mark position modulationとは 意味・読み方・使い方

Timing of rise from a laser power level P2 to a laser power level P3 is made coincident with the timing of the rise of a multi-valued modulation signal S1 to shift an edge position of a recording mark corresponding to the multi-valued modulation signal S1.例文帳に追加

Ｐ２からＰ３への立ち上がりのタイミングを多値変調信号Ｓ１の立ち上がりのタイミングに一致させることによって、記録マークのエッジ位置を多値変調信号Ｓ１に対応させてシフトさせるようにした。 - 特許庁

A record mark made long or short in accordance with first data is formed at a position at which the mark is varied in the direction of intersecting with its reading direction in accordance with a wobble signal obtained by modulating second data with the prescribed modulation system.例文帳に追加

ディスク原盤ＤＳに、第１データに応じて長短とされる記録マークが、第２データを所定の変調方式で変調して得たウォブル信号に応じて、その読取方向と交わる方向に変動した位置に形成されている。 - 特許庁

According to the optical modulation element, a crystal can be grown in a predetermined direction from a crystalline nucleus formed at an arbitrary position of a semiconductor film deposited on an insulation substrate with a predetermined thickness, and an alignment mark AM can be formed at an arbitrary position of the semiconductor film in the same process.例文帳に追加

この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 - 特許庁

Through this optical modulation element, a crystal nucleus is formed at an arbitrary position of the semiconductor film deposited on an insulating substrate to a prescribed thickness to grow crystal in a prescribed direction from the crystal nucleus, and the alignment mark AM can be formed at the arbitrary position of the semiconductor film in the same step.例文帳に追加

この光変調素子によれば、絶縁基板上に所定厚さに堆積された半導体膜の任意の位置に、結晶核を形成し、その結晶核から所定の方向に結晶を成長させるとともに、半導体膜の任意の位置にアライメントマークＡＭを、同一工程で形成できる。 - 特許庁

A recording mark made long or short in accordance with first data is formed at a position varied in the intersecting direction to a read-out direction in accordance with a wobble signal obtained by modulating second data with the prescribed modulation system on a master disk DS.例文帳に追加

ディスク原盤ＤＳに、第１データに応じて長短とされる記録マークが、第２データを所定の変調方式で変調して得たウォブル信号に応じて、その読取方向と交わる方向に変動した位置に形成されている。 - 特許庁

This invention relates to an optical modulation element 3 including a light intensity modulation structure SP which forms a light intensity distribution for crystallization by modulating light, and a mark formation structure MK which is provided integrally with or independently of the light intensity modulation structure, and forms a light intensity distribution including a pattern in a prescribed shape by modulating light and also indicates a predetermined position of a crystallization region.例文帳に追加

この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。 - 特許庁

The optical modulation element 3 has a light intensity modulation structure SP forming a light intensity distribution for crystallization by modulating light, and a mark formation structure MK provided integrally with or independently from the light intensity modulation structure in order to form a light intensity distribution including a predetermined pattern by modulating light and to indicate a predetermined position of a crystallization region.例文帳に追加

この発明は、光を変調して結晶化のための光強度分布を形成する光強度変調構造ＳＰと、光強度変調構造と一体にまたは独立に設けられ、光を変調して所定形状のパターンを含む光強度分布を形成するとともに結晶化領域の予め定められた位置を示すマーク形成構造ＭＫと、を有することを特徴とする光変調素子３に関する。 - 特許庁