「line-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

A straight line drawn on the surface in the part to be observed for shape observation is formed by local CVD or etching using a focused ion beam, and the straight line drawing direction on the sample surface in the part to be observed for shape observation and the sample stage tilting direction cross each other at right angles.例文帳に追加

形状を観察したい個所の試料表面に引く直線は、局所ＣＶＤ若しくは集束イオンビームを用いたエッチングによって施し、形状を観察したい個所の試料表面に引く直線の方向と試料ステージの傾斜方向は、直交するようにとる。 - 特許庁

Further, a fourth insulating film 10 is deposited on the first insulating film pattern 9, a resist pattern is formed again, and spacer processing and anisotropic etching processing are performed to form a spacer part with the width F/2 on a line part of the first insulating film pattern 9 and form a line and spacer pattern with a pattern pitch F.例文帳に追加

更に、第１の絶縁膜パターン９上に第４の絶縁膜１０を堆積させ、再びレジストパターン形成、スペーサ加工、及び異方性エッチング処理を施すことで、第１の絶縁膜パターン９のライン部にＦ／２の幅のスペース部を形成してパターンピッチＦのラインアンドスペースパターンを形成する。 - 特許庁

A bridge element 26 is extended to the air gap 24, and the element 26 has an electric suspension connection line 28, which electrically connects the first and the second regions 23 and 45, and the protective structure 29 made of etching resist material and surrounding the electric connection line 28 on the whole side face.例文帳に追加

エアギャップ（２４）上にブリッジ素子（２６）が延び、この素子は第１および第２の領域（２３、４５）を電気的に接続する懸垂電気接続ライン（２８）と、全側面において電気接続ライン（２８）を取り囲むエッチングレジスト材料の保護構造（２９）とを有している。 - 特許庁

The initial resist pattern 22 in the lattice shape is anisotropically etched by using a method for plasma etching etc., to form a lattice-shaped resist pattern 23 which is reduced in line width and further the plasma etching is carried on to form a resist pattern 24 in a pillar shape and a pillar-shaped resist pattern 25 of desired shape at an intersection part.例文帳に追加

プラズマエッチングなどの手法を用いて、格子状の初期レジストパターン２２を等方的にエッチングし、線幅が縮小された格子状レジストパターン２３を、さらに、プラズマエッチングをさらに進め、交点部にピラー形状のレジストパターン２４及び所望の寸法のピラー形状レジストパターン２５を形成する。 - 特許庁

This method for evaluating the etching accuracy comprises forming a test pattern 2 for measuring resistance including test patterns 21-24 each with a predetermined width and a space between lines arranged in rows and columns on all over the test substrate, measuring a resistance value after etching, and assuming a finished state of a circuit pattern by converting the resistance value into the widths of the line.例文帳に追加

縦、横に配列された所定線幅および線間のテストパターン２１〜２４を含む抵抗測定用テストパターン２をテスト基板の全面にわたって形成し、エッチング後に抵抗値を測定し、その抵抗値を線幅に換算して回路パターンの仕上がり状態を想定しエッチング精度を評価する。 - 特許庁

A method for fabricating a semiconductor device includes etching a substrate to form a trench, forming a junction region in the substrate under the bottom of the trench, etching the bottom of the trench to a certain depth to form a side wall junction region, and forming a bit line coupled to the side wall junction region.例文帳に追加

基板をエッチングしてトレンチを形成するステップと、前記トレンチ底面の基板内に接合領域を形成するステップと、前記トレンチ底面を一定の深さエッチングして側壁接合領域を形成するステップと、前記側壁接合領域に接続するビットラインを形成するステップと、を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁

To provide a negative pattern formation method that allows excellent roughness performance such as line width roughness, exposure latitude, and dry etching resistance, and an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition and a resist film used for the same.例文帳に追加

ラインウィズスラフネス等のラフネス性能、露光ラチチュード及び耐ドライエッチング性能に優れたネガ型パターン形成方法、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜を提供する。 - 特許庁

An alignment mark structure associated includes a ground layer 5 having a line-shaped pattern located below an alignment mark 8, and a metal diffusion preventing/etching stopper layer 6 between the ground layer 5 and the alignment mark 8.例文帳に追加

本発明に係るアライメントマーク構造は、アライメントマーク８の下方に、ライン状のパターンを有する下地層５を備え、さらに、下地層５とアライメントマーク８との間に、金属拡散防止兼エッチングストッパ層６を備える。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition excellent in resolution, line edge roughness and etching resistance, and excellent in sensitivity and a pattern profile; and to provide a pattern forming method using the composition.例文帳に追加

