memory fillとは 意味・読み方・使い方

The management area of the memory 4, the cluster of a disk 90 and a fill bit indicating the validity/invalidity of data by a sector unit are homologized with one another.例文帳に追加

メモリ４の管理領域とディスク９０のクラスタとデータの有効／無効をセクタ単位で示すフィルビットとを対応付ける。 - 特許庁

An ID is respectively attached to the respective application groups, a tag field of the cache memory is expanded, and the ID is recorded when cache fill is performed.例文帳に追加

各アプリケーション群にそれぞれＩＤを付け、キャッシュメモリのタグフィールドを拡張し、キャッシュフィルを行う際にこのＩＤを記録しておく。 - 特許庁

An insulating material is deposited over the polycrystalline memory material to at least partially fill the gaps, thereby blocking a portion of each gap.例文帳に追加

絶縁層を多結晶メモリ材料上に堆積し、少なくとも部分的にギャップを埋めることにより、各ギャップの一部が塞がれる。 - 特許庁

The existence of the packet is checked in the buffer by every timer time by using a timer signal of the shortest time to fill the buffer and, when the packet exists, a CPU is interrupted, and the communication packet is transferred to the memory.例文帳に追加

伝送路から取り込んだ通信パケットを一時的にバッファに取り込み、一定間隔ごとにメモリへ移動する。 - 特許庁

The control area of the memory and the cluster of the disk are corresponded each other, and further a fill bit showing the validity/invalidity of data in the sector unit is corresponded.例文帳に追加

メモリの管理領域とディスクのクラスタとを対応付け、さらに、データの有効／無効をセクタ単位で示すフィルビットを対応付ける。 - 特許庁

An element active area 1 is formed, a pair of memory cells are formed, word lines 2, 2a, 2b... of the memory cell are arranged, and capacitor contact holes 3, 3a are formed in the capacitor part of the memory cell respectively to fill them with contact plugs.例文帳に追加

素子活性領域１が形成され一対のメモリセルが形成され、メモリセルのワード線２，２ａ，２ｂ…が配設され、メモリセルのキャパシタ部に容量用コンタクト孔３，３ａがそれぞれ形成されコンタクトプラグが充填されている。 - 特許庁

Based on the writing request of a PC 100 by a sector unit, the address of the memory 4, and the cluster and the fill bit of the target disk 90 are obtained.例文帳に追加

ＰＣ１００のセクタ単位での書き込み要求に基づき、メモリ４のアドレスと書き込み対象となるディスク９０のクラスタとフィルビットとを求める。 - 特許庁

Furthermore, the source-side sacrificing layer 81 and the memory sacrificing layer 82 are removed, and pillar-shaped semiconductor layers (29, 37 and 48) are formed so as to fill insides of the source-side hole 27, the memory hole 35 and the drain side hole 46.例文帳に追加

続いて、ソース側犠牲層８１及びメモリ犠牲層８２を除去し、ソース側ホール２７、メモリホール３５及びドレイン側ホール４６内を埋めるように柱状半導体層（２９、３７、４８）を形成する。 - 特許庁