「line-etching」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To ensure etching selectivity for a dielectric thin film used for a semiconductor device and to prevent the disused part of the deposited film from contaminating the production line of the following processes.例文帳に追加

半導体装置に用いる誘電体薄膜のエッチング選択性を確保すると共に、成膜後の不要部分が後工程の製造ラインを汚染しないにようする。 - 特許庁

After detaching the support layer 2, etching treatment is performed to the metal layer 3 to form outer surface side line patterns 13a, and at the same time, side section line patterns 13c which connect inner surface side line patterns 13b and outer surface side line patterns 13a are formed to compose an inductor pattern which surrounds the ambient of the high permeability layer 14 in a multiple coiled fashion.例文帳に追加

支持体層２を剥離した後、金属層３にエッチング処理を施して外面側ラインパターン１３ａを形成すると共に、内面側ラインパターン１３ｂと外面側ラインパターン１３ａとを接続する側部ラインパターン１３ｃを形成して、高透磁率層１４の周囲をコイル状に多数巻に囲むインダクタパターンを構成する。 - 特許庁

The first electrode can be exactly formed almost into the tapered-shape by heightening accuracy of patterning by accurately controlling an etching line width by applying a lithography process at every layer with a different etching method and an etching speed from each other, after forming the adhesion layer 12A, the metal layer 12B, and the work function adjusting layer 12C on the substrate 11, successively.例文帳に追加

基板１１に、密着層１２Ａ，金属層１２Ｂおよび仕事関数調整層１２Ｃを順に形成したのち、エッチング方法およびエッチング速度が異なる層ごとにリソグラフィ工程を設けることにより、エッチング線幅を精確に制御してパターニング精度を高め、第１電極１２を確実に略順テーパ状に形成することができる。 - 特許庁

Since wet etching is employed for the etching of the interlayer insulating film, the amount of the insulating film 15 on the sides of the wiring lines 10 to be etched can be reduced, and the insulation resistance between the contact plug 25 filling the contact hole 18 and the wiring line 10 can be improved.例文帳に追加

層間絶縁膜のエッチングにウェットエッチング法を採用しているため、配線１０の側面上の絶縁膜１５に対するエッチング量が低減し、コンタクトホール１８を充填するコンタクトプラグ２５と配線１０との間の絶縁耐性が向上する。 - 特許庁

The technology of the semiconductor element manufacturing method includes a process, especially, of burying the insulating film between gate patterns in place of the photo-sensitive film when implanting the ions into the semiconductor substrate of lower portion of the bit line contact area, etching it to expose the bit line contact area without a residue of etching, thereby, preventing the leakage current of the cell transistor.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にビットラインコンタクト領域下部の半導体基板にイオンを注入するときゲートパターン等の間を感光膜の代わりに絶縁膜で埋め、これを食刻して食刻残留物なくビットラインコンタクト領域を露出することにより、セルトランジスタの漏洩電流を防止することができる技術である。 - 特許庁

To prevent discontinuity at the time of WET etching and to prevent aluminum constituting a signal line from spreading to the drain electrode of a pixel switching element in an array substrate equipped with the signal line having three layer structure of a lower layer Mo/AlNd / an upper layer Mo.例文帳に追加

下層Ｍｏ／ＡｌＮｄ／上層Ｍｏの３層構造を有する信号線を備えたアレイ基板において、ＷＥＴエッチング時の断線を防ぎ、且つ信号線を構成するＡｌが画素スイッチング素子のドレイン電極へ拡散することを防ぐ。 - 特許庁

In the method for grasping the one-line processing quantity by the FIB under the prescribed condition, the sample is processed by performing scanning of a plurality of lines, and the etching size at that time is measured by the microscope length measuring function, and the average processing quantity by one-line scanning is calculated.例文帳に追加

所定条件下のＦＩＢによる１ラインの加工量を把握する方法は複数ラインの走査を行って試料を加工し、その際のエッチング寸法を顕微鏡測長機能で測長し、１ライン走査の平均加工量を算出する。 - 特許庁

In the method, the super-thin line circuit layer can be formed by electrolytic plating without depending on an etching means, and a carrier object and a metal avoiding layer, which are required for forming the super-thin line circuit layer, are removed during a manufacture process or when it is terminated.例文帳に追加

本発明方法においては、電解メッキによりエッチング手段に頼らず超細線回路層を形成することができ、製造工程中或いは終了時に超細線回路層形成に必要なキャリア体、金属阻隔層を除去する。 - 特許庁

Since etching is conducted in a state that, in a foundation layer 34, a region 36 along the region where a scan line 33 is formed is covered with a resist mask, the area in the foundation layer 34 which overlaps planarly with the scan line 33 is not scraped off.例文帳に追加

