microcrystalline structureとは 意味・読み方・使い方

To provide polyamide films well balanced in several physical properties, and excellent in physical properties, by controlling granular microcrystalline structure of films in simultaneous biaxial drawing.例文帳に追加

同時二軸延伸法においてフィルムの粒状の微結晶構造を制御することによって、種々物性のバランスが取れ、物性に優れたポリアミド樹脂フィルムを提供する。 - 特許庁

The write head pole structure can include multiple multi-layer magnetic structures 232, 234, and 236 that are separated by a non-magnetic material that is amorphous or microcrystalline.例文帳に追加

書き込みヘッド磁極構造は、非晶質又は微晶質の非磁性材料によって分離される複数の多層磁気構造２３２、２３４、２３６を含むことができる。 - 特許庁

To reduce a leak current of an integrated photoelectromotive force unit, using a microcrystalline or polycrystalline thin-film semiconductor, without making the structure complex and to improve an output characteristic.例文帳に追加

この発明は、微結晶或いは多結晶の薄膜半導体を用いた集積型光起電力装置のリーク電流を構造を複雑化することなく低減するとともに、出力特性を向上させる。 - 特許庁

To obtain an integrated photovoltaic device employing a microcrystalline or polycrystalline thin film semiconductor in which leakage current is reduced without complicating the structure and the output characteristics are enhanced.例文帳に追加

この発明は、微結晶或いは多結晶の薄膜半導体を用いた集積型光起電力装置のリーク電流を構造を複雑化することなく低減するとともに、出力特性を向上させることを課題とする。 - 特許庁

The seed layer 13 has a structure containing a crystalline phase distributed in a noncrystalline or microcrystalline matrix and the area rate of the crystalline phase in the surface of the seed layer 13 brought into contact with the recording layer 14 is 0.1-0.9.例文帳に追加

このシード層は、非晶質または微結晶からなるマトリクス中に結晶相が分布した構成を有し、前記記録層との接触面において前記結晶相の面積比が０．１以上０．９以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The tin film transistor has an active layer using a polycrystalline silicon film or microcrystalline silicon film and an electric field relaxing film formed between the active layer and a contact layer for the source/drain electrode, thus forming an electric field relaxation structure.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタは、多結晶シリコン膜または微結晶シリコン膜を活性層とし、この活性層とソース・ドレイン電極へのコンタクト層との間に電界緩和層が形成され、電界緩和構造となっている。 - 特許庁

A photoelectric conversion device 31 comprises: a light absorbing layer 3 containing a Group I-III-VI compound having a chalcopyrite structure; an intermediate layer 4 which is positioned on the light absorbing layer 3 and contains a Group III-VI compound having an amorphous or microcrystalline structure; and a buffer layer 5 which is positioned on the intermediate layer 4 and contains a Group VI compound having a crystal structure.例文帳に追加

光電変換装置３１は、カルコパイライト構造のＩ−III−VI族化合物を含む光吸収層３と、光吸収層３上に位置するアモルファスまたは微結晶構造のIII−VI族化合物を含む中間層４と、中間層４上に位置する結晶構造を有するVI族化合物を含むバッファ層５とを備える。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nitride semiconductor device, which can suppress a current collapse, can increase a breakdown voltage, and can relax electric field concentration by forming a nitride semiconductor layer of a microcrystalline structure in a gradually inclining shape.例文帳に追加

電流コラプスの抑制と高耐圧化が実現できると共に、微結晶構造の窒化物半導体層を緩やかに傾斜した形状に形成し、電界集中を緩和することができる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