解像度、ラインエッジラフネスおよびエッチング耐性に優れ、かつ感度及びパターン形状に優れる感活性光線性または感放射線性組成物およびそれを用いたパターン形成方法を提供すること。 - 特許庁

In a process for patterning the wiring 30, etching is performed so as to cut the wiring 30 so that the semiconductor layer 20 is left as it is, on a position furthermore in the cutting line direction of the substrate 10 than the drain electrode 32 or the source electrode 34.例文帳に追加

配線３０をパターニングする工程で、ドレイン電極３２又はソース電極３４よりも基板１０の切断ライン方向の位置で、半導体層２０を残すように配線３０を切断するようにエッチングする。 - 特許庁

A line-shapes semiconductor pattern 104 extending in the first direction is formed at a lower part of the conductive layer pattern 122 by etching the substrate 100 at a portion which is exposed due to the patterning of the conductive layer 120.例文帳に追加

導電層１２０をパターニングするとき露出する半導体用基板１００をエッチングして導電層パターン１２０の下部に第１方向に延長する線形の半導体パターン１０４を形成する。 - 特許庁

To provide a polymer compound excellent in resolution in exposure to an ArF excimer laser and dry etching resist, capable of suppressing line edge roughness small and useful for a base resin for use in a radiation sensitive resist.例文帳に追加

特にＡｒＦエキシマレーザー露光における解像性とドライエッチング耐性に優れ、ラインエッジラフネスを小さく抑えることができる感放射線レジスト用のベース樹脂として有用な高分子化合物の提供。 - 特許庁

To provide a polymer for a photoresist having high transmittance, etching resistance, thermal resistance, adhesiveness and low light absorbance, and high affinity for a developer in order to obtain a pattern improved of LFR (line edge roughness), and to provide a photoresist composition including the polymer, and a method for forming a pattern by using the composition.例文帳に追加

ＬＥＲが改善されたパターンを得るため透過率、エッチング耐性、耐熱性、接着性及び低い光吸収度を有し、現像液に対する親和度の高いフォトレジスト用重合体を提供する。 - 特許庁

Hereon, a bit line 123 is made, and a third interlayer insulating film 125 is stacked, and etching is made to the landing pad 117, and is filled with a storage electrode 127, and hereon a conductive film 131 and a plate electrode 133 are made.例文帳に追加

この上にビットライン１２３を形成し、第３層間絶縁膜１２５を積層してランデングパット１１７までエッチしてストレージ電極１２７を充填し、この上に該電膜１３１及プレート電極１３３を形成する。 - 特許庁

In order to prevent harmful pulsation which may cause damages to the structure already formed in/on the surface of the wafer, a curved line group such as a spiral group can be formed in the cleaning probe by etching.例文帳に追加

ウェーハ表面または表面上に既に形成されている構造にダメージを与える可能性がある有害な波動を防止するために螺旋状グルーブのような曲線のグルーブが洗浄プローブ中にエッチングされうる。 - 特許庁

To realize a resist composition having high transparency with respect to far-ultraviolet rays and radiation and moreover, superior in basic properties as a resist, such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, pattern shape and line edge roughness.例文帳に追加

遠紫外線及び放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチ耐性、パターン形状及びラインエッジラフネス等のレジストとしての基本特性が優れたレジスト組成物を実現できるようにする。 - 特許庁

The gate line 12 and gate insulating films 14 and 16 are formed on a glass substrate 10, a resist film 30 is applied, and scattered light having collimation half angle of 0° to 10° is used when the etching stopper 20 is subjected to back exposure.例文帳に追加

ガラス基板１０の上にゲート線１２、ゲート絶縁膜１４，１６を形成した後、レジスト膜３０を塗布し、エッチングストッパ２０を裏面露光する際に、０゜〜１０゜のコリメーション半角を有する散乱光を用いる。 - 特許庁

The photomask is to be used for transferring a predetermined transfer pattern including a line-and-space pattern onto a resist film formed on a process object to be etched to obtain a resist pattern in the resist film, which functions as a mask in the etching process, wherein the line pattern of the line-and-space pattern formed on a transparent substrate comprises a translucent portion while the space pattern comprises a light-transmitting portion.例文帳に追加

エッチング加工がなされる被加工体上に形成されたレジスト膜に対して、ライン・アンド・スペース・パターンを含む所定の転写パターンを転写させ、レジスト膜を前記エッチング加工におけるマスクとなるレジストパターンとなすフォトマスクにおいて、透明基板上に形成されるライン・アンド・スペース・パターンのラインパターンを半透光部で設け、スペースパターンを透光部で設ける。 - 特許庁