下地層３４のうち走査線３３が形成された領域に沿う領域３６をレジストマスクで覆った状態でエッチングするので、下地層３４のうち走査線３３に平面的に重なる領域がエッチングにより削られずに済む。 - 特許庁

To provide a processing device such as an etching device which is capable of preventing deposits from falling down separating from an exhaust line to adhere as particles to the surface of a semiconductor wafer which is located below, where the deposits are attached to the inner wall of the exhaust line provided at an upper part of the processing device.例文帳に追加

上方に形成されている排気ラインの内壁に付着したデポ物が剥離して落下し、下方に存在する半導体ウエハの表面にパーティクルとして付着することを防止できるエッチング装置のような処理装置を得ること。 - 特許庁

After the line width or the like of the resist pattern is measured (step 11) by recognizing the pattern after developing (step 10), the measured result is fed forward to etching (step 13) to be performed later and by performing etching in optimal treatment conditions, the precise circuit pattern can be finally formed.例文帳に追加

現像（ステップ１０）後のレジストパターンを認識してパターンの線幅等を測定した後（ステップ１１）、この測定結果をその後に行われるエッチング処理（ステップ１３）にフィードフォワードし、最適な処理条件でエッチング処理を行うことにより、最終的に精密な回路パターンを形成することができる。 - 特許庁

The resist composition is used as a chemically amplified resist, and shows a strong etching resistance, e.g. it is possible to resolve 0.1 μm pitch line and space pattern well.例文帳に追加

本発明のレジスト組成物は、化学的に増幅されたレジストとして用いられ、強いエッチング抵抗を示し、たとえば、０．１μｍピッチのライン・アンド・スペースパターンをうまく解像することができる。 - 特許庁

To further reduce the size of a pattern by utilizing physical, chemical, and mechanical etching after making the pattern 202 of large size and line thickness (for example, 50 nm or larger) in a conventional method.例文帳に追加

既存の方法で先ず線幅やサイズの大きい（例えば、５０ｎｍ以上）パターン２０２などを製作した後、物理的、化学的、機械的蝕刻を利用してパターンのサイズを更に縮める。 - 特許庁

When a contact is formed after a conductive material is charged between gates, a pattern in etching is defined as a line shape and a wiring layer is formed of the conductive material of the contact at the same time.例文帳に追加

ゲート間を導電材料で埋め込んだ後に、コンタクトを形成する際に、エッチング時のパターンをライン状にしてコンタクトの導電材料で同時に配線層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor film on the bottom of the groove is further etched by wet etching along the device division line to expose the metal supporter on the bottom of the groove, thereby completing the street.例文帳に追加

次にウェットエッチングにより素子分割ラインに沿って溝の底面の半導体膜を更にエッチングして溝の底面において金属支持体を露出させストリートを完成させる。 - 特許庁

A control device 9 opens shielding valves 5A and 6A, to activate an injection piping 2A and an injection pump 3A, and circulates an etchant in an etching bath 1 by using an injection line A.例文帳に追加

制御装置９は、遮断弁５Ａ，６Ａを開放し、注送配管２Ａ及び注送ポンプ３Ａを稼働させ、注送ラインＡを用いてエッチング槽１にエッチング液を循環供給する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus using a film thickness measurement method of a processed material capable of accurately measuring an actual residual film amount and/or an etching depth of a processed layer on line.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a chemically amplified positive photoresist composition capable of giving a resist pattern improved in etching resistance, and excellent also in other resist properties such as sensitivity, resolution and line edge roughness.例文帳に追加

耐エッチング性が改善されたレジストパターンを与えることができ、かつその他のレジスト特性、例えば感度、解像度、ラインエッジラフネスも優れた化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

As this time, since an incident angle used in optimization is largely deviated from a vertical line, etching amount in the region A2 is reduced to a smaller amount than the amount in the region A1 toward the periphery.例文帳に追加

その際に、周縁部に向うにつれて、最適化に用いた入射角度が垂直から大きく外れるため、領域Ａ１よりも領域Ａ２の方がエッチング量は小さくなる。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition for soft X-rays having high sensitivity, high resolution, a square pattern profile, excellent LER (line edge roughness) characteristics and dry etching resistance.例文帳に追加

高感度、高解像性で矩形なパターン形状を有し、ＬＥＲ特性及びドライエッチング耐性に優れた特性を有する軟Ｘ線用感放射線性組成物を提供する。 - 特許庁

In this case, by etching at the time when forming the display electrode, the excess coating electrode layer left on the scan line 11 exposing to opening 11 for external connection is removed.例文帳に追加

この場合において、表示電極形成時のエッチングにより、外部接続用開口部１１に露出しているスキャンライン２ａ上に残った余分な塗布電極層を除去する。 - 特許庁

The source electrode or drain electrode of a TFT provided on a memory device is processed by etching to form a conductive layer making up the bit line of the memory.例文帳に追加

