low‐aspect ratioの英語

A through hole 21 is formed beforehand by drilling or backward extrusion and blanking for a metal stock having a low aspect ratio before forging.例文帳に追加

鍛造前の比較的アスペクト比の小さい金属素材に対し、ドリル切削又は後方押出＋打抜きにより予め貫通孔２１を形成しておく。 - 特許庁

To provide a stationary blade of a turbine that is constituted so as to achieve a low aspect ratio of the stationary blade and reduce a pressure loss.例文帳に追加

静翼の低アスペクト比を実現し、且つ圧力損失を低減することができるように構成されたタービンの静翼を提供する。 - 特許庁

To improve durability in a low aspect ratio tire by preventing damage caused by cracking and exfoliation between tire rubbers.例文帳に追加

偏平タイヤにおけるタイヤゴム間の割れや剥離に起因した損傷を防止でき、耐久性を向上できる。 - 特許庁

The minerals used are ones commonly used as fillers for engineering polymers, namely, though not restrictive, include high-aspect ratio and low aspect ratio wollastonites, fired clay, mica, talc, and calcium carbonate.例文帳に追加

鉱物には、エンジニアリングポリマーの充填材として一般に用いられるもの、すなわち、限定するものではないが、高アスペクト比および低アスペクト比ケイ灰石、焼成クレー、雲母、タルク、および炭酸カルシウムが含まれる。 - 特許庁

The composition includes at least a matrix resin and a filler, where the filler includes an inorganic filler having a high aspect ratio, an inorganic filler having a low aspect ratio and an organic filler.例文帳に追加

少なくともマトリックス樹脂とフィラーとを含み、フィラーが高アスペクト比無機フィラーと、低アスペクト比無機フィラーと、有機フィラーとからなる。 - 特許庁

To provide a method of purifying methacrylic acid which can obtain a methacrylic acid crystal having good crystal surface cleanliness and a low aspect ratio.例文帳に追加

良好な結晶表面洗浄性を有する、アスペクト比の低いメタクリル酸結晶を得ることができるメタクリル酸の精製方法を提供する。 - 特許庁

A first trench 2 having a low aspect ratio (for example, 5) is formed in an n-type semiconductor substrate 1 and buried with a p-type epitaxial layer 3 by using the epitaxial growth method.例文帳に追加

ｎ型半導体基板１に低いアスペクト比（たとえば、５）の第１のトレンチ２を形成し、エピタキシャル成長法により第１のトレンチ２をｐ型エピタキシャル層３で埋め込む。 - 特許庁

Thereafter, a second trench 5 having a low aspect ratio (for example, 5) is formed in the n-type epitaxial layer 4 and buried with a p-type epitaxial layer 6 by using the epitaxial growth method.例文帳に追加

そして、ｎ型エピタキシャル層４に低いアスペクト比（たとえば、５）の第２のトレンチ５を形成し、エピタキシャル成長法により第２のトレンチ５をｐ型エピタキシャル層６で埋め込む。 - 特許庁