A transmission line structure chip constituting a power supply decoupling element is formed of a laminated structure comprising an aluminum layer 61, an etching layer 62 not impregnated with polythiophene, an resist layer 63, an etching layer 64 impregnated with polythiophene, a magnetic thin film layer 65, a carbon-containing layer 66, a metal powder film layer 67, and a polythiophene layer 68.例文帳に追加

電源デカップリング素子を構成する伝送線路構造チップは、アルミニウム層６１、ポリチオフェンが含浸されていないエッチング層６２、レジスト層６３、ポリチオフェンが含浸されているエッチング層６４、磁性薄膜層６５、カーボン含有層６６、金属粉皮膜層６７、ポリチオフェン層６８で構成される積層構造体から形成される。 - 特許庁

A light emitting layer 3 formed of GaN (an n layer 31 and a p layer 32) is removed along a scheduled division line 21 formed on a sapphire substrate 2 by etching, and a laser beam LB is applied from a back surface side of the sapphire substrate 2 to form a modified layer 312 at a foot portion 311 of the n layer 31 which cannot be removed by the etching.例文帳に追加

ＧａＮ（ｎ層３１＋ｐ層３２）から成る発光層３を、サファイア基板２に形成された分割予定ライン２１に沿ってエッチング処理して除去し、サファイア基板２の裏面側からレーザービームＬＢを照射してエッチング処理で除去しきれなかったｎ層３１の裾野の部分３１１に改質層３１２を形成する。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a line 105b having an upper surface and a side face covered with the silicon oxide film; then forming a sacrifice interlayer film 132a made of an organic application film for covering the line and not containing silicon on an entire surface; and etching the sacrifice interlayer film and a lower layer insulation film sequentially to form a contact hole 108, thereby forming the contact plug.例文帳に追加

上面及び側面が酸化シリコン膜で覆われた配線１０５ｂを形成した後、配線を覆って全面にシリコンを含有しない有機塗布膜からなる犠牲層間膜１３２ａを形成し、犠牲層間膜および下層絶縁膜を順次にエッチングしてコンタクトホール１０８を形成し、コンタクトプラグを形成する。 - 特許庁

One slot 411 is provided at a place adjacent to a position where the radiation patch 41 is connected to the patch line 44 along a single side of the patch line 44 by using etching technology, and the slot 411 is utilized to make only a single side of a circuit route W passing through on the patch antenna 40 bypass.例文帳に追加

輻射パッチ４１がパッチライン４４と接続する位置と隣接する場所に、エッチング技術を利用して、そのパッチライン４４の単一側に沿って、一つのスロット４１１が設けられ、そのスロット４１１を利用して、そのパッチアンテナ４０の上に通す回路ルートＷを単一側だけ迂回化させる。 - 特許庁

As an etching stopper layer 25 being provided between interconnect line forming layers 24 (interlayer insulating film layers) or a hard mask layer 23 for protecting the surface of the interconnect line forming layers 24, a silica based coating being formed using coating liquid containing a hydrolysis product of mixture of trialkoxy silane and tetraalkoxy silane is employed.例文帳に追加

配線形成層２４（層間絶縁膜層）間に設けられるエッチングストッパー層２５、または配線形成層２４表面を保護するためのハードマスク層２３としてトリアルコキシシランとテトラアルコキシシランとの混合物の加水分解生成物を含む塗膜液を用いて形成されるシリカ系被膜を用いる。 - 特許庁

A first impurity is ion-implanted into the active region exposed by the lamination gate to form a source/drain region at a first concentration, a word line is used as a mask for etching to remove the exposed field oxide film, and the first insulating film on the word line is also removed or equally etched.例文帳に追加

前記積層ゲートにより露出されたアクティブ領域に第１不純物をイオン注入して第１濃度のソース／ドレイン領域を形成し、ワードラインをエッチング用マスクとして用いて露出されたフィールド酸化膜を取り除くと共に、前記ワードライン上の第１絶縁をも取り除くか、均等にエッチングする。 - 特許庁

To obtain a resin composition having high transparency for radiation rays, excellent in basic physical properties as a resist such as sensitivity, resolution, dry etching resistance, a pattern shape and the like, and reduced in line edge roughness of the pattern after development.例文帳に追加

放射線に対する透明性が高く、しかも感度、解像度、ドライエッチング耐性、パターン形状等のレジストとしての基本物性に優れ、特に、レジスト溶剤への溶解性に優れるとともに、現像後のパターンのラインエッジラフネスを低減する。 - 特許庁

Since the back plate 6 and the connection line 6a to impress the voltage to the back plate are formed simultaneously by etching the copper foil formed on the insulating substrate, the EL element can be produced efficiently.例文帳に追加

