mean strainとは 意味・読み方・使い方

I mean, my daughter's been kidnapped, and I am under a bit of strain right now.例文帳に追加

娘が誘拐されちまって もう神経が切れそうなんだ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

Thereafter, in order to satisfy the condition of 1-exp(-ε×(750÷Tp)^-10)>0.8 with Tp as the preliminary working temperature and ε as the mean strain during the preliminary working, Tp and ε are set, and the preliminary working is performed.例文帳に追加

その後、予備加工温度をＴｐ、予備加工時の平均歪をεとして、１−ｅｘｐ（−ε×（７５０÷Ｔｐ）^−１０）＞０．８の条件を満たすようにＴｐ及びεを設定して予備加工を実施する。 - 特許庁

The silicon carbide granule is characterized by containing a silicon carbide particle and having a mean strain value of 20% or more when pressed with a strength of 0.5 N/mm^2.例文帳に追加

炭化ケイ素粒子を含み、０．５Ｎ／ｍｍ^２の強度で圧縮した際の歪量の平均値が２０％以上であることを特徴とする炭化ケイ素顆粒。 - 特許庁

Frequency dependency or vibrating shearing strain amplitude dependency of the viscosity of the specimen fluid can be obtained by measuring a mean flowing velocity of the dc component of the flow rate of the fluid flowing in one direction while vibrating.例文帳に追加

振動しながら一方向へ流れる流量の直流成分である平均流速を測定することで、試験流体の持つ粘度の周波数依存性、また振動的剪断歪振幅依存性を求めることができる。 - 特許庁

In a method of manufacturing a compound semiconductor epitaxial substrate having a pn junction by a selective growth method, the manufacturing method of the compound semiconductor epitaxial substrate uses a source substrate with the mean value of residual strain of 1.0×10^-5 or below.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板を選択成長法により製造する方法であって、残留歪の平均値が１．０×１０^-5以下である元基板を用いることを特徴とする化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法。 - 特許庁

The alkali-free glass substantially free from alkali metal oxides has: a strain point of higher than 680°C; a mean thermal expansion coefficient of 40×10^-7 to 55×10^-7/°C within a temperature range of 30 to 380°C; and a liquidus temperature of lower than 1,200°C.例文帳に追加

本発明の無アルカリガラスは、実質的にアルカリ金属酸化物を含有せず、歪点が６８０℃より高く、３０〜３８０℃の温度範囲における平均熱膨張係数が４０〜５５×１０^−７／℃であり、液相温度が１２００℃より低いことを特徴とする。 - 特許庁

By use of impurity elements having opposite signs of Δr (difference between the covalent bond atomic radius between the basic material and a dopant) in order to match the mean covalent bond radius of an impurity element, reduce the strain, and increase the solubility of a donor or acceptor, a plurality of dopants are further used in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

不純物元素の平均共有結合半径を整合させ、ひずみを減少させドナーまたはアクセプタの溶解度を増大させるように、反対符号のΔｒ（母材とドーパントの共有結合原子半径の差）を持つ不純物元素を用いた、半導体装置の製造における複数のドーパントの使用が開示されている。 - 特許庁