an isotropic etchingとは 意味・読み方・使い方

An anisotropic etching groove portion 10 in the drilled hole 9 is formed in a crystalline anisotropic etching process, then an isotropic etching process is selectively applied to the ion injection portion from the bottom side, and thereby, an isotropic selection etching groove portion 11 is formed.例文帳に追加

そして、穿設孔９の異方性エッチング溝部１０を結晶異方性のエッチング加工によって形成した後に、その底部側からイオン注入部位に等方性のエッチング加工を選択的に施すことにより、等方性選択エッチング溝部１１を形成する。 - 特許庁

To provide a method of removing copper by isotropically etching the copper using a formulation and an isotropic copper etching formulation.例文帳に追加

調合物及び等方性銅エッチング調合物を利用して銅を等方的にエッチングして除去する方法を提供する。 - 特許庁

The second light shielding layer 22 is subjected to over-etching by isotropic etching using an etchant having an etching rate to the second light shielding layer 22 greater than the etching rate to the first light shielding layer 21 using the resist mask.例文帳に追加

該レジストマスクを利用し、第１遮光層２１へのエッチングレートよりも、第２遮光層２２へのエッチングレートの大きいエッチング液を用いて、第２遮光層２２を等方性エッチングにてオーバーエッチングする。 - 特許庁

In the case of an isotropic etching process, meanwhile, mixed gas including at least oxygen gas is introduced.例文帳に追加

一方、等方性エッチング処理を行う場合、少なくとも酸素ガスを含む混合ガスを導入する。 - 特許庁

This piezo-resistance device can be formed by using isotropic etching, anisotropic chemical etching, and an insulation material growth.例文帳に追加

本発明によるデバイスは、等方性ウェットエッチングや、異方性化学的エッチングや、絶縁体材料成長プロセスを使用して、形成することができる。 - 特許庁

The supporting sections 20 and void sections 21 are formed by etching the substrate 1 through an etching process in which at least one isotropic etching step is performed prior to at least one anisotropic etching step.例文帳に追加

尚、支持部２０及び空隙部２１は少なくとも一回の等方性エッチング工程が少なくとも一回の異方性エッチング工程に先行してなるエッチング工程による基板１のエッチングによって作製される。 - 特許庁

After the mask material is removed, the upper-end part corner A of the element isolation insulating film 14 is receded by an isotropic etching.例文帳に追加

マスク材を除去した後、等方性エッチングにより素子分離絶縁膜１４の上端部コーナーＡを後退させる。 - 特許庁

Then, a kind of etching gas is changed and the remaining thickness of the conductive film 4A is etched by isotropic etching and thus an edge C of the bottom of the conductive film 4A is reduced.例文帳に追加

その後、エッチングガスの種類を変え、等方性エッチングにより導電性膜４Ａの残りの膜厚をエッチングし、導電性膜４Ａの底部の角Ｃを削り取る。 - 特許庁