このように、背面電極６および背面電極に電圧を印加する接続線６ａが、絶縁基体上に形成された銅箔をエッチングすることにより同時に形成されるため、効率よく、ＥＬ素子を製作することができる。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which shows sufficient transmittance when a light source of ≤160 nm wavelength, specifically when F_2 excimer laser light (157 nm) is used, and exhibits excellent coating uniformity, dry etching durability, line edge roughness and developing performance.例文帳に追加

１６０ｎｍ以下、具体的にはＦ_２エキシマレーザー光（１５７ｎｍ）の光源使用時に十分な透過性を示し、塗布均一性、耐ドライエッチング性、ラインエッジラフネス及び現像性能に優れたポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an exposure mask and a method for making a mask pattern by which not only the focus margin is improved in a photolithographic process but shrinkage in a line end is suppressed, and difference in the finish dimension in an etching process is suppressed.例文帳に追加

フォトリソグラフィー工程において、フォーカスマージンを向上させるだけでなく、ライン末端部の縮みを抑制し、かつエッチング工程において仕上がり寸法差を抑制する、露光用マスクとマスクパターンの作成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for nano imprint excellent in pattern formability and mold releasability, can form a good pattern, and give a pattern after the etching that is small in line edge roughness, and to provide a pattern and a patterning method using this.例文帳に追加

パターン形成性およびモールド剥離性に優れ、良好なパターンが形成でき、かつエッチング後に得られたパターンのラインエッジラフネスが小さいナノインプリント用組成物、これを用いたパターンおよびパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

The third conductive pattern has a small line width that can be removed by etching, and can be disposed in a region where the conductive pattern is not formed, and thereby, the third conductive pattern can prevent dielectric breakdown caused by discharge between figure patterns when the mask pattern is charged.例文帳に追加

第３導電性パターンはエッチングで除去可能な細い線幅を有し、導体パターンが形成されない領域に配置できるため、マスクパターンの帯電時に図形パターン間の放電による静電破壊を防止可能となる。 - 特許庁

Since the wettability of the surface of the interlayer insulating film is satisfactorily improved by etching a drain signal line 14 consisting of an Al film in a wet process after the nitrogen plasma treatment, an etchant is easily put in a contact hole part and Al does not remain in the contact hole part.例文帳に追加

この窒素プラズマ処理後に、Ａｌ膜からなるドレイン信号線１４をウェットエッチングすると、層間絶縁膜表面のぬれ性が良好であるため、エッチャントがコンタクトホール部に入り込み易く、コンタクトホール部にＡｌが残らない。 - 特許庁

To provide a method for producing a polymer compound used for resists whose performances such as heat resistance, sensitivity and resolution can be improved without accompanying reduction of resist films, decrease in the line widths of the resists and deterioration in the dry etching tolerance of the polymers.例文帳に追加

レジストの膜減り、レジストの線幅の減少、ポリマーのドライエッチング耐性の低下等を伴わずに、耐熱性、感度、解像度等のレジストの性能を向上させることを可能とするレジスト用高分子化合物の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a vertical channel transistor, which has reduced resistance of a word line and minimized nitride film loss in a process of etching an insulating film between active pillars, and to provide a semiconductor device having the transistor.例文帳に追加

ワードラインの抵抗が減少され、活性ピラー間の絶縁膜のエッチング過程における窒化膜損失が最小化される垂直チャネルトランジスタの形成方法及びそのトランジスタを備えた半導体素子を提供すること。 - 特許庁

A silicon (110) substrate having the normal line to the substrate surface tilted by 0° to 20° angle from the {110} axis of the silicon is used to form an opening pattern by lithography, and then the substrate is subjected to anisotropic etching to form a groove.例文帳に追加

基板表面に対する法線軸がシリコン｛１１０｝軸に対して０°から２０°の範囲で傾いたシリコン（１１０）基板を用いて、リソグラフィーにより開口パターンを形成した後、異方性エッチングを行って、溝部を形成する。 - 特許庁

In this production control system, preparation of lots and members (reticles) and scheduling are controlled by aiming at a set of, for instance, an exposure process (anterior process) and an etching process (posterior process) within a plurality of processes and manufacturing devices of a line.例文帳に追加

本生産管理システムでは、ラインの複数の工程及び製造装置のうち例えば露光工程（先行工程）とエッチング工程（後行工程）の組を対象として、ロット及び部材（レチクル）の配膳及びスケジューリングを制御する。 - 特許庁

Since a semiconductor-chip loading surface and a board-mounting surface are mutually electrically connected by only applying etching and plating for bonding, a package substrate for a QFN structure capable of responding to a line-count increase and a pin-count increase can be cheaply manufactured.例文帳に追加

