding film 124 is circularly left on the outer peripheral part of the TFT substrate 110 in order to make the upper light shielding film of a scribe line side hard to peel during etching and cleaning when the upper light shielding film is formed on the TFT substrate 110.例文帳に追加

導電性遮光膜１２４は、ＴＦＴ基板１１０に上層遮光膜を形成する場合に、スクライブライン側の上層遮光膜がエッチング時や洗浄時に剥離しにくくするため、ＴＦＴ基板１１０の外周部に環状に残すようにしたものである。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in dry etching resistance, sensitivity, resolution, etc., as a chemical amplification type resist, capable of avoiding a change of the line width of a resist pattern due to a change of the time elapsed from exposure to post-exposure heating and having superior process stability.例文帳に追加

化学増幅型レジストとして、ドライエッチング耐性、感度、解像度等に優れるとともに、露光から露光後の加熱処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変動を回避でき、優れたプロセス安定性を示す感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Hereby, when the aluminum of low specific resistance as the metal film 106 is used, for example, and a via hole 120 is coupled with a bit line formed of the aluminum metal film 106, the aluminum metal film 106 can be restrained from being damaged without separately forming an additional film only by changing the etching gas.例文帳に追加

それによって、たとえば比抵抗が低いアルミニウムを金属膜１０６として用い、そのアルミニウム金属膜１０６によるビットラインにビアホール１２０を連結する際、エッチングガスを変化させるだけで別途に追加膜を形成せずともアルミニウム金属膜１０６のエッチング損傷を抑制できる。 - 特許庁

To provide a positive resist material, in particular a chemically amplified positive resist material, which surpasses a conventional positive resist material, has high sensitivity, high resolution, exposure margin and process adaptability, ensures a good pattern shape after exposure and particularly small line edge roughness, and exhibits superior etching resistance.例文帳に追加

従来のポジ型レジスト材料を上回る高感度及び高解像度、露光余裕度、プロセス適応性を有し、露光後のパターン形状が良好であり、特にラインエッジラフネスが小さく、さらに優れたエッチング耐性を示すポジ型レジスト材料、特に化学増幅ポジ型レジスト材料を提供する。 - 特許庁

A source-electrode contact hole 14 and an external-connection-terminal contact hole 32 for a drain line are formed in an overcoat film 13 made of a silicon nitride by dry etching, as well as, external-connection terminal contact hole 22 is continuously formed in the overcoat film 13 and in a gate insulating film 4, respectively.例文帳に追加

ドライエッチングにより、窒化シリコンからなるオーバーコート膜１３にソース電極用コンタクトホール１４およびドレインライン用外部接続端子用コンタクトホール３２を形成し、且つ、オーバーコート膜１３およびゲート絶縁膜４にゲートライン用外部接続端子用コンタクトホール２２を連続して形成する。 - 特許庁

The side of the silicon-made cap chip is formed by wet etching, and an insulation protecting film is formed on the wet-etched surface, thereby forming the insulation protecting film having a high adhesion force; whereby even if wires moves and come into contact with a cap chip side at resin-molding, generation of noises and line short circuiting can be prevented.例文帳に追加

シリコン製キャップチップの側面をウェットエッチングで形成し、ウェットエッチング面に絶縁性保護膜を形成することで、密着力の高い絶縁性保護膜が形成でき、樹脂モールド時にワイヤーが動いてキャップチップ側面に接触しても、ノイズの発生や線間短絡を防止できる。 - 特許庁

To provide a three-dimensional shape measuring device which obtains cross section shape pattern information useful for determining etching process conditions using in-line SEM images obtained by non-destructive manner, and to realize effective process control by obtaining section shape pattern information using a SEM which is non-destructive and relatively easy to measure.例文帳に追加

エッチングプロセス条件決定に有効なパターン断面形状情報の取得を非破壊で観察可能なインラインＳＥＭの画像を用いて行い、また非破壊で比較的容易に測定が可能なＳＥＭによって断面形状情報を取得することで、効率のよいプロセス制御を実現する。 - 特許庁

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition which simultaneously satisfies sensitivity, resolution, pattern shape, line edge roughness and dry etching resistance, in lithography especially using an electron beam, an X-ray or an EUV ray, and to provide a resist-film and pattern formation method utilizing the same.例文帳に追加

特に電子線、Ｘ線又はＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像力、パターン形状、及びラインエッジラフネス、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物並びにそれを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

After narrowing and thinning the electrode layer 24 as indicated by a solid line by an isotropic etching processing, an n^--type source region 32 and an n^--type drain region 34 are formed by the ion implantation processing with the lamination of the electrode layer 24 and the insulating film 20, and the insulating film 16 as the masks.例文帳に追加