有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるＴＦＴのソース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導電層とする。 - 特許庁

A remarkable improvement in a lithography performance such as an improved plasma etching resistance, improved isolated line characteristics and a good control of resolution is achieved with the photoresist.例文帳に追加

本発明のフォトレジストにより、プラズマエッチング耐性や孤立ライン特性の著しい向上並びに解像度の良好な制御など、リソグラフィー性能の驚くべき改良がなされる。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition excellent in resolution and line edge roughness without spoiling basic physical properties as a resist, such as pattern shape, dry etching resistance and heat resistance.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なうことなく、解像度およびラインエッジラフネスに優れる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide good plating appearance even in intricate shapes after pressing and etching by decreasing treated liquid emission with a small space in a continuous surface treatment line.例文帳に追加

連続表面処理ラインにて、小さなスペースにて処理液排出量を低減し、プレス加工やエッチング加工後の複雑形状であっても良好なめっき外観を有するようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for and manufacturing line of plated and coated product, by which a conventional etching process becomes unnecessary, all processes can be automated, manufacturing cost is greatly reduced.例文帳に追加

従来のエッチング工程が不要となり、全工程を自動化し得、製造コストが大幅に低減化できるめっき塗装製品の製造方法及びめっき塗装製品の製造ラインの提供。 - 特許庁

By this invention, excellent chemical solubility can be exhibited at etching and also the edge shape of the circuit line can be made excellent in sharpness characteristics, and the formation of a high-density circuit can be excellently performed.例文帳に追加

エッチングに際し良好な化学溶解性を示し、また、回路線の際形状も鮮鋭性に優れたものとなり、高密度化された回路の形成を良好に行うことが可能になる。 - 特許庁

Moreover, the device is provided with an insulative etching stopper layer (401) formed on the scanning line and an interlayer insulation film (41) which is formed on the layer (401) and has a groove (411) that reaches the layer (401).例文帳に追加

また、走査線上に形成された絶縁性のエッチングストッパー層（４０１）と、この上に形成されており、これに至る溝（４１１）が掘られた層間絶縁膜（４１）とを備える。 - 特許庁

Punching and marking are conducted at once by cutting out a contour line A1 by a punching cutter B1 and simultaneously pressing an etching plate 1 to recess a mark A3 such as a character, a graphic figure or the like.例文帳に追加

抜刃Ｂ１による輪郭線Ａ１の切り込みと同時に、腐食版１を押圧して文字や図形などの刻印Ａ３を凹設することにより、型抜きと刻印が一度に行われる。 - 特許庁

To obtain a copolymer having an excellent focal depth margin and excellent line-end foreshortening resistance without impairing basic properties as a resist such as a pattern shape, dry-etching resistance, heat resistance, etc., and a radiation-sensitive resin composition.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なうことなく、焦点深度余裕に優れると共に、ラインエンドフォアショートニング耐性に優れる。 - 特許庁

The through hole is formed by polishing the back side of the wafer until a concavity bottom face is disappeared after forming the concavity by half-etching on the scribe line of the wafer.例文帳に追加

前記スルーホールは、前記ウェハの前記スクライブライン上をハーフエッチングして凹部を形成した後その凹部底面が消失するまで前記ウェハを裏面研磨することによって形成する。 - 特許庁

A part of the semiconductor film is etched by dry etching along a device division line to form a lattice-shaped groove which forms the street on the semiconductor film and does not reach the metal supporter.例文帳に追加

次にドライエッチングにより素子分割ラインに沿って半導体膜の一部をエッチングして半導体膜にストリートを構成する金属支持体に達しない格子状の溝を形成する。 - 特許庁

A mask film 16 having a notch 16a on a region (dicing line) 14 between a plurality of device formation regions is formed by dry etching by using a resist film 20 as a mask.例文帳に追加

レジスト膜２０をマスクとしてドライエッチングにより複数の装置形成領域の間の領域上（ダイシングライン）１４に切欠き部１６ａを有するマスク用膜１６を形成する。 - 特許庁

Subsequently, the gate electrode 8A (word line WL) and the gate electrodes 8B-8D are patterned simultaneously by etching while employing the silicon nitride film 9 and a photoresist film 10 as a mask.例文帳に追加

その後、上記窒化シリコン膜９とフォトレジスト膜１０とをマスクに用いたエッチングで、ゲート電極８Ａ（ワード線ＷＬ）およびゲート電極８Ｂ〜８Ｄを同時にパターン形成する。 - 特許庁

To provide a method of producing a TFT-LCD having a tapered cross section of a Mo alloy/Al alloy laminated line and having good coverage for an insulating film by using a wet etching method to process a laminated line of a molybdenum alloy upper layer and an aluminum alloy lower layer into a tapered cross section and then by using a shower type batch etching method to obtain good coverage for an insulating film.例文帳に追加

