melt growthとは 意味・読み方・使い方

To provide a single-crystal growth apparatus that can efficiently form a large amount of raw material melt in a crucible during growth of a single crystal.例文帳に追加

単結晶育成の際ルツボ内に効率良く大量の原料融液を形成できる単結晶育成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a single crystal growth device capable of stably producing a single crystal having excellent quality by, in the process of single crystal growth, allowing the central-symmetric natural convection of a melt and thereby inhibiting variation in temperature of the melt at the growth interface, and also to provide a single crystal growth method using the device.例文帳に追加

単結晶育成中に、融液の自然対流が中心対称性を得られるようにして、結晶の成長界面における融液の温度変動を抑制することにより、優れた品質の単結晶を安定して育成することができる単結晶育成装置と、それを用いた育成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method enabling melt-growth of a gallium-containing nitride single crystal by using inexpensive equipment, in which there is little danger, especially a method enabling the melt-growth at normal pressure.例文帳に追加

危険の少ない、安価な設備により達成できる、ガリウム含有窒化物単結晶の融液成長を可能とする方法、特に、常圧で実施できる方法の提供。 - 特許庁

To provide a growth method of a GaN crystal having low dislocation density and high crystallinity without adding impurities other than a raw material to a melt or without increasing the scale of a crystal growth device in a liquid phase method using a Ga melt.例文帳に追加

Ｇａ融液を用いる液相法において、融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁

The crystal growth is performed by cooling the melt after immersing the seed crystal substrate into the melt or by immersing the seed crystal substrate in the lower temperature part by having a temperature gradient in the melt.例文帳に追加

結晶成長は、種結晶基板を融液に浸漬した後に融液を冷却するか、または融液に温度勾配を設けて、その低温部に種結晶基板を浸漬することにより実施することができる。 - 特許庁

After the completion of the growth of a GaN crystal, the Na melt with which Si is mixed is fed to the mixed melt 14 by the melt feeder 17 before the temperature is decreased.例文帳に追加

ＧａＮ結晶の育成終了後、融液供給装置１７によって混合融液１４にＳｉが混合されたＮａ融液を供給し、その後に降温する。 - 特許庁

This apparatus for liquid-phase epitaxial growth is obtained by installing an upper member 6 in which a melt reservoir 8 for storing a melt of a crystal raw material is formed and a boat 2 for growth arranged on the lower side of the upper member 6 and having growth chambers 3 for accommodating a semiconductor substrate 1 formed therein.例文帳に追加

結晶原料の融液を貯溜する融液溜め８が形成された上部部材６と、上部部材６の下側に配置され、半導体基板１を収容する成長室３が形成された成長用ボート２とを備える。 - 特許庁

A group III nitride single crystal 4 is grown by immersing a seed crystal 3 in a growth source melt 5 containing a flux.例文帳に追加

フラックスを含む育成原料融液５に種結晶３を浸漬してIII族窒化物単結晶４を育成する。 - 特許庁