等方性エッチング処理により電極層２４を実線で示すように細く且つ薄くした後、電極層２４及び絶縁膜２０の積層と絶縁膜１６とをマスクとするイオン注入処理によりＮ^−型ソース領域３２及びＮ^−型ドレイン領域３４を形成する。 - 特許庁

In the sample producing method, a groove section 12 is formed by etching / removing the periphery of a region, including a prescribed test point 7 disposed on the surface of the semiconductor wafer 14 treated in prescribed processes in a semiconductor device production line, and the region including the prescribed test point 7 is made thin.例文帳に追加

半導体デバイス製造ラインで所定の処理を施した半導体ウエハ１４に対し、ウエハ表面に形成された所定の検査箇所７を含む領域の周辺部をエッチング除去して溝部１２を形成するとともに所定の検査箇所７を含む領域を薄片化する。 - 特許庁

To provide a positive resist composition having high sensitivity and high resolving power in the production of a semiconductor device, having a rectangular shape, ensuring low edge roughness of a line pattern and causing a small size shift, in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、高感度であって高解像力を有し、しかも矩形形状を有し、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、更に酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供することである。 - 特許庁

When the resist is actually exposed and developed and lithography with its resist pattern as an etching mask is performed, the quantity of light or design image data is corrected on the basis of the obtained correction data, so that a desired finished line width can be achieved even for the resist pattern having a small taper angle.例文帳に追加

実際にレジストを露光、現像して、そのレジストパターンをエッチングマスクとしたリソグラフィを行う際に、先に求めた補正データに基いて光量を補正又は設計画像データを修正することで、小さなテーパー角を有するレジストパターンであっても、所望の仕上り線幅を実現することができる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for a chemically amplifying resist having excellent sensitivity even at a low PEB (post exposure baking) temperature, highly balanced lithographic performances such as LWR (line width roughness) and DOF (depth of focus), and sufficient etching durability, and to provide a pattern forming method, a polymer and a compound of the composition.例文帳に追加

ＰＥＢ温度が低温であっても、感度等に優れ、ＬＷＲ、ＤＯＦ等のリソグラフィー性能が高度にバランスし、エッチング耐性をも十分に満足する化学増幅型レジスト用の感放射線性樹脂組成物、そのパターン形成方法、その重合体、及び化合物を提供する。 - 特許庁

The halftone phase shift mask is produced by forming a MoSi-based halftone phase shift film having a film thickness giving a phase difference of ≤135° on a quartz glass substrate and engraving the quartz glass substrate with high perpendicular property and in-plane uniformity by dry etching by magnetic neutral line discharge plasma.例文帳に追加

本発明によるハーフトーン型位相シフトマスクは、石英ガラス基板上に、位相差が１３５°以下となるような膜厚をもつＭｏＳｉ系のハーフトーン位相シフト膜を設け、磁気中性線放電プラズマによるドライエッチングで石英ガラス基板を垂直性よく且つ面内均一性よく掘り込んで構成される。 - 特許庁

When a trouble occurs due to the etching residue 15 of the conductive film between cells C_2-2 and C_2-3 formed on a semiconductor substrate 10, a step is added for specifying the trouble occurring position through inspection, and preventing the scanning line 2c to be connected to the cell C_2-3 from being connected to the cell C_2-3.例文帳に追加

半導体基板１０上に形成されたセルＣ_２−２とセルＣ_２−３間に導電膜のエッチング残り１５による不良が発生した場合、検査により不良位置を特定し、セルＣ_２−３と接続されるべき走査線２ｃがセルＣ_２−３と接続しないようにする工程を追加する。 - 特許庁

To provide a method and a device capable of trimming without causing waviness on a fracture surface when trimming for separating an unnecessary part provided between product parts from a discrete metal sheet in a state of etching processed, providing trimming line parts thereon, and having the multiple product parts laid out providing unnecessary parts between the product parts.例文帳に追加

エッチング加工され、トリミング線部を設け、製品部が複数個、製品部間に不要部を設けて面付けされている状態の、枚葉の金属シートから、製品部間に設けられた不要部を分離するトリミングの際に、その破断面に波打ちを発生させずにトリミングが行なえる方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide an active light-sensitive or radiation-sensitive resin composition that simultaneously satisfies sensitivity, resolution, a pattern form, line edge roughness, resist temporal stability, and dry etching resistance, especially in lithography using electron beam, X-ray, or EUV light as a source of exposure light; and also to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

特に露光光源として電子線、Ｘ線またはＥＵＶ光を用いるリソグラフィーにおいて、感度、解像性、パターン形状、及びラインエッジラフネズ、レジスト経時安定性、ドライエッチング耐性を同時に満足する感活性光線性または感放射線性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供。 - 特許庁