また、エッチング及びボンディング用めっきを施すのみで半導体素子搭載面と基板実装面との導通が取れるため、多列化多ピン化を図ったＱＦＮ構造のパッケージ基板を安価に製造することが可能となる。 - 特許庁

The fine pattern with a pitch a half of that of the lithography is formed by forming a resist pattern using a lithography technology (a), making small the line width of the resist pattern using a sliming technology (b), forming a new mask pattern in a space widen by sliming by anisotropic etching under a low pressure environment (c), and carrying out etching of the under layer film using the mask pattern (d).例文帳に追加

リソグラフィ技術によりレジストパターン７を形成し（ａ）、スリミング技術によりレジストパターン７のライン幅を細くし（ｂ）、低圧環境下で異方性エッチング処理を行うことによってスリミングにより広くなったスペースに新たなマスクパターンを形成し（ｃ）、そのマスクパターンを利用して下層の膜のエッチングを行って（ｄ）、リソグラフィパターンの１／２倍のピッチの微細パターンを形成する。 - 特許庁

To provide a piezoelectric MEMS switch eliminating the process of enforcing the etching of the back side of a substrate as conventionally performed, and also eliminating process constraints, by improving the structure as a piezoelectric actuator is formed, before an RF signal line is formed.例文帳に追加

本発明は圧電アクチュエータをＲＦ信号ラインより先に形成する構造に改善し、従来のように基板の裏面を無理にエッチングする工程を解消するとともに、工程の制約性を解消する圧電型ＭＥＭＳスイッチを提供する。 - 特許庁

Then, an etching operation is carried out under the condition that the removal ratio of the second insulating film 4 to the first insulating film 3 is set at 1:1, the upper electrodes 23 of all the capacitors 2 are disclosed, and then the interconnect line 5 is formed so as to connect the upper electrodes 23 together.例文帳に追加

次に、第２絶縁膜４および第１絶縁膜３の除去比率が１：１である条件でエッチングを行い、全てのキャパシタ２の上部電極２３を露出させた後、複数の上部電極２３を接続する配線５を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method and a substrate treatment device in which the line width or the like of a resist pattern really formed in a photo-lithography process can be precisely measured and a desired circuit pattern can be finally formed after etching.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程で実際に形成されたレジストパターンの線幅等を精密に測定でき、エッチング処理後において最終的に所望の回路パターンを形成することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition and a pattern forming method that uses identical satisfying high sensitivity, high resolution, proper pattern shape, proper line edge roughness and dry etching resistance, at the same time.例文帳に追加

高感度、高解像性、良好なパターン形状及び良好なラインエッジラフネス、さらには耐ドライエッチング性を同時に満足する感活性光線性又は感放射線性低分子化合物含有組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, wherein higher resistance of a control gate and etching of a silicon substrate are prevented while an element isolation film is etched with a gate electrode in self-alignment to form a source line.例文帳に追加

ゲート電極に自己整合で素子分離膜をエッチングしてソースラインを形成する半導体装置の製造方法に関し、コントロールゲートの高抵抗化及びシリコン基板のエッチングを防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

By performing dry etching using the photoresist film 31 as a mask, the upper electrode material film 12A and the memory layer material film 13A are etched in this order thus forming an upper electrode 12 and a memory layer 13 in the shape of a line (linearly).例文帳に追加

フォトレジスト膜３１をマスクとしたドライエッチングを行うことにより、上部電極材料膜１２Ａおよび記憶層材料膜１３Ａをこの順にエッチングし、上部電極１２および記憶層１３をライン状（線状）に形成する。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition having excellent resolution, etching resistance and line-end foreshortening resistance as a chemically amplified resist responding to far ultraviolet light and provide a copolymer usable in the radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

遠紫外線に感応する化学増幅型レジストとして、解像度、エッチング耐性およびラインエンドフォアショートニング耐性に優れた感放射線性樹脂組成物、およびこの感放射線性樹脂組成物に使用できる共重合体を提供する。 - 特許庁

To provide a positive type resist composition which gives a photoresist forming a pattern of a rectangular shape and ensures low edge roughness of a line pattern in the production of a semiconductor device and ensures a small dimensional shift in pattern transfer to a lower layer in an oxygen plasma etching step.例文帳に追加

半導体デバイスの製造において、矩形形状のパターンを形成するフォトレジストを与え、ラインパターンのエッジラフネスが少なく、酸素プラズマエッチング工程での下層へのパターン転写の際に寸法シフトが小さいポジ型レジスト組成物を提供すること。 - 特許庁