low‐dose regionの英語

After the impurity is activated by heat treatment, and after an upper part of the high-dose region 12 and of the low-dose regions 13 are removed, an ohmic electrode 14 that contacts the high-dose region 12 and the low-dose regions 13 and that is made of Ni, is formed.例文帳に追加

不純物を熱処理により活性化して、多量ドーズ領域１２と低量ドーズ領域１３との上部を除去した後、多量ドーズ領域１２と低量ドーズ領域１３とに接し，Ｎｉからなるオーミック電極１４を形成する。 - 特許庁

In a manufacturing step S2, a channel region and an impurity doped region are formed by doping impurities into the semiconductor thin film in a low dose.例文帳に追加

製造ステップＳ２では、半導体薄膜に不純物を低ドーズ量で注入することによりチャネル領域および不純物注入領域を形成する。 - 特許庁

To provide a radiation detector for suppressing deterioration of a dynamic range, while improving an S/N ratio in a low dose region, without arranging a current-voltage conversion circuit inside a pixel.例文帳に追加

画素内に電流−電圧変換回路を設けることなく、低線量域でのＳ/Ｎ比を向上させつつダイナミックレンジの低下を抑制した放射線検出器を提供する。 - 特許庁

Since PEB can be executed in a region where a diffusion coefficient is low, i.e., a region where diffusion of acid hardly occurs, it can be restrained acid from diffusing into a low dose region, thereby improving the contrast of developed resist.例文帳に追加

これにより、拡散係数の低い領域、すなわち酸の拡散の起こりにくい領域でＰＥＢを実行することができるので、低ドーズ領域に酸が拡散することを抑制でき、現像されたレジストのコントラストを向上させることができる。 - 特許庁

By implanting ions into the p-type anode region 3 at a low dose of 3×10^12 cm^-2 to 3×10^13 cm^-2, injection of holes from the p-type anode region 3 is suppressed and thereby reverse recovery characteristics can be improved.例文帳に追加

ｐアノード領域３を、３×１０^12ｃｍ^-2から３×１０^13ｃｍ^-2 の低ドーズ量でイオン注入を行い、６００℃以下の低温アニールすることで、ｐアノード領域３からの正孔の注入を抑制して、逆回復特性を改善する。 - 特許庁

By setting the thickness of the mask layer 15 thinner than the implanted depth of the impurity, a high dose region 12 is formed in a region, not covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11, while low-dose regions 13 are formed in regions, covered by the mask, of the upper part of the SiC substrate 11.例文帳に追加

マスク層１５の厚さを不純物注入深さよりも浅く設定しておくことにより、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われていない部分には多量ドーズ領域１２を形成し、ＳｉＣ基板１１の上部のうちマスクにより覆われている部分には低量ドーズ領域１３を形成する。 - 特許庁

A first low-dose ion implantation is made to a source forming region and a drain forming region located on both sides of the gate electrode, by implanting arsenic As+ or phosphorus P+ with a low concentration to a silicon substrate from a tilted direction in such a way that the impurities are doped in regions just underneath the edges of the polysilicon layer 16 (Fig. 1 (B)).例文帳に追加

ゲート電極の両側のソース形成予定領域とドレイン形成予定領域とに、ポリシリコン層１６の端部直下の領域に不純物が入り込むようにシリコン基板１０に対して斜めの方向からヒ素Ａｓ^+或いはリンＰ^+を低濃度でイオン注入して（図１（Ｂ））、１回目の低濃度イオン注入を行う。 - 特許庁