atomic radiusとは 意味・読み方・使い方

Thus, the element of a larger atomic radius compared to Si of In can be set to impurity forming the impurity diffusion region in the semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｉｎ等のＳｉに比較して原子半径の大きい元素を半導体基板中の不純物拡散領域を形成する不純物とすることができる。 - 特許庁

Then, the specific surface area A_s is determined from the equation: A_s=k×r^-D×M^-1×N_A×πr^2, by using the surface fractal dimension D, the atomic weight M and the atomic radius r of the noble metal atom, the Avogadro's number N_A, and a coefficient k determined by a material of the measuring object.例文帳に追加

そして、表面フラクタル次元D、前記貴金属原子の原子量M及び原子半径r、アボガドロ数N_A、並びに前記測定対象物の材料により定まる係数kを用いて、比表面積A_sを式 A_s=k・r^-D・M^-1・N_A・πr^2により求める。 - 特許庁

More preferably, the element having the atomic radius smaller than the atoms exclusive of the oxygen is Ne, N or He and the oxide film is SiO_2, Al_2O_3, TiO_2 or Ta_2O_5.例文帳に追加

好ましくは、酸素以外の原子よりも原子半径の小さい元素が、Ｎｅ、ＮまたはＨｅであり、酸化物膜が、ＳｉＯ_2、Ａｌ_2Ｏ_3、ＴｉＯ_2またはＴａ_2Ｏ_5である。 - 特許庁

At the time of manufacturing a photoelectric conversion element provided with a semiconductor layer containing n-type impurities and a semiconductor layer containing p-type impurities formed thereon, the semiconductor layer containing n-type impurities is made to contain a first n-type impurity having a relatively small atomic radius and a second n-type impurity having a relatively large atomic radius.例文帳に追加

ｎ型不純物半導体層と、その上に形成されたｐ型不純物半導体層とを備えた光電変換素子を作製するにあたって、ｎ型不純物半導体層に、相対的に小さな原子半径を有する第１のｎ型不純物と、相対的に大きな原子半径を有する第２のｎ型不純物とを含有させる。 - 特許庁

After that, an inert element having relatively large atomic radius is added to give strain, and penetration of moisture or oxygen is prevented by reforming or densifying the surface (including a side wall).例文帳に追加

その後、比較的原子半径の大きい不活性元素を添加することによって歪みを与え、表面（側壁を含む）を改質、または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。 - 特許庁

A protection film is formed so that the atomic radius of a metal oxide is 180 pm or more to 205 pm or less, and for example, one kind of lanthanum oxide, europium oxide, and ytterbium oxide is used as the metal oxide.例文帳に追加

ここで、金属酸化物は原子半径が１８０ｐｍ以上２０５ｐｍ以下であるもの、具体的には酸化ランタン、酸化ユウロピウム、酸化イッテルビウムのうちの１種を用いることで保護膜を形成する。 - 特許庁

By use of impurity elements having opposite signs of Δr (difference between the covalent bond atomic radius between the basic material and a dopant) in order to match the mean covalent bond radius of an impurity element, reduce the strain, and increase the solubility of a donor or acceptor, a plurality of dopants are further used in manufacture of a semiconductor device.例文帳に追加

不純物元素の平均共有結合半径を整合させ、ひずみを減少させドナーまたはアクセプタの溶解度を増大させるように、反対符号のΔｒ（母材とドーパントの共有結合原子半径の差）を持つ不純物元素を用いた、半導体装置の製造における複数のドーパントの使用が開示されている。 - 特許庁

By substituting the Cu atom site in the Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer for Ni having an atomic radius smaller than that of Cu, the strain of the Cu_6Sn_5 intermetallic compound layer is relaxed, thus the impact resistance of the solder joint can be improved.例文帳に追加

Ｃｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層中のＣｕ原子サイトを、Ｃｕより原子半径の小さいＮｉで置換することにより、Ｃｕ_6Ｓｎ_5金属間化合物層の歪を緩和し、ハンダ接合部の耐衝撃性を向上させることができる。 - 特許庁