multiple-exposuresとは 意味・読み方・使い方

To provide a pattern forming method using a positive resist composition suitable for multiple exposures, ensuring that in the multiple exposure process of performing exposure a plurality of times on the same resist film, the pattern is reduced in the film loss.例文帳に追加

同一のレジスト膜上に複数回露光を行う多重露光プロセスにおいて、パターンの膜減りを抑えられる、多重露光に好適な、ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供することである。 - 特許庁

In this exposure method, multiple exposures of mask pattern images are made on a prescribed position on a wafer by using plural masks having the same mask pattern, and a desired circuit pattern is obtained.例文帳に追加

本発明の露光方法では、同一のマスクパターンを有する２枚以上複数枚のマスクを用いて、ウェハ上の所定の位置にマスクパターン像を多重露光し、所望の回路パターンを得ることを特徴とする。 - 特許庁

To form a high resolution pattern by preventing multiple exposures against the pattern by directing the light beam transmitted through a glass substrate to the direction away from the substrate without rereflection.例文帳に追加

ガラス基板を透過した光線を再反射せずに基板から遠ざかる方向に向け、パターンに対する多重露光を防ぎ、高い解像度のパターンを形成すること。 - 特許庁

A method for conducting multiple-exposures comprises the steps of mounting a first mask 33 having openings 33A, 33B, and so on, arranged at a pitch of a distance 2x on a photoresist layer 38, and subjecting to primary exposure.例文帳に追加

距離２ｘのピッチで配列した開口３３Ａ、３３Ｂ…を有する第一マスク３３をフォトレジスト層３８に載置して一次露光を行う。 - 特許庁

In addition, in the case of performing multiple exposures of triple exposure or more, third exposure, fourth exposure, etc., can be performed similarly on the n pieces of wafers continuously from the second exposure without developing any wafer.例文帳に追加

また、三重露光以上の多重露光を行う場合、上記第２露光に続いて、いずれのウエハも現像されることなく、ｎ枚のウエハに対して第３露光、第４露光、…を同様に行う。 - 特許庁

To provide a lithographic processing method which forms desirable patterns to a target portion of a radiation sensitive material layer by using multiple exposures, and a device manufactured thereby.例文帳に追加

本発明は複数の露光を使用して放射線感光材料の層の目標部分に望ましいパターンを提供するリソグラフィ処理方法およびそれにより製造したデバイスを提供する。 - 特許庁

When the wafer 5 is placed on the stage 6, a control part 7 moves the stage 6, so that the wafer 5 can come to the prescribed position and while the number of openings is changed on the illumination system by controlling the opening number adjusting part 2, multiple exposures of the pattern on the reticle 3 to the wafer 5 is performed.例文帳に追加

制御部７は、ウエハ５がステージ６上に載置された場合には、ウエハ５が所定の位置にくるようにステージ６を移動させるとともに、開口数調節部２を制御することにより照明系の開口数を変えながら、レチクル３上のパターンをウエハ５に多重露光する。 - 特許庁