湿式エッチングを用いて、上層がモリブデン合金，下層がアルミニウム合金の積層配線の断面をテーパ状に加工し、絶縁膜のカバレッジを良好にするシャワー方式による一括エッチングで、Ｍｏ合金／Ａｌ合金積層配線の断面形状をテーパ状に加工し、良好な絶縁膜カバレッジを有するＴＦＴ−ＬＣＤの製造方法を提供する。 - 特許庁

Next, after a protective film is stacked and patterned to form a contact hole for exposing the drain electrode, an IZO is laminated on the protective film and patterned using the etchant having been used for the etching of the gate line and the data line, and thus a pixel electrode to be linked with the drain electrode is formed.例文帳に追加

次に、保護膜を積層しパターニングしてドレーン電極を露出する接触孔を形成した後、保護膜の上部にＩＺＯを積層し、ゲート線及びデータ線をエッチングした液でパターニングしてドレーン電極と連結される画素電極を形成する。 - 特許庁

In this structure, in view of forming the ultra-fine line circuit layer with an electrolytic plating process without use of the etching means, a carrier body and a metal shielding layer required to form the ultra-fine line circuit layer are removed during the manufacturing process or at the ending time of manufacturing process.例文帳に追加

本発明中では、電解メッキによりエッチング手段を用いず上記超細線回路層を形成するため、製造工程中、或いは終了時には、該超細線回路層を形成するために必要なキャリア体、金属阻隔層を除去する。 - 特許庁

By etching back the conductor film 17, the conductor film 17 is left between the conductor film and the laminate 15, to form a source line SL, the conductor film 17 is left on a sidewall 15b of the laminate 15 to form a word line WL, and the other conductor film 17 is removed.例文帳に追加

そして、導体膜１７をエッチバックすることで、積層体１５間に導体膜１７を残してソース線ＳＬとし、積層体１５の側壁１５ｂ上に導体膜１７を残してワード線ＷＬとし、他の領域の導体膜１７を除去する。 - 特許庁

To provide a chemical amplification type positive resist composition which ensures small surface roughness and line edge roughness during etching and has excellent resolution and a wide focal-depth range and to provide a method of forming a resist pattern using the same.例文帳に追加

エッチング時の表面荒れ、ラインエッジラフネスが少なく、解像性に優れ、焦点深度幅が広い、化学増幅型のポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device using a film thickness measuring method of a material to be treated capable of accurately measuring the actual amount of film remaining on a layer to be treated and etching depth on-line, and to provide a plasma treatment device using the film thickness measurement method.例文帳に追加

被処理層の実際の残膜量やエッチング深さをオンラインで正確に測定することのできる被処理材の膜厚測定方法を用いたエプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

Next, an ITO film in an amorphous state at normal temperatures is stacked on the gate insulating film and a data line and a drain electrode are formed by patterning in a wet etching process that utilizes a photosensitive film pattern.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜上に常温で非晶質状態のＩＴＯ膜を積層して感光膜パターンを利用した湿式エッチング工程でパターニングして、データ線及びドレイン電極を形成する。 - 特許庁

This etching dispersion estimation device has a length-measuring scanning electron microscope 10 for respectively measuring the line widths of a resist pattern used as a measuring object at a plurality of positions with first and second threshold values.例文帳に追加

複数の位置で、測定対象となるレジストパターンの線幅を、第１および第２の閾値でそれぞれ測定する測長用走査型電子顕微鏡１０を持つエッチングばらつき予測装置である。 - 特許庁

Thereby, the circuit pattern is composed of only copper foil, and margin of etching can be made thin because copper plating is not included, and a printed circuit board capable of thinning of line and high precision of a circuit pattern can be offered.例文帳に追加

これにより配線パターンは銅はくのみからなり、銅めっきは含まれないためエッチング代が薄く、細線化と配線パターンの高精度化を可能としたプリント配線板を提供することができる。 - 特許庁

To provide an improved method which forms a polysilicon line having a substantially vertical profile, by plasma-etching the polysilicon layer on a thin SiO2 layer through a patterned SiO2 cap layer.例文帳に追加

パターン形成されたＳｉＯ_2キャップ層を介して薄いＳｉＯ_2層の上のポリシリコン層をプラズマ・エッチングして、実質的に垂直なプロファイルを有するポリシリコン線を形成する、改良された方法を提供する。 - 特許庁

A recessions 5 are formed between the voltage electrodes 4a and 4b and between the current electrode 2a and the voltage electrode 4a on the upper side of the ferromagnetic thin line 1 by means of ion beam etching etc.例文帳に追加

強磁性細線１の上の面の、電圧電極４ａと４ｂとの間、および電流電極２ａと電圧電極４ａとの間に、イオンビームエッチング等の手段を用いて、窪み５を作成する。 - 特許庁